余承东称，今年受到美国第二轮制裁的影响，华为的芯片没办法生产了，最近都在缺货阶段，华为的手机没有芯片了，没有了供应，造成今年发货量可能低于去年。
媒体不要加戏，神特么绝唱啊。
别为了流量咒死了麒麟行不，虽然短期内生产不了了，但是看目前态度，不会是绝唱的，除非有一天彻底放弃手机业务了。会做的，而且即使是看生产，这波风波过去了，或者国内起来了，也会重新出现在大众视野之中。
这次大会，除去已经说了很多次的全场景、端管云之类的话，余承东在中国信息化百人会上的发言和PPT透露出的，可能大家比较感兴趣的信息如下：
Mate40系列将会九月发布，搭载麒麟芯片。
华为将会扎根半导体制造。
今年手机发货量可能会比去年2.4亿少一些。
提到了TikTok，做了一点表态
……
第一点宣布了下半年华为自家顶级旗舰的发布时间，并且对“会不会下半年机子没有麒麟了要用联发科”这种问题做了回应，至少，Mate40系列会用麒麟芯片。
关于这台手机，我也挺期待的，目前我确认的提升是一个小点，不知道在大的方面会不会有创新和巨大提升，蹲一台，但是不知道能不能抢到，唉。（所以快买P系列，Mate留给我hhh）
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对了，除去华为Mate以外，新nova和荣耀V40系列大家也很关注，就目前消息，V40会有联发科版本（也就是说依然有麒麟？），nova不详但大致如此。多方也透露了华为有对联发科大量下单的意向，说不定明年我们会看到联发科重新在手机端崛起。
第二点，关于这个有一张来源不明的拍摄图片：
看PPT的意思，EDA写的是关键算法，个人猜测是指和华大九天等公司合作，或许并不是自己全包圆了，IDM后的内容应该就是华为会自己考虑深度参与制造的部分，“射频、功率、模拟、存储、传感等器件设计与制造工艺整合”。
这一块算是官宣要做，但是不知道具体会到什么范围、什么程度，而且就算要做，也要很久，大家还是淡定点，轻微沸腾一下下就好。
第三点是对自身出货量的估计，按照菊一贯特色和余承东的调性，说出这话，应该是今年确实不太好卖了，当然整个市场都这样。
事实上看华为今年的手机业务，海外大量经验丰富的 *** 盘手回到了国内，全方位施压，“渡江战役”成果已现，华为国内份额已经到了40%+。而对手们都在拼命反扑，并且是非常强烈的，对手实力也不弱，华为国内份额恐难以继续增加。而在欧洲等华为传统强势区域，华为目前已经从第二落到三四名，部分地区甚至更差一些，局势不容乐观，不过很好的是国内厂商目前出海入欧的行动还不错，小米和OPPO都有很不错的战绩。
虽然看第二季度，华为创造了中国厂商的历史，达到了手机份额的第一名，但是这也是暗藏危机的，国内难以再提高，欧洲南美等地区还在艰难拓展，短期很可能会出现份额下跌的情况。
不过也要看到，印度对小米应用上的制裁，美国对头条、腾讯等厂的觊觎，今年政治风险可能会比较大，这些东西很难说鹿死谁手尚不可知。总体还是希望国内厂商可以稳住份额吧，难的有一个大众且科技相关的领域我们具有很不错的形势。
余承东有句话说的不错，目前华为像是绑住手脚游泳比赛。最近风波频起，或许今年也会有其他厂商感受这种痛苦，而且不仅仅是设备提供商，软件商也会有这种风险。
最后是余承东对TikTok的评价，提到了绝地求生和抖音海外版本的表现，整体还是比较正面，鼓励大家不仅仅在中国舒适区，更去多赚全球。头条今天也总算明白了拖字决，给出了比较不错的回应，而不是火星视角之类的说法。
（其实有时候挺感慨 ，最近几年，这个世界太魔幻了，或许是新秩序要成立，所以一次次打破我们在旧秩序下的幻想。
换作两年前，你说中兴、大疆、华为，甚至头条、海康威视、欧菲光、腾讯、小米这些厂商会有这种待遇，肯定有一堆人说你迫害幻想，而现在都开始成真了。
