无锡微荷半导体技术有限公司怎么样？

无锡微荷半导体技术有限公司是2018-11-29在江苏省无锡市梁溪区注册成立的有限责任公司，注册地址位于无锡市新吴区金城大厦1-622。

无锡微荷半导体技术有限公司的统一社会信用代码/注册号是91320214MA1XJ6QF7U，企业法人钱爱芳，目前企业处于开业状态。

无锡微荷半导体技术有限公司的经营范围是：半导体、电子元器件的技术开发、技术咨询、技术服务 、技术转让；物联网设备、微电子设备、工业自动控制系统装置、电气机械及器材、电子产品、仪器仪表 、通讯设备（不含卫星广播电视地面接收设施及发射装置）、计算机软硬件的研发 、销售；电子工程 、计算机网络系统工程 、通信系统工程的施工；电子元器件的设计 、安装 、调试 、维护 。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。本省范围内，当前企业的注册资本属于一般。

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海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

这个公司的发展前途和待遇都是不错的，要说半导体肯定也有一定的污染，但肯定没有化工厂类的严重大，如果大学毕业的话可以去那里工作，但尽量不要当工人，毕竟本科毕业。

海力士介绍

海力士芯片生产商，Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。2022年8月，媒体报道，海力士计划在美国新建先进芯片封装厂，预计2023年第一季度破土动工。

简介：无锡新洁能功率半导体有限公司是一家专业从事大功率半导体器件与功率集成电路芯片设计的高新技术企业。坐落于无锡（滨湖）国家传感信息中心。目前专注于MOS半导体功率器件（沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT）以及射频（微波）RF-LDMOS器件的设计、生产、测试与质量考核、销售及服务。拥有自主知识产权和“新功率”、“NCEPower”品牌。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证系统，保证产品品质的一致性和稳定性。公司主要团队人员是由志同道合的业界精英融合而成。其中不乏有功底深厚的20多年来一直潜心于功率半导体领域，先后在国内著名企业、新家坡和德国等国外机构从事研发工作的海归“科技领军与创业人才”，也有一批有着近10年经验的年青功率半导体工艺和器件专家。研发团队曾首创两项中国第一：即最先设计并大规模商业化大功率Trench-MOSFET（用于各种电动车控制器、UPS、汽车电子等领域）；最先设计四块Masks并大规模商业化中、小功率Trench-MOSFET（广泛用于便携数码产品），并取得多项中国发明专利。NCE依托自身世界领先的设计技术并持续进步以及世界一流的芯片制造、封测技术的大力支持，以够硬的产品应用能力，虔诚的服务态度和迅速的执行力，竭诚为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用系统。无锡新洁能将以“诚信”对待、忠诚服务于一路相伴走来的所有客户和合作者，建立合作共赢的长期协作关系。无锡新洁能功率半导体有限公司（NCEPowerSemiconductor）是中国现代大功率半导体器件的领航设计与销售企业，专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售。目标成为客户全球最具价值的功率半导体器件与服务供应商。公司是中国第一家研发成功并上量销售大功率-超结-MOSFET（SJ-MOSFET）的设计公司，是江苏省重点支持的半导体大功率器件设计高新技术企业。公司紧密结合自身器件与工艺设计技术领先的优势，与国际一流的芯片代工厂、封装、测试代工厂保持密切配合与合作，严谨产品质量控制，保证产品的持续优质和稳定供货。公司产品的特点是：性能与可靠性超越同行，应用偏向高端。注重品牌和信誉。目前专注于超结大功率MOS器件（SuperJunctionMOSFET）、NPT-IGBT、沟槽型大功率MOS器件以及射频（微波）RF-LDMOS器件的研发设计、生产、测试、质量考核、销售与服务。公司立足于自主创新，拥有自主知识产权和致力于“新功率”“NCEPower”自主产品品牌，在全球已取得几十项发明专利。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证体系，确保产品品质的一致性和稳定性。公司技术特点是：精通器件的研发设计；精通8英寸最先进芯片制程工艺；精通器件电参数的稳定性控制；精通产品应用中的可靠性控制。主要团队是由一批国内、外功底深厚的顶级功率半导体实战专家以及年青功率半导体工艺和器件工程师组成。曾在2008年，首创世界第一性价比的20V-30V低压TrenchMOSFET并与同年中国首创并大生产大功率Trench-MOSFET系列产品，应用于电动自行车、电摩、汽车HID灯控制电路。公司技术核心人员被评为姑苏创新创业领军人才、苏州工业园区科技领军人才；现又再创辉煌，成功实现并成为中国第一家500V-650V-900V大功率超结MOSFET研发成功并量产销售的公司。公司注重团体力量和综合竞争力的建设；注重怎样为客户提高市场竞争力；注重公司系统的不断完善。虔诚的服务态度和迅速的执行力，竭诚为客户提供优质、创新、低成本的功率半导体产品和应用系统。公司以诚信对待、忠诚服务一路相伴走来的所有客户和合作者为理念，致力于建立合作共赢的长期协作关系。

法定代表人：朱袁正

成立时间：2009-12-10

注册资本：2000万人民币

工商注册号：320211000154088

企业类型：有限责任公司

公司地址：无锡市高浪东路999号研发大楼8楼

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