(1)①锗最外层有4个电子,所以其最高价为+4,锗的最高价氧化物为GeO 2 ,与HCl(aq)发生复分解反应,生成的氯化物应为GeCl 4 和H 2 O,反应方程式为:GeO 2 +4HCl═GeCl 4 +2H 2 O. 故答案为:GeO 2 +4HCl═GeCl 4 +2H 2 O. ②GeCl 4 水解反应:GeCl 4 +4H 2 O
Ge(OH) 4 +4HCl(正反应吸热),生成原锗酸H 4 GeO 4 与HCl,原锗酸H 4 GeO 4 失水变为锗酸H 2 GeO 3 ,反应方程式为GeCl 4 +4H 2 O═H 4 GeO 4 +4HCl、H 4 GeO 4 ═H 2 GeO 3 +H 2 O(或GeCl 4 +3H 2 O═H 2 GeO 3 +4HCl ) 故答案为:GeCl 4 +4H 2 O═H 4 GeO 4 +4HCl、H 4 GeO 4 ═H 2 GeO 3 +H 2 O(或GeCl 4 +3H 2 O═H 2 GeO 3 +4HCl ). ③GeCl 4 水解反应:GeCl 4 +4H 2 O
Ge(OH) 4 +4HCl(正反应吸热),生成原锗酸H 4 GeO 4 与HCl,加热平衡向右移动,HCl逸出,且水分不断蒸发,原锗酸H 4 GeO 4 失水变为锗酸H 2 GeO 3 ,H 4 GeO 4 失水变为锗酸H 2 GeO 3 ,锗酸受热分解为GeO 2 . 锗酸受热分解为GeO 2 与水,反应方程式为H 2 GeO 3
故答案为:H 2 GeO 3
④GeO 2 与H 2 发生氧化还原反应,H 2 夺去GeO 2 中的O生成H 2 O,Ge被还原出来.反应方程式为GeO 2 +2H 2
故答案为:GeO 2 +2H 2
(2)前三步的主要作用是分离、提纯和富集锗的氧化物. 第②步中产生的盐酸可以循环到第①步中使用,①③④中产生的水也可以循环到第②步使用. 故答案为:前三步的主要作用是分离、提纯和富集锗的氧化物. 第②步中产生的盐酸可以循环到第①步中使用,①③④中产生的水也可以循环到第②步使用. |
Ar是氩,惰性气体;
Ge是锗,金属,但性质有些接近非金属;
Ne是氖,惰性气体.
能做半导体的元素都是在元素周期表上处于金属和非金属交界的元素.惰性气体是一定不行的.因此应该是Al和Ge.
大多数类金属都可以。比较常见的有硅(Si)、锗(Ge)、镓(Ga)等。其中硅和锗一般使用其单质,而镓则使用其砷化物砷化镓(GaAs)作为半导体材料。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,禁带宽度是1.4电子伏。不过砷化镓也有不足之处,即其热稳定性不好,高温分解,限制了其普及运用。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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