有生之年不知道能不能看到新秩序。
光电探测器。
光模块接收端能正确识别信号并完成光电转换，就需要光电探测器，光电探测器通过检测出照射在其上面的光功率，从而并完成光/电信号的转换。我们常用的PIN光电二极管和APD（雪崩）光电二极管就属于光电探测器。要说探测器，就必须说说探测器基本的结构PN结。
PN结
PN结，指的将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体的基片上，在这两个半导体的交界处形成的空间电荷区。我们先看看什么是P型和N型半导体。
P型半导体：含有较高浓度的“空穴”（空穴相当于正电荷），所以是Positive的P，成为能导电的物质；
N型半导体：含电子浓度较高的半导体，导电性由自由电子导电，由于电子带负电，所以是Negative的N。
因此，在P型半导体和N型半导体交界处就出现了电子和空穴的浓度差，从而形成空穴和电子的扩散运动，导致一些电子从N型区向P型区扩散，一些空穴又从P型区向N型区扩散。最终的结果就是在PN交汇处形成空间电荷区电场（内电场，从N指向P），也称之为PN结（缺少“多子”也叫耗尽层）。
（图片来源于网络）
在这里说明一下内部电场，这个电场的形成就导致了载流子的漂移运动，一是N区的载流子空穴向P区漂移，另外是P区的载流子电子向N区漂移。
（图片来源于网络）
因此，单纯的PN二极管的扩散运动只发生在PN结附近，远离PN结的地方就没有电场存在，这也是为什么PN二极管的光电变换效率低下以及响应速度也很慢。
PIN光管二极管
为了解决这个问题，提高转换效率和响应速率，通过在P型和N型半导体之间增加 一层轻掺杂的N型材料 I （Intrinsic，本征的）层，以展宽耗尽层，提高转换效率，这是因为轻掺杂I层，电子浓度很低，经扩散后就可以形成一个很宽的耗尽层。这就是我们的PIN光电二极管。
PIN光电二极管
原理：
（1）光子照射在半导体材料上产生光生载流子；
（2）光电流在外部电路作用下形成电信号并输出。
APD雪崩光管二极管
在前面的文章中我们说到，APD雪崩光电二极管具有较高的接收机灵敏度，这个较高灵敏度靠的就是对初级的电光流进行雪崩倍增效果。说到雪崩，估计大家脑海中的第一印象就是大雪山发生雪崩，其实也是同样的道理，高山上的一点雪发生碰撞，从上而下一路累积，雪团越来越大，最后形成雪崩。
从这里我们可以看出，要发生雪崩，必须具备一个条件就是山要足够的高。因此，雪崩光电二极管也就是在PIN光电二极管的基础结构中增加了雪崩区。使得光生载流子在其耗尽区(高场区)内的碰撞电离效应激发出新的电子-空穴对，新产生的载流子通过电场加速，导致更多的碰撞电离产生，一生二，二生三，三生万物，从而获得光生电流的雪崩倍增。
APD雪崩光电二极管
原理：
（1）光子照射在半导体材料上产生光生载流子；
（2）光生载流子在雪崩区即高电场区发生雪崩倍增；
（3）光电流在外部电路作用下形成电信号并输出。
在更换之前，最好先了解一下汽车钥匙电池的型号，这个一般都会在车辆用户手册上写着，然后根据规定型号来选择新钥匙电池。从钥匙的尾部，往上推标识开关，隐藏式的机械钥匙会d出来一点，然后就可以拿出机械钥匙。依旧是钥匙尾部，用刚拿出来的机械钥匙顶住标识位置，轻轻一用力，钥匙外壳就能打开。钥匙外壳取开后，可以见到电池的位置偏深，随便拿一个东西从两侧缝隙顺进去，轻轻一撬即可拿出旧电池。换上新电池后，注意电池正负极不能装反，接着就是安装步骤，外壳顶端先插进，然后另一端用力按压，更换电池完成。1、先往上推标识开关，拿出机械钥匙。
2、打开钥匙外壳，再撬出出旧电池。
3、换上新电池即可。
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