半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。(就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术,隔离开的区域)。有源区主要针对MOS而言,不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区(掺杂类型相同)在进行互联之前,两个有源区没有差别。另外,业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区了。
减少硅料消耗
对于以硅片为基底的光伏电池来说,晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果,截口损失主要和切割线直径有关,是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。
碳基半导体制备材料的研发主要集中在环渤海聚集区。
碳基半导体是一种在碳基纳米材料的基础上发展出来的一种导电材料,又被称作碳纳米管晶体管。
其原料即碳基纳米材料为一种分散相尺度至少有一维小于100nm的碳材料——分散相既可以由碳原子组成,也可以由异种原子(非碳原子)组成,甚至可以是纳米孔。
主要包括三种类型:碳纳米管,碳纳米纤维,纳米碳球,其中碳纳米管即作为制备碳基半导体的材料。
与国外硅基技术制造出来的芯片相比,我国碳基技术制造出来的芯片在处理大数据时不仅速度更快,而且至少节约30%的功耗。
中国半导体上游原材料来源主要是美国,日本。半导体上游材料中的靶材也是我国正在突破的细分领域之一,这块主要还是美、日等西方国家垄断,特别是高端材料进口较大。
在中低端领域,国内部分公司已经实现了突破,打破国外垄断,甚至对三星、LG等韩企供货。
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