求TIP41.TIP42三极管参数。

TIP41参数：

TIP42参数：

扩展资料：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

产品参数：

特征频率：当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。

fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率．

电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。

hFE：电流放大倍数。

VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。

PCM：最大允许耗散功率。

封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

三极管，全称应为半导体三极管，是一种控制电流的半导体器件，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

PNP三极管是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。

NPN三极管是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射极,而集电区与基区形成的PN结称为集电极,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

三极管TIP41和TIP41C都属于NPN型三极管，引脚是BCE，采用TO-220封装，其主要区别在于集电极发射极反向击穿电压VCEO不同。

三极管TIP41和TIP41C的区别：

三极管TIP41，集电极发射极反向击穿电压VCEO=40V，最大电流I=6A，最大允许耗散功率PCM=65W，电流放大倍数hFE=30~75。

三极管TIP41C，集电极发射极反向击穿电压VCEO=100V，最大电流I=6A，最大允许耗散功率PCM=65W，电流放大倍数hFE=30~75。