半导体litho和etch区别

半导体litho和etch区别,第1张

区别在于工艺研发不同。

etch意思是干法刻蚀,lithography,litho,photo都指光刻。etch只负责etch工艺研发,litho只负责litho工艺研发。工艺部门最好的是litho第二是etch。

一般半导体研发中litho在前,etch在后。litho曝光完成对图案的传递后,再利用etch蚀刻技术把图案转移到光刻胶下面的film中。

PR 是FAB工艺中曝光使用的光刻胶简称全称是Photoresist,其实在半导体行业都是需要光刻的,PR是光刻胶的统称 有很多种,成分也不一样,性质也各有区别,分为正向光刻胶 负向光刻胶


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/7501535.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-06
下一篇 2023-04-06

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存