半导体sd应力参数

常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类型参、数型、号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降（在左栏电流值下）/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/pA零偏压电容/pF反向恢复时间/ns普通检波二极管2AP92.5402025051501002AP11101102501fH(MHz)402AP17101501301032000.960402101705022501030B45C60D75E90A20B30C40D50E601.520301501002CK75AD1502CK76AD200类型参、数型、号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降（在左栏电流值下）/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/pA零偏压电容/pF反向恢复时间/ns整流极管2CZ52BH20.1125600同2AP普通二极管2CZ53BM60.315010002CZ54BM100.515010002CZ55BM20115010002CZ56BB6530.82510001N400140073011.150100051N53915399501.51.4501000101N5400540820031.2501000103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数7、-数型号、不重复正向浪涌电流/A整流电流/A正向电压降/V反向漏电/pA反向工作电压/V最高工作结温/oCQL110.051.210常见的分档为：25，50，100，200，400，500，600，700，800，900，1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL740215QL86034.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数测试条件、参工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度50oC稳定电流下稳定电流下环境温度10oC型、遨稳定电压稳定电最大稳定反向漏电动态电电压温度系最大耗散号/V流/mA电流/mA流阻/Q数/10-4/oC功率/W2CW512.53.5715-92CW523.24.5552-82CW5345.841150-642CW545.56.5103830-352CW5678.8271570.252CW578.59.8260.52082CW591011.8203092CW6011.512.55194092CW10345.850165120-642CW11011.512.520760.520912CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.5103030303030IC=1mABVceo(V)12121824IC=1mA直流参数Icbo(MA)12121212Vcb=-10VIceo(MA)500500300300Vce=-6VIEBO(MA)121212500500500500Vcb=-6VIE=1mANp(dB)一8一一Vcb=-2VIE=0.5mAf=1kHzh；e(kO)0.64.50.64.50.64.50.64.5Vcb=-6VIE=1mAf=1kHzh”e(x10)2.22.22.22.2hoe(PS)80808080hfe一一一一hFE色标分档（红）2560；（绿）50100；（蓝）90150管脚EC（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管表173AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A3AX81B测试条件极限参数PcM(mW)200200ICM(mA)200200Tjm(oC)7575BVcbo(V)-20-30IC=4mABVceo(V)-10-15IC=4mABVebo(V)-7-10IE=4mA直流参数ICBo(MA)3015VcR=-6VIceo(MA)1000700Vce=-6VIEpo(MA)3015Veb=-6VVbes(V)0.60.6VCE=-1VIC=175mAVces(V)0.6568VCB=-6VIE=10mAhFE色标分档(黄)4055(绿)5580(蓝)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管脚EC(3)3BX31型NPN型锗低频小功率三极管表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件极限参数PcM(mW)125125125125Ta=25oCICM(mA)125125125125TjM(oC)75757575BVcbo(V)-15-20-30-40IC=1mABVceo(V)-6-12-18-24IC=2mABVebo(V)-6-10-10-10IE=1mA直流参数Icbo(MA)2520126Vcb=6VIceo(MA)1000800600400Vce=6VIebo(MA)2520126Veb=6VVbes(V)0.60.60.60.6Vce=6VIC=100mAVces(V)0.650.650.658f465aVcb=-6VIE=10mAhFE色标分档(黄)4055(绿)5580(蓝)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管脚E)C(1)3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管表193DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D极限参数PcmNW)100100100100ICM(mA)20202020bVcbo(V)30403040IC=100(iAbVceo(V)20302030IC=100(iAbVebo(V)4444IE=100pA直流参数IcBO(MA)0.010.010.010.01Vcb=10vIceo(MA)0.10.10.10.1Vce=10vIebo(MA)0.010.010.010.01Veb=1.5VVbes(V)1111IC=10mAIB=1mAVces(V)11130303030VCE=10VIC=3mAfT(MHz)150150300300Vcb=10VI,=3mAf=100MHzR=5Q交流参数Kp（dB）7777Vcb=-6VIE=3mAf=100MHzCb（PF）44440604060IC=100|iABVceo（V）30453045IC=100|iABVebo（V）4444IE=100pA直流参数Icbo（MA）0.50.50.50.5VcR=10VIceo（MA）1111Vce=10VIebo（uA）0.50.50.50.5Veb=1.5VVbes（V）1111IC=100mAIB=10mAVces（V）0.60.60.630303030Vce=10VIC=50mA交流参数fT（MHz）150150300300Vcb=10VlE=50mAf=100MHz%=50KP（dB）6666Vcb=-0VI口=50mAf=100MHzCob（pF）101010150管脚EBC6常用场效应管主要参数表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04DHDHDHDHDHDHDH饱和漏源电流IDSS(mA)0.3100.3100.3100.351.80.35100.35250.3510.5夹断电压VGS(V)119|119|119|119|B19|119|2000200010003000100040002000最大漏源电压BVds(V)2020202020122020最大耗散功率PDNI(mW)10010010010010025100100栅源绝缘电阻rGS(0)108108108108108108109100管脚或CSDSG

