武汉半导体实验室有哪些

武汉半导体实验室主要设有：

1、微电子器件实验室：以研究量子点、纳米结构、复合材料等新型半导体器件为主；

2、微电子器件物理实验室：以研究微电子器件的物理特性、发光特性、性能特性等为主；

3、半导体材料实验室：以研究半导体材料的光学性质、电学性质、热学性质、机械性质等特性为主；

4、信号处理实验室：以研究半导体信号处理技术、信号处理系统设计、非线性信号处理等技术为主；

5、微机电系统实验室：以研究微机电系统设计、微机电系统技术、微机电系统性能等技术为主；

6、特种半导体实验室：以研究特种半导体技术、特种半导体性能改善等技术为主；

7、系统设计实验室：以研究微电子系统设计、数字系统设计、系统结构设计等技术为主。

实验室从20世纪90年代开始宽禁带半导体科学研究和人才培养，已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，2008年实验室成为中国国防科技创新团队。

实验室重视研究成果与应用的结合，多项研究成果已经用于国家和国防重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用；微波功率器件已经开始用于国家重点工程；GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术，产生着辐射和带动作用；自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化；微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用。 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体是继硅和砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、大功率、抗辐射微波毫米波器件和短波长光电半导体器件。宽禁带半导体是新一代雷达、通信、电子对抗系统最关键的半导体器件，也是新一代半导体照明关键的器件。

实验室主要研究方向包括：GaN和SiC宽禁带半导体微波毫米波器件；GaN半导体光电子器件与半导体照明技术；宽禁带半导体材料生长核心设备研究；宽禁带半导体材料和器件新机理、新结构与新技术；微纳米半导体器件可靠性与SoC设计。 “极大规模集成电路制造装备与成套工艺”重大科技专项

国家（国防）重大基础研究（973）项目

国家自然科学基金重点和面上项目

国家863计划高技术项目

国防科技预先研究项目

军用电子元器件型谱项目

中俄航天领域科技合作项目

国家电子发展基金和陕西省电子发展基金

半导体行业中可靠性测试在SGS深圳半导体及可靠性测试实验室测。2021年12月9日，国际公认的测试、检验和认证机构SGS在深圳举行了半导体及可靠性测试实验室升级开业典礼，升级后，实验室服务领域向汽车电子产品领域延伸。SGS中国区总裁郝金玉博士向记者表示，汽车级芯片技术壁垒远高于工业和消费级，SGS将在功能安全、体系认证、器件可靠性验证等方面助力中国芯片安全“上车”。

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