硒化锡层间距

0.13nm。球差校正电镜可以进一步观察到二硒化锡的晶格间距为0.13nm。在拉曼光谱中，A1g带与Eg带的相差很大，这表明了二硒化锡的结晶度很好。硒化锡是一种重要的P型半导体化合物，在室温下块体材料的直接帯隙为1.3eV,间接带隙为0.9eV。

在半导体和绝缘体， 电子 被限制对一定数量 带 能量和禁止其他地区。 期限“带隙”提到上面的能量区别之间 化学价带 并且底部 传导带电子能从一条带跳跃到另一个。传导性 纯半导体 依靠强烈带隙。 唯一的可利用的载体为传导是有横跨带隙将被激发的足够的热能的电子。带隙工程学是控制或修改材料的带隙的过程通过控制某一半导体的构成 合金例如GaAlAs、InGaAs和InAlAs。 靠技术修建层状材料与交替的构成象也是可能的 分子束外延. 这些方法在设计被利用 异质结双极晶体管 (HBTs)， laser二极管 并且 太阳能电池.半导体和绝缘体之间的分别是大会事情。 一种方法将认为半导体作为绝缘体的类型以低带隙。 绝缘体以更高的带隙，通常大于3 eV，没有被认为半导体和不在实用情况下一般显示semiconductive行为。 电子迁移率 在确定材料的不拘形式的分类也扮演一个角色。带隙取决于温度由于 热扩散. 带隙也取决于压力。 带隙可以是二者之一 直接 或 间接bandgaps根据 带状组织.材料 标志 带隙(eV) @ 300K 硅 Si 1.11 [1] 锗 Ge 0.67 [1] 碳化硅 SiC 2.86 [1] 铝磷化物 阿尔卑斯 2.45 [1] 铝砷化物 呀 2.16 [1] 铝锑化物 AlSb 1.6 [1] 铝氮化物 AlN 6.3 金刚石 C 5.5 镓(III)磷化物 空白 2.26 [1] 镓(III)砷化物 GaAs 1.43 [1] 镓(III)氮化物 GaN 3.4 [1] 镓(II)硫化物 气体 2.5 (@ 295 K) 镓锑化物 GaSb 0.7 [1] 铟(III)磷化物 InP 1.35 [1] 铟(III)砷化物 InAs 0.36 [1] 锌硫化物 ZnS 3.6 [1] 锌硒化物 ZnSe 2.7 [1] 锌碲化物 ZnTe 2.25 [1] 硫化镉 CdS 2.42 [1] 镉硒化物 CdSe 1.73 [1] 碲化镉 CdTe 1.49 [2] 主角(II)硫化物 PbS 0.37 [1] 主角(II)硒化物 PbSe 0.27 [1] 主角(II)碲化物 PbTe 0.29 [1]

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