在半导体中导通电压与开启电压有啥区别

在半导体中导通电压与开启电压有啥区别:（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。（3）晶体管从刚开始导通到全部导通之间还有一个工作三角处，模拟电路就是晶体工作在这一三角区域，晶体管要跨过三角工作处才是全导通。（4）施加基极电压使晶体管跃过模拟特性三角处，使晶体管全部导通的基极电压，叫做导通电压。

正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。

普通硅二极管大概是0.5~0.7V。

硅整流管大概是1~1.2V。

肖特基二极管大概是0.3V~1V。

1.导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。

2.一般以额定正向工作电流值作为基本参数。

3.额定正向工作电流，是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。

开启电压，一般称为导通电压。半导体器件导通时，要求PN结上必须施加正向电压（P正N负）值，这是因为PN结内部由于载流子的扩散和复合，PN结在P型半导体侧只有被束缚的负电荷，在N型半导体侧只有被束缚的正电荷，形成了一个空间电荷区，自然构成一个由N指向P的内建电场。该电场强度与本征载流子浓度成相反函数关系，锗材料由于原子半径大，束缚外围电子能力差，因而本征载流子浓度大于硅材料，导致内建电场强度小于硅。

若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。这就是硅管开启电压大的原因了。

---