晶体缺陷状态是否影响光电探测器的性能?

【晶体缺陷对材料性能的影响】晶体缺陷的存在对材料的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性，起到有益的作用；而位错等缺陷的存在，会使材料易于断裂，比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度，降低至几十分之一。【晶体缺陷】在理想完整的晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。分为：点缺陷、线缺陷（位错）、面缺陷、体缺陷四种。其中点缺陷包括空位、间隙原子、置换原子。线缺陷包括刃型位错、螺型位错。面缺陷包括晶体的表面、晶界、亚晶界、相界。他们对力学性能地 影响：使得金属塑性、硬度以及抗拉压力显著降低等等。【晶体缺陷对材料性能的影响】晶体缺陷的存在对材料的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性，起到有益的作用；而位错等缺陷的存在，会使材料易于断裂，比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度，降低至几十分之一。【晶体缺陷】在理想完整的晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。分为：点缺陷、线缺陷（位错）、面缺陷、体缺陷四种。其中点缺陷包括空位、间隙原子、置换原子。线缺陷包括刃型位错、螺型位错。面缺陷包括晶体的表面、晶界、亚晶界、相界。他们对力学性能地 影响：使得金属塑性、硬度以及抗拉压力显著降低等等。

发光是物体内部以某种方式储存的能量转化为光辐射的过程。发光物体的光辐射是材料中受激发的电子跃迁到基态时产生的。半导体（主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素构成的化合物半导体）发光二极管属于电流激发的电致发光器件。

吸收谱可以通过吸收边大致判断带宽，也可以建立ahv和hv为坐标的曲线，具体还要考虑是直接带隙半导体还是间接带隙半导体，有两个公式。发光谱？你是说photoluminescence吧？就看发光峰对应的能量啊，比如500nm的峰就对应1240/500=2.48ev的光子，如果这个能量和带隙宽度差不多就是本征发光，如果低于带隙宽度的能量就是缺陷发光。

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