半导体随温度电阻率逐渐变小，为什么

半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。

温度上升时，半导体电子热运动活动剧烈，能量增加，由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低（半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的），所以半导体带隙降低，Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T)，所以Eg越低导致ni^2 越高，由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下，电流变大，反映出的是电阻率变低。

https://zhidao.baidu.com/question/1987779684801752987

我在这里也有较为详细的解释，敬请参考。

谢谢！

上面的说的不完整，补充如下：

对于本征半导体，本征激发起决定性因素，所以T升高，电阻下降；

对于杂质半导体，在温度很低时，本征电离可忽略，T升高，杂质电离的载流子越来越多，电阻下降

进入室温区，杂质已经全部电离，而本征激发还不重要，T升高，晶格震动散射加剧，电阻升高。

高温区，本征激发起主要作用，T升高，本征激发明显，电阻下降。

总的趋势是先降再升最后降

zxz026说的对，现在不搞材料，大学里好多东西都忘了。

以半导体热敏电阻为例，负温度系数的热敏电阻原理基本上就是上面说的。

还有一种正温度系数的热敏电阻，主要是钛酸钡陶瓷，120度（居里温度）之后，电阻随温度升高急剧升高，机理比较复杂，你可以看看半导体陶瓷材料方面的书。

以实际应用的掺杂单晶硅为例： 1-较低温度时，温度升高，电阻率下降。这时载流子的增加以杂质的激发为主； 2-温度再升高，杂质的激发完毕，本征激发不明显。这时晶格的热振动使载流子的散射加剧，电阻率随温升而上升； 3-温度再升高，本征激发为主，载流子增加。这时电阻率随温升而下降； 4-温度再升高，晶格的热振动散射使载流子迁移率的下降效果，超过载流子的增加效果。这时电阻率随温升而上升。 正常使用半导体器件，不应该使温度上升到“3-本征激发”的阶段。

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