SECSGEM指的是什么？

SECS/GEM 确定了半导体、电子和光伏行业常用的通信接口类型，该接口已由非营利性行业协会 SEMI 标准化。此篇文章会传达对 SECS/GEM 的基本功能和范围的理解，而不提供基本协议和数据格式的详细信息。

SECS 是半导体设备通信标准的首字母缩略词。GEM 是指 SEMI E30 标准，它使用 SEMI E5标准中定义的消息类型的子集来描述设备行为和通信的通用模型。SECS/GEM 接口的部署通常会使用 SEMI 标准 E37 和 E37.1 指定的 TCP/IP 网络，但标准 E4 中也可使用 RS-232 串行连接。后者在较旧设备中更为常见。SEMI 标准具有速记名称及其官方标识符，因此 E4、E5 和 E37 也分别称为 SECS-I、SECS-II 和 HSMS。

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平台独立性

SECS/GEM 描述了通过独立于任何 *** 作系统或编程语言的网络或串行电缆连接进行双向通信。通常连接的主机侧在工厂提供的计算机系统上执行，连接的设备侧在设备制造商提供的控制器计算机上运行。这些计算机系统及其安装的软件是完全独立的 - 他们可能使用不同的 *** 作系统，这是通常的情况，每个系统上的SECS/GEM软件是由不同的各方编写的。这是标准的价值和真正的互 *** 作性 - 工厂不限于使用专有 *** 作系统或购买设备供应商提供的专有接口包。

连接

SECS 使用单个连接描述主机与设备之间的通信。HSMS 是指使用 TCP/IP 的网络连接。SECS-I 是指使用 RS-232 串行端口的连接。在原始概念中，并且仍然是最常见的方案，设备提供单个 SECS 接口，供单个主机独家使用。SECS 定义的消息类型是部分不对称的 - 某些消息类型仅定义为主机使用，其他消息类型仅针对设备定义，但许多消息类型定义为任何一方的相同使用。由于 SECS 可以是将子设备集成到制造单元中的有效手段，因此也存在设备以主机角色连接到子设备，并且向工厂主机提供集成设备接口的情况。使用 HSMS 的网络连接设备通常为炉管等独立模块提供独立的 SECS 连接。但是，SECS 标准中规定通过调节每个邮件中的设备识别值来共享连接。不建议在新的部署中采用连接共享的做法，通常仅使用较旧的 RS-232 系统。一旦建立连接，主机和设备之间就会双向交换消息。通常，连接会长时间保持，只有在设备或主机重新启动时才会中断。与繁忙的 Web 服务器相比，通常的 SECS 连接对网络带宽的使用相当轻。在典型的台式计算机上运行数十个 SECS 接口连接是可行的。金南瓜运用SECS/GEM通讯系统推出的解决方案已经应用于众多半导体设备生产企业

三极管上标识LY是体效应整流三极管，NPN锗材料；\x0d\x0a三极管上标识SY体效应隧道三极管，PNP型硅材料；\x0d\x0a三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。\x0d\x0a半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：\x0d\x0a第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管\x0d\x0a第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。\x0d\x0a第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。\x0d\x0a第四部分：用数字表示序号\x0d\x0a第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

半导体分立器件泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称二极管、三极管及半导体特殊器件。

电子产品根据其导电性能分为"导体"和"绝缘体"半导体介于"导体"和"绝缘体"之间,半导体元器件以封装形式又分为“分立”和“集成”如：二极管、三极管、晶体管等。

MMSZ4693T1G的技术参数

产品型号: MMSZ4693T1G

齐纳击穿电压vz最小值(v):7.130

齐纳击穿电压vz典型值(v):7.500

齐纳击穿电压vz最大值(v):7.880

@izt(ma):0.050

齐纳阻抗zzt(ω):-

最大功率pmax(w):0.500

芯片标识:cy

封装/温度(℃):sod123/-55~150

类型：驱动IC

封装：SMD

批号：12+

品牌：ON

功率 - 最大值：500mW

类别：分立半导体产品

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