霍尔效应实验步骤

1、接通电源，打开电脑。

2、调整仪器，放置准备好的样品。

3、抽真空。

4、设置参数。

5、加液氮至所需温度条件。

6、测量，读取结果，保存。

7、断开电源，关闭电脑。

8、待样品冷却至常温在大气压下取样。

霍尔效应实验是指为了解霍尔效应测量磁场原理而进行的实验。

目的与要求：

1． 了解霍尔效应测量磁场的原理和方法；

2． 观察磁电效应现象；

3． 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。

仪器与装置：霍尔效应实验仪

霍尔效应

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转所产生的。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。如图5.1-1所示的半导体试样，若在方向通以电流，在方向（垂直纸面向外）加磁场，则在方向即试样、电极两侧就开始积累异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。

一种。霍尔效应。

确定半导体导电类型的实验方法就是霍尔效应测量了。再就是理论推导，根据元素类型，进行计算。

在磁场中，通电导体会出现横向电压的现象，多子为电子的n型和多子为空穴的p型半导体，由于载流子的正负属性不同，会使横向电压方向不同，从而可以测出类型。

扩展资料：

在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集，此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

参考资料来源：百度百科-霍尔效应

实验中没有电流表测量霍尔电流可以通过伏安法。霍尔效应是指将一半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。

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