为什么内存条不断涨价，内存条涨价的原因是什么？

内存条涨价短期原因主要有：

半导体产业正经历一场技术升级，闪存需要从2D过度到3D，从而没有钱在DRAM产线投资。

手机产业RAM需求增大，原来都是1G，2G。现在动辄4G，6G。

半导体周期。很多半导体产业呈现强周期性，一阵升，一阵猛降。和国内著名的“猪周期”比较像。现在是上升期。

长期原因就是垄断了，整个市场都被三星、海力士和美光这几家巨头垄断，三家合计市场占有率超过95%！市场垄断必然带来价格垄断。

短期原因过一阵就可以缓解，长期原因就要看中国半导体产业的崛起了。

半导体领域有个著名的“反周期定律”。典型的例子就是三星，它充分利用了存储器行业的强周期特点，依靠政府的输血，在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候，逆势疯狂扩产，通过大规模生产进一步下杀产品价格，从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产，从而在价格上升时大赚特赚。三星依靠韩国政府，在很多领域都这样玩，例如LCD，闪存和内存。他们这对搭档这么玩，玩死了很多美国和日本公司。

中国动员能力更强，紫光有发改委背书，目前似乎正在玩“反周期定律”2.0，即更大的投资，更快的崛起。相信很快就能在DRAM占据一席之地，到那时候才是DRAM真正价格下跌的时候。

TCL 科技 （000100）8月28日晚公告显示，控股子公司TCL华星与三星显示签署了《股权转让协议》《增资协议》，公司与TCL华星、三星显示签署了《股东间协议》。该协议签订后，公司将以约10.80亿美元（约76.22亿人民币，以付款时汇率计算为准）对价获得苏州三星电子液晶显示 科技 有限公司（简称SSL）60％的股权及苏州三星显示有限公司（简称SSM） 100％的股权（以最终工商登记为准）。

同时，三星显示将以SSL60％股权的对价款7.39亿美元（约52.13亿元人民币，以SSL买卖价款支付时汇率计算为准）对TCL华星进行增资，增资后三星显示占TCL华星12.33％股权。

据介绍，本次收购后，TCL华星在大尺寸领域，将拥有t1、t2和苏州三星3条满产的8.5代线，每月产能合计440K大板；1条满产11代线t6，目前月产能90K，另有1条11代线t7将于明年初投产。

TCL 科技 表示，通过此次收购，TCL华星将实现周期底部的低成本快速扩张，实现产业布局优化、产品结构优化、制造和供应链体系优化，增强公司大尺寸显示业务竞争力。

行业双巨头格局已定

面板产业是强周期、赢者通吃的资源高度集中产业。

TCL 科技 在公告中指出，半导体显示是最重要的电子基础技术产业之一，需要长期、持续、专注的资本投入和极致的管理能力及运营效率。

受产能集中释放影响，半导体显示行业自2017年底进入本轮周期调整，大尺寸面板价格不断下探，全行业盈利在底部徘徊，企业规模和效率差异逐渐凸显，产业重构整合加速。

今年二季度，三星显示宣布将于今年底前停止在韩国和中国大陆的LCD面板生产。目前，三星显示本土L7和L8产线产能约占其LCD总产能的73％。1月初LG显示（LGD）宣布，将于今年年底关闭本土P7、P8产线（TV面板产能），约占其LCD总产能的70.6％。

群智咨询数据显示，受益于产能增长和韩厂退出，上半年，中国大陆面板厂商的出货数量在全球的市场份额较去年同期上升了9.3个百分点至55.5％，京东方和TCL 科技 旗下TCL华星分列全球LCD TV面板出货数量和出货面积的前两名。

粤开证券表示，根据CINNO Research数据，此轮韩国厂商完成出清之后，中国大陆面板厂的大尺寸产能占比将从2019年的44.8％提升至53.3％，甚至有望在2021年达到65.3％，LCD行业供给格局将加速改善。随着三星苏州厂被出售，面板行业的集中度将会进一步提升。

国海证券认为，LCD行业格局已经确定，中国大陆LCD市场份额持续提升，京东方、TCL 科技 双巨头格局已定。

面板价格触底反d

3月下旬，受新冠肺炎疫情影响，多项重要 体育 赛事如东京奥运会、欧冠、欧洲杯、NBA等被取消或推迟，部分终端需求缩减，面板价格止涨下跌。进入6月，面板价格止跌企稳。下半年，尽管面板厂产能恢复至满载状态，但下游客户备货需求强劲，7月以来LCD面板价格持续反d。

华宝证券表示，随着复工复产持续，电视机需求逐步复苏，后续面板需求进一步回暖，疫情对面板产业冲击已经提前结束。考虑到韩国三星、LGD的产能退出，预计三季度电视机面板价格涨幅将超市场预期。

信达证券指出，今年三季度，预计面板需求将环比增长30％至40％，面板价格涨势将持续整个三季度。进入四季度，需求将相对放缓，价格重回平稳状态。2021年，随着经济恢复带动购买力提升，全球TV销量将回升。此外，4K普及将带动TV尺寸增大，预计2021年大尺寸面板需求将大增，价格上涨将贯穿2021年前三季度。

面板产业重构整合加速，苏州三星8.5代线“花落”TCL华星。

8月28日晚，TCL 科技 发布公告称，将以10.80亿美元（约合76.22亿元人民币）收购苏州三星电子液晶显示 科技 有限公司60％的股权及苏州三星显示有限公司100％的股权，分别对应每月120K产能的8.5代线和每月350万套加工能力的模组工厂。

业内人士指出，中国大陆面板厂商在全球的市场份额将进一步提升，面板行业强者恒强、赢者通吃的竞争格局将进一步强化。

半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

一、半导体材料主要种类

半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。

（半导体材料）

2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。

（半导体材料元素结构图）

半导体材料

三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。

3、有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。

4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。

二、半导体材料实际运用

制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。

（半导体材料）

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。

在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。

三、半导体材料发展现状

相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，

半导体材料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。

（半导体材料）

美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。

日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。

芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。

半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。

与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。

四、半导体材料战略地位

20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、 *** 纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式

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