中国电子科技集团公司第十三研究所所长

机构名称 中国电子科技集团公司第十三研究所

机构曾用名 机械电子工业部第十三研究所 河北半导体研究所

上级主管单位 国家半导体器件质量监督检验测试中心，全国电子产品生产许可证发证办公室及第十三审查部

负责人 名称 : 杨克武

职务 : 所长

职称 : 教授级高级工程师

省 河北

市 石家庄

职工人数 1400 人

科研人数 1000 人

学科研究范围 微波和毫米波半导体器件；光电子器件；微机械电子系统；量子器件；真空微电子器件；场控电力电子器件；特种高可靠器件；砷化镓集成电路；光电集成电路；微波混合封装集成电路；微波模块和小整机；半导体材料；半导体封装和半导体工艺设备。

产品信息 高频加热电源超高亮度发光二极管智能税控加油机智能监控系统通信号灯光通信设备微波通信设备通信电源

出版刊物 半导体情报，双月刊

学科分类 物理学%电子、通信与自动控制技术

23全国考研报名多少人中科院半导体研究所2022年考研拟录取名单？2023年报考人数为9486人,比2022年的报考人数增加了3385人,增幅达35.7%。中国科学院,进入复试241人,最低分300,最高分407

中国光刻机历程

1964年中国科学院研制出65型接触式光刻机；1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩膜工艺；清华大学研制第四代分部式投影光刻机，并在1980年获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。而那时，光刻机巨头ASML还没诞生。

然而，中国在1980年代放弃电子工业，导致20年技术积累全部付诸东流。1994年武汉无线电元件三厂破产改制，卖副食品去了。

1965年中国科学院研制出65型接触式光刻机。

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺。

1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。

1977年，我国最早的光刻机GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。

1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。

1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机。

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。

但是很可惜，光刻机研发至此为止，中国开始大规模引进外资，有了＂造不如买”科技无国界的思想。光刻技术和产业化，停滞不前。放弃电子工业的自主攻关，诸如光刻机等科技计划被迫取消。

九十年代以来，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，这个技术非常关键，这直接导致ASML如此强势的关键。直到二十一世纪，中国才刚刚开始启动193纳米ArF光刻机项目，足足落后ASML20多年。

---