大功率半导体器件有哪些

大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上的开关器件，包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相应的电流等级。这些器件基本上是以硅材料为基础，经过不同的工艺生产条件生产出来。按照其功能分类，可为全控型器件和半控型器件，全控型如IGBT、IGCT、ETO等，就是通过门极可以控制器件的开通与关断，半控型器件的代表就是晶闸管，只能控制开通，而不能控制关断。

原子半径小，线路可以做很细。硅是单晶，化学性质稳定。

高压下硅半导体的压降比锗小得多，所以电力电子都是用硅。

锗一般用于电子电路中的单个晶体管，在电子设备的电压等级之下，锗的压降更小，电阻也更小，适合做电子设备的开关管。

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