怎么半导体中测量电子的有效质量？

用FN振荡电流的极值，测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法。利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.我有这方面的一个资料。有效质量并不代表真正的质量，而是代表能带中电子受外力时，外力与加速度的一个比例系数（在准经典近似中，晶体电子在外力F*作用下具有加速度a*，所以参照牛顿第二定律定义的m*=F*/a*称作惯性质量）。

用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.我有这方面的一个资料。

有效质量 当然是回旋共振

费米面, 只知道能态密度可以由x射线发射谱测 猜测峰值应该就是费米面位置

晶格振动谱,常常用中子非d性散射,

能考说明书上就有~慢慢找吧 我学的书上也不是全都讲了 费米面那个不好说

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