IV分析仪是什么？在MULTISIM的仪器仪表栏中的。求其用途

IV分析仪，又称为伏安特性分析仪，主要用于测试半导体器件伏安特性曲线，比如二极管、NPN管等，是以Windows为基础的仿真工具Multisim的测试仪器。

整个 *** 作界面就像一个电子实验工作台，绘制电路所需的元器件和仿真所需的测试仪器均可直接拖放到屏幕上，轻点鼠标可用导线将它们连接起来，软件仪器的控制面板和 *** 作方式都与实物相似，测量数据、波形和特性曲线如同在真实仪器上看到的。

其图标上有三个连接端口，选择器件类型（比如二极管或三极管）之后，面板的连接端口会有相应的连接提示，按提示连接即可。

IV分析仪主要用途：可以观察晶体管高电压、大电流特性，也可以了解晶体管低电压、小电流特性或者其他局部细节。

扩展资料：

IV特性曲线：

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。

电源伏安特性曲线图线面积的意义：

在电源的伏安特性曲线上取一点，则该点的横坐标表示干路中的电流，纵坐标表示电源的路端电压；由该点分别向两坐标轴作垂线，则此垂线与两坐标轴所围的面积表示电源的输出功率。

电源伏安特性曲线与电阻伏安特性曲线交点的意义：

对于某一定值电阻R，其电压与电流成正比，即U=IR，在U-I直角坐标系中，其伏安特性曲线为一条过原点的直线，此直线与电源伏安特性曲线的交点表示了闭合电路的工作状态。

参考资料来源：百度百科-multisim

参考资料来源：百度百科-伏安特性曲线

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。

结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。