在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于？

在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全电离时，多数截流子浓度≈掺杂浓度，并且基本上与温度无关。

而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全电离时,多数截流子浓度≈掺杂浓度,并且基本上与温度无关.

而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）.

网上查到的，有一个说选C的，剩下看到的都选的B.

B:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度主要取决于温度.

还查到一段（没看太懂）：你说的高低掺杂应当是简并与非简并的问题,在非简并情况下,即低掺杂下,分布函数可以简化为玻尔兹曼分布,此时多子浓度随温度的变化主要分三个区域,低温弱电离区,常温全电离区和高温本征激发区,第一个区域多子浓度随温度的升高而增大,主要是由于杂质随温度的升高开始电离,常温下杂质全电离,此时多子浓度随温度的升高不再剧烈变化,到高温时,半导体内的本征电离产生的本征载流子浓度已经超过了杂质电离浓度,此时半导体的多子浓度又会急剧增大.

简并态（高掺杂）下半导体杂质无法全电离,高掺杂实际上是费米能级很接近甚至进入导带或价带中,此时杂质能级与导带和价带中的能级发生简并,其结果就是导致禁带宽度变小,此时多子浓度随温度的变化与本征半导体类似,随温度的升高而增大.

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