随着我国经济的高速发展，半导体行业的发展也在迅速崛起，因此在半导体工业加工的过程中不可避免的会产生含有氟离子，铜离子，磷废水的污染物废水。

含氟离子废水处理：

将废水的p H值调整在6-7左右，再加入的过量的Ca

Cl2和适量的絮凝剂，后续会行形成沉淀，部分污泥循环成为载体，在沉淀池中通过重力沉降能够实现泥水分离。

第一次反应时能够去除80%的氟，再一次加入絮凝剂，氟化钙及其其他形态沉淀，利用污泥泵输送到污泥沉淀池,用板框式脱水机压成泥饼外运，这时候产生的压滤液进入其他的系统进一步处理。

含磷离子废水处理：

含磷废水中磷主要以PO43-为主，采用的方法为化学沉淀法和混凝剂沉降法的组合工艺，通过加入Ca

Cl2生成难溶于水的Ca5(PO4)3OH沉淀。

一级反应池的p H调整到5-6左右，二级反应池p H调整到8.5-9，三级反应池p

H调整到9-9.5(确保完全生成羟基磷酸钙)，此工艺流程比较简单，费用也比较低，对于含磷废水处理有很大的适用性。

与研磨废水进行混合：

将半导体器件制造中产生的电镀废水和研磨废水进行混合，混合废水泵入浸没式膜过滤装置过滤，过滤的水泵入纳滤膜过滤装置过滤，经过纳滤膜过滤装置过滤的水即可直接回用。

以上是小编整理的半导体工业废水的处理方法都有哪些，后期将会关于更多污水处理的相关内容。

半导体为主要追踪对象的指数。广发国证半导体芯片ETF与华夏国证半导体芯片ETF所追踪的均是国证芯片指数，而国联安基金与国泰基金则追踪的是中证全指半导体指数与中华半导体指数。

拓展资料：

一、选样范围和样本股数量

● 半导体50是追踪中国A股市场半导体行业上市公司的股价表现，要求相关公司经营范围涵盖半导体材料、设备、设计、制造、封装和测试。成分股数量是50只。

● 半导体选取中证全指样本股中的半导体产品与设备行业股票，成分股数量是32只。

● 半导体芯片选择的是A股市场中，芯片材料、设备、设计、制造、封装和测试相关股票，成分股数量是25只。

● 可以看到，这三个指数的选样范围覆盖半导体的全产业链，但是成分股数量不同。半导体芯片的成分股数量最少，仅25只，半导体50的成分股数量最多，达到50只。

二.历史业绩

收益率方面，这三个指数近3年和近5年的年化收益均高于沪深300和创业板指，半导体芯片在近3年的表现更好一些，但是三者在近5年的收益率上整体相差不大。风险上，从波动率和最大回撤来看，三个指数的波动率与最大回撤均显著高于沪深300，与创业板指更接近一些。

三.市值分布

● 从选出的样本结果来看，在市值分布上，半导体芯片的市值更大，而半导体50和半导体的市值偏小。截止2月18日，半导体50的平均市值为265亿元，半导体的平均市值为282亿元，半导体芯片的平均市值为487亿元。

● 从具体的分布上看，半导体芯片的成分股中，千亿市值以上的股票占比达到20%，百亿市值以下的股票占比达到8%，而在半导体50及半导体指数中，百亿市值以下的股票占比达到32%和28%。

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