什么是半导体参数分析仪，或者叫半导体器件分析仪？

半导体参数分析仪（器件分析仪）是一种集多种测量和分析功能于一体的测试仪器，可准确执行电流-电压（IV）和电容测量（CV（电容-电压）、C - f（电容-频率）以及 C – t（电容-时间）测量），并快速、轻松地对测量结果进行分析，完成半导体参数测试。半导体参数测试是确定半导体器件特征及其制造过程的一项基础测量。在参数测试中，通常需要进行 IV 测量，包括分辨率低至 fA（毫微微安培）的小电流测量和高达 1 MHz 的CV 测量，并对主要特征/参数进行分析。虽然半导体参数分析仪的设计初衷是进行半导体评测，但因其优越的性能、强大的功能以及出色的易 *** 作性，现已在各种材料、器件和电子器件的 IV 和 CV 表征中得到广泛应用。

半导体参数分析仪可为表征任务提供更高的性能、更强的可用性以及更高的效率。参数分析仪集多种测量资源于一身，可轻松进行 IV 和 CV 测量，无需汇集或集成多种仪器，例如电源、电压表、电流表、LCR 表、开关矩阵等。参数分析仪的主要测量元器件是电源/测量单元（SMU）。SMU 是一种将电压/电流源功能和电压/电流表功能结合于单一模块中的测量模块。由于该参数分析仪将电源和测量电路紧密集成，所以相比使用多种独立仪器进行相同测量来说，可以提供更高的精度、分辨率以及更小的测量误差。

此外，参数分析仪还具有分析功能，使您无需借助外部 PC 便可快速地交互检查和分析显示屏上的测量结果。由于半导体参数分析仪具有多种功能，因此适用于从探索分析到自动测试的各种测量环境。

测量半导体参数、分析工艺特征。cv测试，电极要先进行活化，活化是在低扫描速度下进行，这是为了测量半导体参数、分析工艺特征时更加准确。电容电压（CV）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。

1、CV一般用于表征电池充放电过程中发生反应的种类和相应的反应电位，与充放电曲线连起来分析可用于反应机理的研究。2、充放电曲线分正扫和负扫，表示电位逐渐升高和降低，电位为正对应氧化反应，不同电极分析的话不定充电放电过程，具体问题具体分析3、扫速越小越灵敏但扫一个周期时间也越长，扫速越大虽然时间少但会导致峰被遮盖4、峰值电流ip正比于扫速的0.5次方——扩散控制5、相变能，晶型变化都能反应一般也就能用到这些，关键是与你做的材料之间有怎样的关联和你如何解释现象

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