集成电路isd1820py的引脚功能和器件原理

ISD1820P 8～20秒单段语音电路

一、 主要特性

1.      自动节电，维持电流0.5uA

2.      边沿/电平触发放音

3.      外接电阻调整录音时间（详见附表）

4.      3v单电源工作

三、 引脚描述

电源(VCC)：芯片内部的模拟和数字电路使用的不同电源总线在此引脚汇合，这样使

得噪声最小。去耦合电容应尽量靠近芯片。

地线(VSSA,VSSD)：芯片内部的模拟和数字电路的不同地线汇合在这个引脚。

录音 (REC)：高电平有效，只要REC变高(不管芯片处在节电状态还是正在放音)，芯

片即开始录音。录音期间，REC必须保持为高。REC变低或内存录满后，录音周期结束，芯片自动写入一个信息结束标志(EOM)，使以后的重放 *** 作可以及时停止。然后芯片自动进入节电状态。

注：REC的上升沿有84毫秒防颤，防止按键误触发。

边沿触发放音(PLAYE)：此端出现上升沿时，芯片开始放音。放音持续到EOM标志或内

存结束，芯片自动进入节电状态。放音后，可以释放PLAYE。

电平触发放音(PLAYL)：此端从低变高时，芯片开始放音。持续至此端回到低电平或遇

到EOM标志，或内存结束。放音结束后自动进入节电状态。

录音指示(/RECLED)：处于录音状态时，此端为低，可驱动LED。此外，放音遇到EOM

标志时，此端输出一个低电平脉冲。此脉冲可用来触发PLAYE，实现循环

放音。

话筒输入(MIC)：此端连至片内前置放大器。片内自动增益控制电路(AGC)控制前置放

大器的增益。外接话筒应通过串联电容耦合到此端。耦合电容值和此端的

10KΩ输入阻抗决定了芯片频带的低频截止点。

话筒参考(MIC REF)：此端是前置放大器的反向输入。当以差分形式连接话筒时，可减

小噪声，提高共模抑制比。

自动增益控制(AGC)：AGC动态调整前置增益以补偿话筒输入电平的宽幅变化，使得录

制变化很大的音量(从耳语到喧嚣声)时失真都能保持最小。通常4.7uF的

电容器在多数场合下可获得满意的效果。

喇叭输出(SP+,SP-)：输出端可直接驱动8Ω以上的喇叭。单端使用必须在输出端和喇

叭之间接耦合电容，而双端输出既不用电容又能将功率提高至4倍。SP+

和SP-之间通过内部的50KΩ的电阻连接，不放音时为悬空状态。

振荡电阻(ROSC): 此端接振荡电阻至VSS，由振荡电阻的阻值决定录放音的时间。

直通模式(FT):  此端允许接在MIC输入端的外部语音信号经过芯片内部的AGC电路、

滤波器和喇叭驱动器而直接到达喇叭输出端。平时FT端为低，要实现直通

功能，需将FT端接高电平，同时REC、PLAYE和PLAYL保持低。

四、录放音 *** 作方式

按住REC录音按键不放即录音，RECLED灯会亮起，松开按键录音停止。放音有三种情况：

1、                沿触发放音，按PE键一下即将全段放音，除非断电或放音结束，否则不停止放音；

2、                电平触发放音，按住PL键时即放音，松开按键即停止；

3、                循环放音，置循环放音开关闭合，按动PE键即开始循环放音，只能断电才能停止。

在直通模式下，直通开关闭合，对话筒说话会从喇叭里扩音播放出来，构成喊话器功能，由于该模式下的话筒放大同时经过AGC自动增益调节和带通滤波器，其音质比通常的话筒放大器要好很多，而且不会出现喇叭过载的情况。

附表：

ROSC

录放时间

采样频率

典型带宽

80kΩ

8秒

8.0KHZ

3.4 KHZ

100 kΩ

10秒

6.4 KHZ

2.6 KHZ

120 kΩ

12秒

5.3 KHZ

2.3 KHZ

160 kΩ

16秒

4.0 KHZ

1.7 KHZ

200 kΩ

20秒

3.2 KHZ

1.3 KHZ

从最基本的说起首先模电，数电这两门基础课程要学，模电的参考书建议童诗白的《模拟电路》或者康华光的，数电建议闫石的《数字电子技术基础》其次刘恩科的《半导体物理》必读，模拟集成电路设计有三本圣经必读，paul gray的《analysis and design of analog integrated ciucuits》。

拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》，P.E.Allen《CMOS模拟电路设计》，这些都建议买英文原版，数字集成电路，Jan M·Rabaey的《数字集成电路——电路、系统与设计》，另外要看一些verilog和VHDL方面的书，这些都选择很多了。Cadence和Hspice的说明书，网上下载一份电子版就好了。

集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。

它的英文（integrated circuit）用字母“IC”表示。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于硅的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于锗的集成电路）。

集成电路（Integrated Circuit,简称IC）是20世纪60年代初期发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现 在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。

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