相关上市公司
(一)芯片设计
大唐微电子、杭州士兰微、无锡华润矽科微电子、中国华大、上海华虹、江苏意源科技等10家设计公司国内销售规模已经超过亿元。大唐微电子董事长魏少军、杭州士兰微董事长陈向东、上海先进半导体总裁刘幼海、中芯国际总裁张汝京、江苏长电科技董事长王新潮等9名人士,还被评为"2003中国半导体企业领军人物"。
DSP与CPU被公认为芯片工业的两大核心技术。国内CPU产品研发水平最高的以“龙芯”为代表，DSP以“汉芯为代表。专家指出，从2000年开始，我国每年就使用近100亿元的国外DSP芯片，到2005年前我国DSP市场的需求量在30亿美元以上，年增长将达到40%以上。
至于市场广为关注的第二代身份z，据招商证券的预估，第二代身份z的市场容量超过200亿元，主要包括三方面：芯片、读卡机具和数据库系统，其中芯片的市场容量约为70亿到80亿元。目前确定的第二代身份z芯片设计厂商有四家：上海华虹、大唐微电子、清华同方和中电华大，而芯片生产则交给了华虹NEC、中芯国际、珠海东信和平智能卡公司等。
1、综艺股份 （600770[行情|资料]）：2002年8月，公司出资4900万元与中国科学院计算机研究所等科研开发机构共同投资成立北京神州龙芯集成电路设计有限公司，并持股49％成为第一大股东。2002年9月，北京神州龙芯集成电路设计有限公司成功开发出国内首款具有自主知识产权的高性能通用CPU芯片“龙芯一号”；2002年12月，由中科院计算所、海尔集团、长城集团长软公司、中软股份、中科红旗、曙光集团、神州龙芯等国内七大豪门联手发起的“龙芯联盟”正式成立； 2003年12月20日，中科院宣布将在04年6月研发出“实际性能与英特尔奔腾4CPU水平相当的“龙芯2号”。
2、大唐电信 （600198[行情|资料]）：大股东大唐集团开发的TD-SCDMA标准成为国际第三代移动通信三大标准之一，在目前整个电信行业面临重组和突破的前景下，大唐电信面临着新一轮发展机遇。公司控股85%的大唐微电子也正成为公司主要的利润来源，贡献的利润已占到主营利润的52%，2002年该公司就实现净利润3800万元，其开发的SIM卡和UIM卡成为中国移动和中国联通的指定用卡，而公司与美国新思科技、上海中芯国际等共同开发的手机核心芯片平台将在2004年上半年投入试商用，2004年第三季度进入批量生产，在目前手机用户大量增长以及未来3G手机芯片等方面发展前景广阔。大唐微电子技术有限公司2003年销售额达到了6.2亿元，与2002年相比增长了199.0%，成为2003年中国集成电路设计业的一个亮点
3、清华同方 （600100[行情|资料]）：公司控股51%的清华同方微电子依托清华大学微电子学研究所的雄厚技术基础，致力于具有自主知识产权的IC卡集成电路芯片的设计、研发及产业化，在数字芯片方面具备的技术优势也相当明显，和大唐微电子一起入选为第二代居民身份z芯片的设计厂商。
4、上海科技 （600608[行情|资料]）：公司通过控股子公司江苏意源科技有限公司相继投资设立了苏州国芯科技有限公司、上海交大创奇信息安全芯片科技有限公司、上海明证软件技术有限公司、无锡国家集成电路设计基地有限公司等。其中，苏州国芯作为国家信息部选定的企业，在国家信息部的牵头下，于2001年8月与美国摩托罗拉公司签约，由摩托罗拉公司无偿转让32位RISC微处理器技术。
2003年2月26日，中国首个完全具有自主知识产权的“汉芯一号”DSP芯片在上海经过了技术鉴定。负责“汉芯一号”研制的上海交大芯片与系统研究中心主任陈进的另一个身份是上海交大创奇(上海科技控股子公司)总经理。江苏意源董事长郑茳接受记者采访时说：“32位DSP是交大研究中心和交大创奇联合开发，而16位DSP是由研究中心开发，交大创奇负责产业化。”2003年 4月底，交大创奇将与广东、深圳两家厂商签约，供应量达百万片。此外，创奇还为台湾的企业大量定制“汉芯”，已接到一厂家30万片的订单。
(二)芯片制造
1、张江高科 （600895[行情|资料]）：2003年8月22日,张江高科发布公告称公司已通过境外全资子公司WLT以1.1111美元/股的价格认购了中芯国际4500万股 A系列优先股,约占当时中芯国际股份的5%。2004年3月5日,张江高科再次发布公告,披露公司全资子公司WLT以每股3.50美元的价格再次认购中芯国际3428571股 C系列优先股,此次增资完成后公司共持有中芯国际 A系列优先股45000450股,C系列优先股3428571股。实施转股并拆细后,公司持有的中芯国际股份数将为510000450股,公司的投资成本约为4.8亿港元,每股持股成本仅在0.90港元.中芯国际在内地芯片代工市场中已占到50%以上的份额,是目前国内规模最大、技术最先进的集成电路制造公司,它到2003年上半年已跃居全球第五大芯片代工厂商。
2、上海贝岭 （600171[行情|资料]）： 2003年12月11日，上海贝岭和台湾传统工业的老大——裕隆集团合资成立了着眼于网络应用的芯片设计公司。而公司参股的上海华虹NEC电子有限公司执行总裁方朋在11月份表示说，华虹NEC将在2004年上半年到香港主板上市。据了解，它已经找到法国巴黎百富勤为其主承销商，具体融资规模还未确定。2003年10月，拥有世界先进半导体代工工艺技术的美国捷智半导体以技术和现金投入华虹NEC。母公司华虹集团旗下的上海华虹集成电路设计公司设计的第二代身份z芯片已送交公安部，正在系统性检验过程中，该公司的目标是获取全国1/3的市场份额。
