武夷芯视界二期用地

报道称，五夷·芯视界半导体产业园项目计划总用地面积1090亩，计划投资460亿元，主要建设半导体研发、生产、销售于一体的产业**区，其相关产品适用于无人机、无人驾驶汽车、手机、照相机等领域。

据了解，湖南五夷·芯视界半导体产业园为五夷·芯视堺生态科技新城项目**组成部分之一。2018年12月15日，怀化**与湖南五夷实业投资有限公司、湖南南粤基金管理有限公司就共同推进五夷·芯视堺生态科技新城项目建设签约。

雷绍业表示，五夷芯视界半导体产业园是一项聚焦半导体产业和芯片生产领域、推动解决一批“卡脖子”**关键技术、促进军民融合产业发展的大项目、好项目，产业园建成后将***相关配套产业链，形成物流、人流、信息流汇聚的产业集群。

市委副书记、**雷绍业深入怀化高新区，调度五夷芯视界半导体产业园项目建设。他强调，该项目对推动我市当前及今后经济高质量发展、**我市科技创新都具有重大的影响力和支撑力，全市上下要统一思想、全力支持、通力合作，推进项目建设顺利进行。副**邓小建，**秘书长杨宏高参加。

雷绍业首先来到五夷芯视界半导体产业园电子厂房(一期)项目施工现场，详细了解施工进度、作业环境、遇到的具体问题等情况。当了解到项目正在开展桩基施工后，雷绍业指出，在市直有关部门的大力支持和业主单位的奋力拼搏下，项目各项工作顺利推进，值得肯定。希望大家再接再厉，一如既往地给予项目建设全力支持。

在随后召开的调度会上，雷绍业强调，怀化当前正处于爬坡过坎的关键时期，要实现高质量发展就必须要进一步增强紧迫感和危机感，扛起责任、主动担当、积极作为。五夷芯视界半导体产业园项目投资规模大、科技含量高，对推动我市当前及今后经济高质量发展和**科技创新都具有重大的影响力和支撑力，全市上下要统一思想、全力支持、通力合作，加快推进项目建设顺利进行。相关部门要主动服务，不断提高服务质量、服务能力、服务水平，在依法依规的前提下，想方设法帮助企业解决具体困难要按照问题清单、工作清单、时间清单各负其责，抓好落实要落实好市里招商引资的政策，树立**诚信。施工方要按照工程标准规范施工，在确保安全和质量的前提下尽可能地加快施工进度要充分发挥工程监理的监督作用，保障用材质量和施工质量，推动项目建设成为安全示范工程、质量示范工程和科技**工程。

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好。

1、铜陵碁明半导体有限公司，工作环境好，有空调等基本设施，同事之间融洽，领导和睦。

2、福利待遇好，员工工资在8000元，每个节假日都有单独的礼品，每月的饭补为300元，还有旅游卡，待遇丰厚。

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)三安光电(600703)士兰微(600460)闻泰科技(600745)新洁能(605111)露笑科技(002617)斯达半导(603290)等。

定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年以来，在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2021年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元，较2020年增长20.4%。

其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元，同比增长29.6%。GaN微波射频产值达到69亿元，同比增长13.5%，较前两年稍有放缓。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。

2021年，第三代半导体产能建设项目如火如荼开展，据CASA不完全统计，2021年大陆地区SiC衬底环节新增投产项目7项，披露新增投产年产能超过57万片。三安半导体、国宏中能、同光科技、中科钢研、合肥露笑科技等企业相继宣布进入投产阶段。此外，微芯长江、南砂晶圆、泽华电子三家宣布SiC项目工程封顶。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品以来进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模超70亿元

2017-2021年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长。2021年我国SiC、GaN电力电子器件应用市场规模达到71.1亿元，同比增长51.9%，第三代半导体在电力电子领域渗透率超过2.3%，较2020年提高了0.7个百分点。

目前，GaN电力电子器件主要应用在快充领域。SiC电力电子器件重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车领域的渗透快于整车市场，占比达57%PD快充占9%PV光伏占了7%。

2021年，我国GaN微波射频器件市场规模约为73.3亿元，同比增长11%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，2021年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。

更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

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