半导体单晶热处理的温度要求和目的

①热处理温度要求：650±5℃；

②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；

1、热处理后电阻率会有什么变化

由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低会产生氧沉淀。一般而言，氧浓度越高，氧沉淀越易成核生长，形成的氧沉淀也就越多。反之，氧沉淀就越少。尤其是当氧浓度小于一定值时（＜5×1017个/厘米3），几乎就观察不到氧沉淀的形成。

2、热处理的几个温度区间概念：

热施主：350-550℃，代表温度450℃.

450℃热处理后（或同等效果，如单晶在炉子里的冷却），可观察到N型样品的电阻率下降而P型样品的电阻率增高，有如引入一定数量的施主现象一样。这是由于在此温度下，溶解的氧原子迅速形成络合物（SiO4）所引起的热生施主，其电阻率与硅中氧含量的四次方成反比。

新施主：550-800℃，代表温度650℃.

650℃热处理，在迅速冷却的条件下（即迅速跨过450℃），可消除热生施主。即我们可观察到N型样品电阻率恢复高；P型样品电阻率恢复低。

沉淀：800-1200℃，代表温度1050℃

1050℃热处理，会带来氧沉淀，且因沉淀诱生层错等缺陷。

还原：＞1200℃

＞1200℃热处理，氧恢复到间隙态。

半导体铬金的合金温度是1860℃。根据查询相关公开信息，以铬为基加入其他元素组成的合金，属难熔合金。与金属镍相比，金属铬熔点高(1860℃)，比强度大（强度和密度之比），具有良好的抗氧化性能和抗高硫、柴油燃料、海水腐蚀性能。20世纪50年代中期开始了铬合金高温材料的研究。由于铬合金的塑性－脆性转变温度高于室温，特别高温下暴露在空气中，因氮的渗入，使合金塑性变坏，冲击韧性也不能达到要求，使铬合金在用作高于镍基高温合金使用温度的喷气发动机的涡轮叶片和导向叶片方面未能得到发展和应用。

等离子弧的产生与特点

通常把电弧密度为自然条件下的电弧密度（未经压缩）的电弧称为自由弧；自由弧的导电气体设有完全电离,电弧的温度在6000℃到8000℃之间.而在气压、电压和磁场的作用下,柱状的自由弧（柱截面积正比于功率）可以压缩成等离子弧,等离子弧的导电截面小能量集中.弧柱中气体几乎可全部达到离子状态.电弧温度可高达15000℃-30000℃.能使金属等物体迅速熔化.

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