半导体元器件的区别？

二极管的基本特性就是单向导电性。检修测量时通过两个方向的截止和导通情况来判断是否损坏。二极管的主要参数有反向电压、持续正向电流、正向导通电压、耗散功率和反向恢复时间（决定适用工作频率）。不同型号的二极管，维修替换时要全面考虑这些参数，用于替换的元件参数须与元件参数相同或高出原件。

二极管的正向压降使用数字万用表的二极管测试挡可以测出，一般在0.4～0.8V之间，肖特基二极管的导通电压可以低至0.2V，在需要低电压降的场合大量应用，维修时选择替换型号尤其要引起注意。

三极管是电流控制型半导体器件，是透过基极的小电流来控制集电极相对大电流的元件。三极管有三个工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态。因为运算放大器的广泛使用，在工控电路板中使用三极管用作模拟放大的电路已不多见，三极管的最常见用法是使用它的饱和截止状态做开关信号驱动。

场效应管的外观封装和三极管相同。场效应管属于电压控制型半导体器件，即通过控制栅极和源极电压大小来控制漏极和源极的导通情况，场效应管的栅极输入阻抗非常高。根据结构的不同，场效应管又分为P沟道和N沟道两种类型。

维修时，需要关注的几个场效应管的主要参数如下。

V DSS （漏-源电压）：场效应管工作时，漏极-源极之间的电压应低于此电压；

V GS （栅极-源极电压）：在栅极和源极所加控制电压的极限；

I D （漏极持续电流）：场效应管导通时，漏极能持续通过的最大电流；

R DS （ ON ） （漏-源通态电阻）：当漏极和源极导通后，它们之间的电阻值；

VGS（TO）栅-源阈值电压：既要使场效应管导通，加在栅极和源极之间的最小电压。

晶闸管也称可控硅，也是电流型控制半导体器件，如图1.39（a）所示，控制极和阴极之间的电阻比较小，通过施加控制极G和阴极K之间的电流来控制阳极A和阴极K之间的导通。晶闸管的特点是“一触即发”，就是在G和K之间加上电流后，A和K导通，即使去除G和K之间的电流，阳极和阴极也会维持导通。如果要关断A和K，就要断开加在A上的电压或减小A、K之间的回路电流至足够小才行。

将三极管平滑光整的正方形一面正对自己，三个管脚往下，用手拿着。从左往右三个管脚分别是E,B,C。E代表发射极，B代表基极，C代表集电极。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

扩展资料：

三极管由P型半导体和N型半导体构成，分为三个区：集电区、基区和发射区，由于NPN和PNP三极管的结构是一致的，所以他们的工作原理一致， 但是极性不同。

对于NPN型三极管而言，电流由集电极c流向发射极e，对于PNP型三极管而言，电流由发射极e流向集电极c，由此可以看出三极管的发射极e和集电极c是存在极性区别的，所以要区分C、e极。

所以在用三极管当作开关器件驱动负载时，一般将负载设计在集电极上，不管时NPN型还是PNP型，这样能保证三极管在工作时完全处于饱和状态。

参考资料：百度百科-三极管

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS）,双极晶体管（BJT）,结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理：由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场，当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场，因而其电流会很小，当外加电压由p型指向n型时，内建电场降低，电流可顺利通过pn结，形成单向导电的特性。MOS结构：主要由栅极，漏极及源极三部分构成。工作原理：通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构：由发射极，基极，集电极构成。基本原理：通过控制发射极与基极之间的电压以及集电极与基电极之间的电压实现电流的放大，截至等效应。结型场效应晶体管：与MOS构成类似，不同点仅在于其栅极位于沟道的上下两侧。工作原理：上下栅极同时控制沟道的载流子浓度及沟道的宽度实现对电流的控制。

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