然而如果电源电压为3v时,根据曲线二极管两端电压降最多1v,那么固定电阻两端电压2v,电流I=2mA。当然通过二极管电流也为2mA。(如果按照0.75v/1.5mA=欧姆,根据电阻分压,二极管两端电压已经为1v,故在3v电源下实际二极管电压降已经饱和(专业术语忘了),所以应按1v算。)
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三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。
在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大:当基极电压UB升高时,IB变大,IC也变大,IC 在集电极电阻RC的压降也越大,所以三极管集电极电压UC会降低,且UB越高,UC就越低,ΔUC=ΔUB。仅供参考,请参考有关书籍。
三极管的作用
半导体三极管亦称双极型晶体管,其种类非常多。按照结构工艺分类,有PNP和NPN型;按照制造材料分类,有锗管和硅管;按照工作频率分类,有低频管和高频管;一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中,高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类,有小功率管和大功率管;一般小功率管的额定功耗在1W以下,而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的半导体三极管外型见图2.5.1。
图2.5.1 半导体三极管外形图
共射电流放大系数β。β值一般在20~200,它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。
反向击穿电压值U(BR)CEO。指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值,一般为几十伏,高压大功率管可达千伏以上。
最大集电极电流ICM。指由于三极管集电极电流IC过大使β值下降到规定允许值时的电流(一般指β值下降到2/3正常值时的IC值)。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏,但管子的性能将变差。
最大管耗PCM。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工作中三极管的IC与UCE的乘积要小于PCM值,反之则可能烧坏管子。
穿透电流ICEO。指在三极管基极电流IB=0时,流过集电极的电流IC。它表明基极对集电极电流失控的程度。小功率硅管的ICEO约为0.1�8�6A,锗管的值要比它大1000倍,大功率硅管的ICEO约为mA数量级。
特征频率fT。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。 fT的典型值约在100~1000MHz之间,实际工作频率
48IC笔划引脚与LED对应连接即可,48里面的上拉电阻是2k的因此LED可能亮度会低些,这时可以在各引脚外接一个上拉电阻,注意阻值不要过大,因为48电路是分流控制模式,LED不亮的字段是因为48相应引脚的内部三极管饱和为低。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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