p型半导体中多数载流子是？

P型半导体中的多数载流子是空穴。

P型半导体，即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

如果半导体中电子浓度大时，电子就是多数载流电子，空穴就是少数载流电子。相反，如果该半导体中空穴浓度大时，空穴就是多数载流电子，电子就是少数载流电子。

扩展资料

半导体里，当参杂B进入Si内，此时B会以B+e⁻=B⁻和Si形成稳定共价键，即每个B会接受一个电子，使自己周围价电子变成4个，才能和周围的4个Si形成稳定共价键，故每加入1个B原子将产生一个空穴。

空穴并不是真实存在的，只是对大量电子运动的一种等效，空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动，这从空穴的定义和特性就可以知道。

多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子，如图所示。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。

多子---在N型半导体中，将自由电子称为多数载流子，简称多子；

少子---在N型半导体中，空穴称为少数载梳子，简称少子。

施主杂质---将五价元素称为施主杂质，它是受晶格束缚的正离子。

在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）是施主杂质，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相临的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。

1:P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.

2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子

P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子

3:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子.N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子.

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