半导体少子漂移和多子扩散 这两种状态的区别是什么？

先进行多子扩散，在中间形成空间电荷区，使得空间电荷区加宽，内电场增强，从而阻止扩散运动的进行；接下来，少子在内电场作用下，发生漂移运动，又使得空间电荷区缩短。但是在最后，多子和少子的数目达到动态的平衡，也就形成了PN结。

载流子是承载电流的粒子，可以是电子也可以是Electron hole。1、漂移电流的理解：在一个PN结二极管中，电子和Electron hole分别是P区和N区的少数载流子。由于载流子的扩散形成的从P到N区的扩散电流，恰好能与等量相反的漂移电流平衡。在一个偏置的PN结中，漂移电流与偏置无关，这是因为少数载流子的数量与偏置电压无关。但由于少数载流子可以通过升温产生，漂移电流是和温度有关的。2、扩散电流平衡的理解：pn结中多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动，扩散运动产生扩散电流。与之相对的有漂移运动，少子向对方漂移,称漂移运动 漂移运动产生漂移电流。从N区漂移到P区的Electron hole补充了原来交界面上P区所失去的Electron hole，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。

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