在半导体中，电了导电和空穴导电有什么区别？空穴电流是不是由自由电子递补空穴所形成的

一、电子导电和空穴导电的区别：

1、形成的原因不同：

在外电场中，P型半导体中的电子会逆电场方向依次填补空穴，同时空穴也就沿电场方向移动。空穴就可以被认为是带正电的粒子，以它的运动取代电子的运行来解释P型半导体中电流的形成。电子导电由于自由电子的定向移动而导电的现象。

2、机理不同：

空穴处由于有净余的正电荷，因此会吸引周围其他的电子过来，这样电子在半导体中运动就容易多了，可以发现，空穴导电看似是净余正电荷吸引其他电子而将正电荷转移，其实事实上仍是电子导电，移动的空穴只是正电荷等效。

二、空穴电流不是由自由电子递补空穴所形成的，而是价带中的电子在空穴中的转移形成的。

晶体中原子外层空穴不是恒定不变的，可以被其他的价电子填补，也就是还处在价带中的那些电子可以在各个坑之间跳槽。价带中的电子和自由电子有很多不同，并不是自由流动的，只能在各坑之间转移。

扩展资料：

电子导电的相关特点：

1、电子或空穴的迁移率比离子大得多，因此材料中即使有少量的电子或空穴存在时，其对电导的贡献不能忽略，并取决于这类载流子的浓度。相对于不同的载流子浓度，陶瓷材料电子导电行为可以相差很大，从接近于金属到接近于绝缘体。

2、电子导电的特征是具有Hall效应，即当电流流过试样时，如在垂直于电流方向上施加一个磁场，则会在垂直于电流和磁场的平面上产生一个电场。如果材料中存在自由电子或空穴，它们在电场作用下会产生定向移动。

3、由于离子的质量比电子大得多，因而在磁场的作用下离子不会产生横向移动。因此，利用Hall效应可以区分陶瓷材料是离子导电还是电子（空穴）导电。

参考资料来源：百度百科-空穴导电

参考资料来源：百度百科-电子导电

1、首先本征半导体的空穴浓度和电子浓度是相等的；在符合条件（1）和其他有源器件和无源器件构成回路和条件（2）电子激发下,激发的电子成为载流子,在电路中移动,注意本征半导体中的空穴并不能移动.该激发的电子形成了回路的电路.宏观上,热激发和“电子和空穴的复合”在同时进行,达到“动态平衡”,但一定会有“成为载流子”的电子在回路中移动.2、对于P型半导体来说,其本身还是呈“中性的”,只是“可与电子配对的自由空穴”较多,在外电场的作用下,会动态的“拉外部电子”,当拉到一定数量的电子,内部的电场会迫使该“P型半导体”不再多拉电子,达到动态平衡.另外硅的共价键是不很稳定,所以它常用来做半导体.P型半导体是有掺杂叁价元素的,硅原子少了一个电子,这个电子转移到了三价元素的空穴上,这说明的是空穴的移动.

1、首先本征半导体的空穴浓度和电子浓度是相等的；在符合条件（1）和其他有源器件和无源器件构成回路和条件（2）电子激发下，激发的电子成为载流子，在电路中移动，注意本征半导体中的空穴并不能移动。该激发的电子形成了回路的电路。宏观上，热激发和“电子和空穴的复合”在同时进行，达到“动态平衡”，但一定会有“成为载流子”的电子在回路中移动。

2、对于P型半导体来说，其本身还是呈“中性的”，只是“可与电子配对的自由空穴”较多，在外电场的作用下，会动态的“拉外部电子”，当拉到一定数量的电子，内部的电场会迫使该“P型半导体”不再多拉电子，达到动态平衡。另外硅的共价键是不很稳定，所以它常用来做半导体。P型半导体是有掺杂叁价元素的，硅原子少了一个电子，这个电子转移到了三价元素的空穴上，这说明的是空穴的移动。

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