市场为什么不看好赛微电子

主要原因在于赛微电子股票一直下跌。而下跌的根源就是瑞典ISP审核迟迟悬而未决，间接影响北京MEMS一期量产。审核结果不出来或者通不过，股价将继续向下寻求支撑。因此，赛微电子股票可赌性极强，但是风险非常大，市场不看好。

拓展资料：

一、北京赛微电子股份有限公司

1、北京赛微电子股份有限公司于2008年05月15日成立。法定代表人杨云春，北京赛微电子股份有限公司长期从事惯性导航产品、卫星导航产品的研发、生产与销售，报告期内，公司主营业务未发生变化且持续增长。经过多年发展，公司已具备惯性导航产品的自主研发生产能力，同时也是国内高精度GNSS板卡的供应商。公司产品包括惯性导航产品、卫星导航产品两大类。公司是我国导航定位领域的国家级高新技术企业。

2、公司经营范围包括：微电子器件、半导体器件、集成电路及配套产品的技术开发、技术服务、软件开发、技术咨询；产品设计；集成电路设计；制造电子计算机软硬件；销售微电子器件、半导体器件、通讯设备及其系统软件、计算机软件、电子计算机及其辅助设备、电子元器件；货物进出口，技术进出口，代理进出口等。

二、购买股票四大注意事项

1、投资者要选择有代表性的热门股票。所谓热门股票，是指交易量大、流动性强、价格变动幅度大的股票。这是为了便于出售和转让，而且能够使投资者获取更多的收益。

2、选择前景光明，股息丰厚公司的股票。这些股票将会随时间推移不断增值，投资者也能够因此赢取较多的盈利。

3、切勿过分贪图收益。投资者在进行投资的时候切不可认为股票会—涨再涨，否则一旦股价下跌，造成的经济损失就无法挽回。财库股票网提醒投资者切勿过贪，期望在最高点将所持股票卖出，股市瞬息万变，现在还在迅猛上涨，下一秒可能立刻就跌入谷底，所以投资者应该看清楚走势，适时卖出。

4、要注意季节因素的影响。有些股票有时冷有时热，从时间上看呈季节性有规律的变动，抓住这个特点，必然会从中获利。

1、三安光电：LED光电龙头，也是集成电路新贵。主营业务涵盖超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料等产品的研发、生产与销售。旗下MiniLED已实现量产且打入三星供应链，在第三代半导体方面，旗下有30万片/年砷化镓和6万片/年氮化镓外延片生产线和国内第一家六寸化合物半导体晶圆代工厂。

2、闻泰科技：公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。

3、扬杰科技：捷捷微电300623.SZ：公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的是以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。

4、赛微电子：公司从事第三代半导体业务，主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。

5、聚灿光电：第三代半导体概念其他的还有： 华天科技、华微电子、鼎龙股份、华峰测控、华特气体等。

拓展资料：

1、龙头股指的是某一时期在股票市场的炒作中对同行业板块的其他股票具有影响和号召力的股票，它的涨跌往往对其他同行业板块股票的涨跌起引导和示范作用。龙头股并不是一成不变的，它的地位往往只能维持一段时间。成为龙头股的依据是，任何与某只股票有关的信息都会立即反映在股价上。

2、龙头股必须从涨停板开始，涨停板是多空双方最准确的攻击信号，不能涨停的个股，不可能做龙头.龙头股必须是在某个基本面上具有垄断地位。龙头股流通市要适中，大市值股票和小盘股都不可能充当龙头。11月起动股流通市值大都在5亿左右。龙头股必须同时满足日KDJ，周KDJ，月KDJ同时低价金叉。

3、龙头股通常在大盘下跌末期端，市场恐慌时，逆市涨停，提前见底，或者先于大盘启动，并且经受大盘一轮下跌考验。再如12月2日出现的新龙头太原刚玉，它符合刚讲的龙头战法，一是从涨停开始，且筹码稳定，二是低价即3.91元，三是流通市值起动才4.5亿，周二才6.4亿，从底部起涨，炒到翻倍也不过10亿，也就是说不到2－3亿的私募资金或游资就可以炒作。四是该股日周月KDJ同时金叉，说明该股主力有备而来。五是该股在大盘恐慌末端，逆市涨停，此时大盘还在下跌，但并没有影响此股涨停。通过以上介绍可以看出龙头的起涨过程，也说明下跌并不可怕，可怕的是大盘下跌，没有龙头出现。

随着市场对半导体性能的要求不断提高，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角，成为行业未来重要增长点。

相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。

氮化镓、高电流密度等优势，可显著减少电力损耗和散热负载，迅速应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，是未来最具增长潜质的化合物半导体。

与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。

随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。

GaN主要应用于生产功率器件，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。

在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。

氮化镓在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着5G高频通信的商业化，GaN将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。

根据Yole估计，大多数Sub 6GHz的蜂窝网络都将采用氮化镓器件，因为LDMOS无法承受如此之高的频率，而砷化镓对于高功率应用又非理想之选。

同时，由于较高的频率会降低每个基站的覆盖范围，需要安装更多的晶体管，因此市场规模将迅速扩大。

Yole预测，GaN器件收入目前占整个市场20%左右，到2025年将占到50%以上，氮化镓功率器件规模有望达到4.5亿美元。

从产业链方面来看，氮化镓分为衬底、外延片和器件环节。

尽管碳化硅被更多地作为衬底材料（相较于氮化镓），国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等。

从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等。

从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰 科技 、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。

GaN技术的难点在于晶圆制备工艺，欧美日在此方面优势明显。由于将GaN晶体熔融所需气压极高，须采用外延技术生长GaN晶体来制备晶圆。

其中日本住友电工是全球最大GaN晶圆生产商，占据了90%以上的市场份额。GaN全球产能集中于IDM厂商，逐渐向垂直分工合作模式转变。美国Qorvo、日本住友电工、中国苏州能讯等均以IDM模式运营。

近年来随着产品和市场的多样化，开始呈现设计业与制造业分工的合作模式。

尤其在GaN电力电子器件市场，由于中国台湾地区的台积电公司和世界先进公司开放了代工产能，美国Transphorm、EPC、Navitas、加拿大GaN Systems等设计企业开始涌现。

在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。

GaAs芯片已广泛应用于手机/WiFi等消费品电子领域，GaN PA具有最高功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度略低，目前在近距离信号传输和军工电子方面应用较多。

经过多年的发展，国内拥有昂瑞微、华为海思、紫光展锐、卓胜微、唯捷创芯等20多家射频有源器件供应商。

根据2019年底昂瑞微董事长发表的题为《全球5G射频前端发展趋势和中国公司的应对之策》的报告显示，截至报告日，国内厂家在2G/3G市场占有率高达95%；在4G方面有30%的占有率，产品以中低端为主，销售额占比仅有10%。

目前我国半导体领域为中美 科技 等领域摩擦中的卡脖子方向，是中国 科技 崛起不可回避的环节，产业链高自主、高可控仍是未来的重点方向。第三代半导体相对硅基半导体偏低投入、较小差距有望得到重点支持，并具备弯道超车的可能。

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