半导体工艺中的“自隔离”技术是什么意思

譬如在一块Si片上，同时制作两个n-MOSFET，由于MOSFET本身结构的特点，毋需专门的隔离，那么这两个n-MOSFET就具有“自隔离”性能。即是说，各个晶体管的电流在各自的沟道内流通，互相并不相干。

材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。

1.对于集成电路来讲，最底下的一层叫衬底（一般为P型半导体），是参与集成电路工作的。拿cmos工艺来讲，N沟道mos的p型衬底都是连在一起的，都是同一个衬底。一般的电路中的绝缘体，只是一个载体，它起到支撑和绝缘的作用。

2.集成电路是一些电子元器件加连线构成，没有绝缘体充当绝缘和支撑。它通过加反偏和其他的技术来实现隔离（如器件二极管、三极管、场效应管）。

3.材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。做芯片可能是应为半导体一般是4价材质的原因吧，参杂后可得P型半导体与N型半导体，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联之前，两个有源区没有差别。另外，业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区了。

减少硅料消耗

对于以硅片为基底的光伏电池来说，晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。

---