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物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料,如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。
本征半导体:不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴。空穴导电并不是实际运动,而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动 [1] 。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子- 空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大,实际应用不多。
首先得先了解pn结的形成。在N型半导体和P型半导体的结合面上,因浓度差所以多子的扩散运动;自由电子与空穴复合,此时由杂质离子形成空间电荷区(p区是负电荷,n区是正电荷),便有n指向p的内电场,阻止多子扩散,最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面处,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区(耗尽层)称为PN结。当在pn结(二极管)两端加正向电压时,内电场减弱,多子扩散大于少子漂移,使得载流子越过耗尽层,进入对面,并与其相反电荷载流子复合,形成扩散区(p区、n区各有一个)。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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