砷化镓的电导率、相对介电常数、相对磁导率是多少

电导率σ=2Ω -1 CM -1，相对介电常数=介质的介电常数/真空介电常数，相对磁导率=介质磁导率/真空磁导率。

砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构，即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格，其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV，是直接带隙半导体，熔点1238℃，质量密度5.307g/cm3，电容率13.18。

扩展资料：

注意事项：

1、与众多硅电路相同，砷化镓芯片也是静电敏感器件，应该接地 *** 作。

2、砷化镓不应有高温工艺。因为芯片温度不能超过320℃，所以焊接放置芯片和封盖 *** 作时应特别注意。

3、砷化镓包含砷元素，是作为有毒材料对待的。报废产品应该放置于合适的容器中（第十五节）。 第十四节包含对在封装件内部的芯片底部接触放置的指引。

参考资料来源：百度百科-砷化镓

参考资料来源：百度百科-电导率

参考资料来源：百度百科-相对介电常数

参考资料来源：百度百科-相对磁导率

砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，禁带宽度1.4电子伏。

砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

(1)1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 3 或[Ar]3d 10 4s 2 4p 3 (2)4 (3)BCDE (4)三角锥形；sp 2 (5)NH 3 分子间能形成氢键，而AsH 3 分子间不能形成氢键

---