之前，中微的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户先进集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。此次3nm刻蚀机诞生，使得中国芯片企业以后能够参与到更先进的高端芯片制造产业链中。
众所周知，半导体工艺流程主要包括晶圆制造、设计、制造和封测几个环节。每个环节不但需要高尖端技术，还需要大量的软件和硬件设备。单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散离子注入设备、湿法设备、过程检测等六大类设备。其中，光刻机、刻蚀机、薄膜设备最为主要。
光刻机的工作原理与冲洗照片差不多，就是通过显影技术将线路图复制到硅片上。而刻蚀机的工作原理是按光刻机刻出的电路结构，在硅片上进行微观雕刻，刻出沟槽或接触孔。刻蚀机利用显影后的光刻胶图形作为掩模，在衬底上腐蚀掉一定深度的薄膜物质，随后得到与光刻胶图形相同的集成电路图形。
ASML公司EUV光刻机工程师曾表示，光刻机是人类智慧的结晶，把光当成画笔，将集成电路线路图复制到硅片上。而刻蚀机则像是工匠手中的一把雕刻刀，要在头发丝几千万分之一面积的大小上做几十层楼的“龙骨”建设，直接决定了芯片的工艺制程。
在高端芯片数百亿根晶体管，集成电路的勾勒雕刻过程中，至少需要上千个工艺步骤。但如此高端、复杂的刻蚀机最终被中微半导体突破，一直自认为技术领先的美国企业大为不满。
近年来，美国半导体设备公司美国应用材料、泛林研发、维科为了遏制中微的发展，轮番向中微发起了商业机密和专利侵权的诉讼，意欲遏制中微的发展。所幸的是，中微早做了充分的准备，他们在国内外申请了1200多件相关专利，其中绝大部分是发明专利，有力地保护了其自主创新形成的知识产权。
中微掌门人尹志尧曾表示，中微是国内被美国起诉最多的半导体公司，其中主要有四场大官司。这四场官司包括了专利诉讼，商业机密等多个方面，但是无一例外，中微都取得了胜利或者达成了和解。
据悉，美国维科在蚀刻机市场被中微打得节节败退，为了遏制中微迅猛的发展势头，维科在纽约联邦法院对中微的石墨盘供应商SGL发起了专利侵权诉讼，并索要巨额赔偿。但事实是SGL并没有侵犯维科的专利，反而是后者盗用了中微的晶圆承载器同步锁定相关专利。
为了保护自己的合法权益，中微直接发起反击，向上海海关递交了扣押维科侵权的商品，这批货物价值3000多万，直接给予维科重创，使得其不得不做出妥协，主动寻求中微的谅解，双方最终达成专利交叉授权协议。
如今，中微在蚀刻机领域已经全球领先，但在整个芯片领域，我们还没有实现芯片工艺的全国产覆盖。受制于国外的设备，我国在高端芯片上和欧美还相差一段距离，逻辑器件技术水平上差三代左右，也就是5到10年的差距。
从现阶段看，国内厂商与全球龙头技术差距正在逐渐缩短，国产替代迎来机遇期，中微公司掌握3nm刻蚀技术的消息也给半导体行业的发展带来了信心。尹志尧曾表示，中国人注重数理化，工程技术，又有耐心，最适合搞集成电路。“只要我们有一定的耐心，将来一定会成为世界芯片领域先进的国家”。
芯片已经成了近来的热点，并且不断向更小的制程迈进。 目前，5nm工艺已经成熟量产，台积电、三星还在研发3nm工艺。前段时间，三星还全球首发了一款3nm存储芯片。 近日，芯片行业又迎来了两大重要突破。那么，究竟哪个意义更大呢？
这两天，老牌 科技 巨头IBM公司发布了全球首个2nm芯片的消息突然传来，一下成为了热议话题。不过令人纳闷的是，我们听到最多的， 芯片制造方面全球领先的不是台积电和三星吗，怎么突然是IBM发布了全球首个2nm芯片工艺技术？
IBM是全球最大的信息技术和业务解决方案公司，我国华为曾在1998年与IBM达成了为期10年、学费高达40亿元人民币的咨询项目，因此受益匪浅。 IBM还曾是一家主要的芯片制造商， 但在 2014年退出代工业务，将其晶圆厂出售给格芯。
IBM在半导体发展过程中也曾推出多项突破性技术，目前还保留着一个芯片制造研究中心。 这次宣布的2nm芯片制造技术就是这个研究中心，据说可以容纳500亿个晶体管， 相比于7nm芯片， 预计将提升45%的性能、降低75%的能耗。
然而，我们必须明确一个事实，研发出来了并不代表能够量产。从制造工艺上看，IBM实现了跨越到2nm的进步，但其已没有芯片制造能力 ，现已将其大量芯片生产外包给三星电子，并且现在台积电和三星都还在研发3nm工艺芯片制造技术。
上边说的2nm芯片消息是国外的公司，国内芯片行业也传来了重大好消息。 我国的中微半导体公司成功 3nm 刻蚀机，并且 原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估 均已经完成，更值得一提的是， 3nm 刻蚀机 已经进入到量产阶段。
中微半导体是由归国博士尹志尧带领团队创办的，他可是也不得的人物，曾获得过400 多项各国专利，被评价为“硅谷最有成就的华人之一”。 中微研发的刻蚀机已经处于全球领先水平， 之前的5nm 刻蚀机就已经应用到台积电产线。
这次中微突 破了3nm刻蚀机，再次证明了中国企业的技术实力。中微的很多刻蚀设备已经国际一线的芯片制造生产线及先进封装生产线上应用， 这次的3nm刻蚀机能够应用到更先进的高端芯片制造产业链中，将进一步提高我国的芯片话语权。
IBM发布了2nm芯片制造技术，中微突破了3nm芯片刻蚀机，这两个都是芯片行业的重大技术突破，都将促进芯片行业的未来发展，那么哪个意义更大呢？
首先，从全球的角度来分析。IBM这个2nm只是突破了芯片制造技术，并不能实现量产，还是需要依赖代工厂。 而IBM 与三星和英特尔签署了联合技术开发协议，可以授权使用其芯片制造技术，英特尔7nm还没突破，要代工最大可能是三星。
现在三星还在进行 3nm技术攻坚，即 使联合IBM，实现2nm量产也需要几年时间。看似现在领先于台积电，但台积电 也一直在研发，谁能先量产还不一定，因此IBM的2nm意义并不十分重大。 而中微的3nm刻蚀机已可以量产，等台积电、三星3nm制造技术突破，就可以直接应用到产线，相比之下中微的突破意义更大些！
其次，从国内的角度来分析。 IBM的 2nm芯片制造技术对我们更没有意义，现在我国最先进的中芯国际还在进行7nm量产攻坚阶段。 而中微半导体作为中国企业，率先突破的3nm刻蚀机能够跻身国际一线，大大提高了我国在芯片行业的地位！
中微半导体的技术全球领先，再次证明中国人是有实力突破芯片相关技术的，随着发展中国必将出现更多的中微类芯片先进企业，到那时中国芯必将摆脱国外限制，针对华为的“芯片禁令”将会毫无竟义，中国芯片产业将会腾飞！
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