半导体中blt的英文全称为BondLineThickness,是介面厚度的意思,代指半导体制造中的介面厚度,也代指债券的线。
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。
概述:英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层,是半导体行业近40年来的重要创新。英特尔的65纳米制程升级为45纳米制程技术并非以往升级所带来的量变,而是脱胎换骨的飞跃。凭借制程的创新,英特尔迈出TICK-TOCK产品发展战略稳健的又一步,并拉开了半导体行业发展的历史新篇章。这一创新再次延续了摩尔定律,使之在未来10年继续有效。随着英特尔45纳米半导体制程技术揭开神秘面纱,一系列采用该技术的服务器、工作站及台式机处理器同期发布。较前代产品,新产品在性能、能耗比以及经济性方面有显著提高,并将在正式发布后向市场供货。预览英特尔45纳米制程技术创新英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术是英特尔制造晶体管的新方法,它以一种具有高k特性的新材料作为“栅极电介质”,并采用了一种新型金属材料作为晶体管的“栅极”。向这些新材料组合的转变,标志着40多年来晶体管制造方式最重大的变革。采用英特尔45纳米高k晶体管的优势全新英特尔45纳米高k晶体管方案通过缩小晶体管的体积解决了漏电率问题。它能降低晶体管的漏电率,帮助英特尔的工程师们在提供更高性能的同时降低处理器的能耗。同时,笔记本电脑用户也将发现,漏电率的降低使得能耗也随之减少,电池的使用时间更长了。英特尔在新制程技术中采用的新材料高k材料基于一种名为铪的元素,而不是以往的二氧化硅;而晶体管栅极则由两种金属元素组成,取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新的方案中结合了所有这些新材料,是英特尔提升处理器性能的独特手段。采用金属铪的价值所在铪是元素周期表中的72号元素,也是一种金属材料。它呈银灰色,具有很高的韧性和防腐性,化学特性类似于锆。英特尔之所以在45纳米晶体管中采用铪来代替二氧化硅,是因为铪是一种较厚(thicker)的材料,它能在显著降低漏电量的同时,保持高电容来实现晶体管的高性能。cmos意思是互补金属氧化物半导体。
CMOS英文全称为Complementary Metal Oxide Semiconductor,翻译成中文就是互补金属氧化物半导体的意思,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。
这个东西通常是在计算机的主板上,是一块可读写的RAM芯片,用来存储主板的BIOS配置信息,特点就是低功耗。台式机那个纽扣电池,就是给它供电的,所以它能够在主机箱断电的情况下,还能够保存好主板的BIOS信息。
电路原理
CMOS,全称Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互补金属氧化物半导体,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)集成在一块硅片上。
该技术通常用于生产RAM和交换应用系统,在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的RAM芯片。
以上内容参考:百度百科-CMOS
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