在半导体物理里 小注入是什么意思

小注入是指注入的非平衡载流子浓度远小于平衡时的多数载流子浓度，比如n型半导体，如果满足△n和△p远小于平衡电子浓度（n0）就属于小注入。 p型就是远小于平衡空穴浓度（p0）。

半导体物理简介：

是固体物理学的一个分支。典型的半导体主要是由共价键结合的晶体，如硅、锗。研究半导体中的原子状态是以晶体结构学和点阵动力学为基础，主要研究半导体的晶体结构、晶体生长，以及晶体中的杂质和各种类型的缺陷。研究半导体中的电子状态是以固体电子论和能带理论为基础，主要研究半导体的电子状态，半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。

半导体物理学的发展不仅使人们对半导体有了深入的了解，而且由此而产生的各种半导体器件、集成电路和半导体激光器等已得到广泛的应用。

一般在谈到半导体的PN结时,就会联系到势垒,这涉及半导体的基础内容.简单地说,所谓势垒也称位垒,就是在PN结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层,两侧的电位差,就称为势垒.势垒电容，是耗尽层宽窄变化所等效的电容，是二极管的两极间的等效电容组成部分之一，具有非线性，其相应于多数载流子电荷变化的一种电容效应。在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。势垒电容具有非线性，它与结面积、耗尽层宽度、半导体的介电常数及外加电压有关。势垒电容是二极管的两极间的等效电容组成部分之一，另一部分是扩散电容。二极管的电容效应在交流信号作用下才会表现出来。势垒电容在正偏和反偏时均不能忽略。而反向偏置时，由于少数载流子数目很少，可忽略扩散电容。

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