3、士兰微 （600460[行情|资料]）：士兰微目前专业从事CMOS、BiCMOS以及双极型民用消费类集成电路产品的设计、制造和销售。公司研发生产的集成电路有12大类100余种，年产集成电路近2亿只。公司已具备了0.5-0.6微米的CMOS芯片的设计能力，有能力设计20万门规模的逻辑芯片。据统计，作为国内最大的民营集成电路企业，2001年在国内所有集成电路企业中士兰微排名第十，并持续三年居集成电路设计企业首位。
4、长电科技 （600584[行情|资料]）：公司生产的集成电路和片式元器件均是国家重点扶持的高科技行业，在分立器件领域内竞争力颇强，2003年5月募集资金3.8亿，主要用于封装、检测生产线技改，项目建设期较短。2003年11月公告,拟与北京工大智源科技发展有限公司共同组建北京长电智源光电子有限公司,该公司注册资本8200万元,长电科技拟以现金出资4510万元,占注册资本的55%。该合作项目是国家高度重视的照明工程项目,合作研发生产的高亮度白光芯片有望成为新一代节能环保型通用电器照明的光源。
5、方大 （000055[行情|资料]）：我国首次研制成功的半导体照明重大关键技术－－大功率高亮度半导体芯片在方大（000055[行情|资料]）问世，2004年3月23日在上海举行的“2004中国国际半导体照明论坛”上，方大首次向参会者展示了此款芯片。据介绍，该技术是我国“十五”国家重大科技攻关项目，达到当今半导体芯片先进水平，对加速启动我国半导体照明工程具有重要意义。方大2000年起开始进军氮化镓半导体产业，利用国家863计划高技术成果，开发生产具有自主产权的氮化镓基半导体芯片。方大已累计投资2亿多元，目前形成了年产氮化镓外延片35000片的能力。
半导体照明是新兴的绿色光源，以第三代半导体材料氮化镓作为照明光源，具有节能、寿命长等优点。据最新市场报告估算，到2007年，全球高亮度发光二极管市场将达到44亿美元。 目前，我国大功率高亮度芯片均依靠进口，2002年我国进口高亮度芯片数量及规模分别为47亿颗和7.1亿元，较2001年分别增长28.5%和22.4%。
6、华微电子 （600360[行情|资料]）：华微电子是中国最大的功率半导体产品生产企业之一。其用户为国内著名的彩电、节能灯、计算机及通信设备制造商，并在设计、开发、芯片制造、封装/测试、销售及售后服务方面具有雄厚的实力。华微电子的芯片生产能力为每年100万片，封装/测试能力为每年6亿只。2003年11月，公司公告将与飞利浦电子中国有限公司合资经营吉林飞利浦半导体有限公司，公司投资总额为2900万美元，注册资金为1500万美元，经营半导体电力电子器件产品。
7、首钢股份 （000959[行情|资料]）：作为国内最早涉足高新技术产业的钢铁企业，公司已经在高科技领域进行了诸多大手笔的投资，公司参与投资的北京华夏半导体制造股份公司，主要生产8英寸0.25毫米集成电路项目，目前已获得北京市的大力支持，该公司将有望建成中国北方的微电子生产基地。
(三)芯片封装测试
1、三佳模具 （600520[行情|资料]）：2001年底的上市公告书中称，公司是国内最大的集成电路塑封模具、塑料异型材挤出模具生产企业,市场占有率15%以上。上市后不久公司变更投向,原准备用募集资金独家投资12000万元建设年产200副半导体集成电路专用模具项目,现在改为投资新建合资公司,由中方投资9000万元、日方投资3000万元,专营半导体集成电路专用模具。2002年报又披露，公司持股75%的铜陵三佳山田科技有限公司,注册资本为12000万元,主营业务为生产销售半导体制造用模具；募股资金投向的半导体集成电路专用模具项目,截至2002底实际使用募集资金8710万元,2002年底已投入生产。
2、宏盛科技 （600817[行情|资料]）：公司的控股92％的股权子公司宏盛电子，经营范围为开发、制造电脑、显示器、扫描仪及相关零组件，半导体集成电路的封装、测试等。注册资本人民币7，450万元。
随着Intel在本月开始出货10nm工艺处理器，Intel在先进半导体工艺上将转向14nm为主、10nm加速量产及推进7nm落地。除了这些工艺之外，Intel之前还有一些工厂是生产22nm工艺的，它们也不可能完全淘汰或者升级到7nm，所以2017年Intel推出了22FFL工艺。
22FFL是Intel结合22nm及14nm FinFET工艺开发的一种改良版工艺，FFL中的L代表Low Leakage，漏电流更低，指标位于两种工艺之间，晶体管密度为1880万晶体管/平方毫米，略好于22nm工艺，但它的优势在于功耗低，成本也低，毕竟22nm工艺量产这么多年了。
22FFL工艺不会用来生产先进处理器了，但它会在别的芯片上找到自己的位置，此前Intel宣布使用22FFL工艺生产了MRAM（磁阻RAM），现在VLSI 2019大会上，Intel又提到了22FFL工艺已经准备好生产RRAM（可变电阻RAM）。
不论是MRAM还是RRAM芯片，它们的特性都是超强性能，延迟堪比内存，而且是超长寿命及可靠性，写入次数都是上万次起的，耐高温，寿命长达10多年，但是现在的问题就是这些芯片的容量都很低，通常是256Mb、512Mb，有些能上到1Gb左右，反正相比常规的RAM及NAND还差很远。
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