半导体是谁发明的?

法拉第发现的，不是发明。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特性。

扩展资料：

半导体的应用：

最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

参考资料来源：参考资料来源——半导体

1956年，美国材料科学专家富勒和赖斯发明了半导体生产的扩散工艺，这样就为发明集成电路提供了工艺技术基础。

1958年9月，美国德州仪器公司的青年工程师杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，基于锗材料制作了一个叫做相移振荡器的简易集成电路，并于1959年2月申请了小型化的电子电路（Miniaturized Electronic Circuit）专利（专利号为No.31838743，批准时间为1964年6月26日），这就是世界上第一块锗集成电路。

1959年7月，美国仙童半导体公司的诺伊斯，研究出一种利用二氧化硅屏蔽的扩散技术和PN结隔离技术，基于硅平面工艺发明了世界上第一块硅集成电路，并申请了基于硅平面工艺的集成电路发明专利（专利号为No.2981877，批准时间为1961年4月26日。虽然诺伊斯申请专利在基尔比之后，但批准在前）。

基尔比和诺伊斯几乎在同一时间分别发明了集成电路，两人均被认为是集成电路的发明者，而诺伊斯发明的硅集成电路更适于商业化生产，使集成电路从此进入商业规模化生产阶段。

集成电路的发明开拓了电子器件微型化的新纪元，引领人们走进信息社会。它的诞生使微处理器的出现成为了可能，也使计算机走进人们生产、生活的各个领域，成为人们工作、学习、娱乐不可或缺的工具，而在计算机诞生之初，它却是个只能存在于实验室的庞然大物。

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

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