无锡海太半导体有人了解吗

外资企业海力士借壳太极上市第一步

海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购lg半导体，2001年将公司名称改为（株）海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统ic业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 海力士半导体是世界第二大dram制造商。目前，海力士半导体致力生产以dram和nand flash为主的半导体产品。海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。从太极与海力士设立合资公司这条公开信息来看，公司的营利水平，生产领域将会发生根本性变化，从下面的公开报道来看，我们有理由相信合资公司只是第一步，江苏很可能让韩国海力士借壳太极上市，推动无锡集成电路产业链的发展，巩固和强化无锡在国内微电子产业的领先地位。5月17日，无锡市与韩国（株）海力士半导体公司共同投资建设12英寸大规模集成电路封装测试项目在南正式签约。该项目建成后，将成为国内规模最大、技术最先进的大规模集成电路封装测试企业。省委书记梁保华出席签约仪式，并会见了韩国海力士半导体有限公司长金钟甲一行。 梁保华对海力士新项目的签约表示热烈祝贺，对金钟甲先生来南出席签约仪式表示欢迎。他说，海力士项目落户的无锡市已成为我国重要的微电子产业基地。海力士项目于2005年投资建设以来，经过两次增资扩产，面对当前国际金融危机，再次投资新项目，体现了海力士的远见和信心，标志着海力士在无锡的发展进入了新的阶段。梁保华表示，江苏将坚定不移地扩大对外经济技术合作，努力为所有投资者创造更富有竞争力的环境。他衷心祝愿海力士半导体新项目建设顺利，尽早投产见效。 金钟甲感谢梁保华的热情接待。他说，在江苏省、无锡市府和各有关方面的大力支持下，海力士—恒亿项目发展势头很好。海力士将尽最大的努力，把在无锡的投资项目做成中国最成功的外商投资企业。 由韩国（株）海力士半导体与恒亿半导体共同投资的无锡海力士—恒亿半导体项目，于2005年4月在无锡新区开工建设，经过两次增资后，投资总额达50亿美元，12英寸晶圆实际产能超过20万片，生产工艺从90纳米升级到54纳米的全球领先水平，成为我国最大的半导体生产基地。此次签约的封装测试项目，投资额为3.5亿美元，建成后将形成12万片月封装测试生产配套能力，同时将进一步推动无锡集成电路产业链的发展，巩固和强化无锡在国内微电子产业的领先地位。所以个人认为太极想象空间巨大。

原文,股票之门 http://bbs.gpzm.com/thread-651202-1-1.html

太极实业将涉足半导体行业 与海力士共同设合资公司

2009-7-20 作者： 来源：

太极实业将与海力士投资1.5亿美元设立合资公司，涉足半导体行业。公司目前产业单一,此举有利于公司的多元化经营。

太极实业发布公告称，公司和海力士将共同投资1.5亿美元在无锡设立合资公司。其中，与海力士分别以现金0.825亿美元（约合人民币5.63亿元）和0.675亿美元向合资公司出资，并分别持有合资公司各55%和45%的股权。同时，在合资公司成立之后可以通过银行进行贷款，贷款金额为2亿美元；即合资公司成立后的初始总资产为3.5亿美元（约合人民币23.91亿元）。合资公司将主要从事半导体生产的后工序服务。在合资公司成立之后，合资公司将使用3.05亿美元向海力士和海力士（无锡）购买探针测试和封装相关资产。

公司目前主要从事涤纶工业长丝、涤纶帘子布、帆布产品的研究、开发、生产及销售。从08年的情况看，受经济危机的影响，公司08年四季度生产、销售均受到一定程度的影响。公司目前产业单一，公司此次涉足半导体行业，有利于公司的多元化经营。同时随着公司一系列项目的投入及后续产品结构的调整，公司在工业丝、涤纶帘子布和帆布的市场地位也将会进一步巩固和提升。

公告显示，海力士是在无锡投资最多的外国公司，海力士最早向无锡市提出了本次交易意向。海力士的交易目的包括：集中经营力量于核心产业领域（前工序）；通过在中国构建前/后工序统筹生产体制，提高制造及物流效率；确保具有竞争力的稳定性外包企业。海力士希望合资公司成为其重要的战略伙伴。海力士2008年销售收入相比2007年下滑21%，全年亏损4.7万亿韩元。2008年末海力士金融负债总额高达7.8万亿韩元，净负债率高达130%，其中一年内到期的短期金融负债达2.6万亿韩元，而海力士截至2008年底的现金余额为0.5万亿韩元。

公司以3.07元/股向控股股东--无锡产业发展集团非公开发行1亿股已完成，控股股东全部以现金认购。本次募资将用于：投资21,850万元对公司控股子公司江苏太极实业新材料有限公司进行增资扩股；剩余募集资金7,650万元用于补充流动资金。本次发行的股份自发行结束之日起36个月不得转让，该部分新增股份预计可上市交易的时间为2012年7月9日。此举将能进一步完善公司的治理结构，有利于公司的未来发展战略。

公司 2009年1-3月每股收益0.007元，每股净资产1.62元，净资产收益率0.44%，营业总收入1.23亿元，同比减少9.79%，实现净利润262.11万元，同比减少21.10%。

半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。

★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。

自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。

空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。

电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。

空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。

本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。

自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。

载流子：运载电荷的粒子称为载流子。

导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。

本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。

本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。

复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。

动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。

载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。

当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。

结论：本征半导体的导电性能与温度有关。

半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。

杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。

少数载流子：N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。

施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。

N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

多子：P型半导体中，多子为空穴。

少子：P型半导体中，少子为电子。

受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。

P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。

结论：多子的浓度决定于杂质浓度。

少子的浓度决定于温度。

PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。

PN结的特点：具有单向导电性。

扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。

空间电荷区：扩散到P区的自由电子与空穴复合，而扩散到N区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动，称为空间电荷区。

电场形成：空间电荷区形成内电场。

空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。

漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。

PN结的形成过程：所示，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。

PN结的形成过程电位差：空间电荷区具有一定的宽度，形成电位差Uho,电流为零。

耗尽层：绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴的数目都非常少，在分析PN结时常忽略载流子的作用，而只考虑离子区的电荷，称耗尽层。

PN结的单向导电性

楼上的你错了，他问的事海太半导体，不是海力士半导体~~

不是同一个公司，虽然都是韩国人开的。

叫你去韩国培训，应该要签订一个海外培训时间合同的（一般是几年内你不可以跳巢），你看海太给你多少薪水了~~

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