可控半导体功率开关器件有哪些类型

可控的功率半导体器件有：

功率MOSFET: 包括VDMOST和LDMOST

IGBT: 也包括纵向IGBT和横向IGBT，双极器件

普通的可控硅或者称为晶闸管难以实现关断，但是也有门极可关断晶闸管GTO

电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。

MOS控制晶闸管

电子注入增强栅晶体管

集成电力电子模块

超大功率晶闸管

脉冲功率闭合开关晶闸管

新型GTO器件-集成门极换流晶闸管

都是的。

大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上的开关器件，包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相应的电流等级。这些器件基本上是以硅材料为基础，经过不同的工艺生产条件生产出来。按照其功能分类，可为全控型器件和半控型器件，全控型如IGBT、IGCT、ETO等，就是通过门极可以控制器件的开通与关断，半控型器件的代表就是晶闸管，只能控制开通，而不能控制关断。

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