光刻是什么意思？

我来打个比方吧：比如说你看集成电路板，上面不是有一条一条金属线么？那个线不是画上去的，是整个刷一层铜到塑料板上，然后上面刷一层蜡，然后你用刀子把没有导线的部分的蜡“刻”下去，然后把这块板子扔到腐蚀液里，没有蜡覆盖的地方就会被腐蚀掉，然后你把它拿出来，集成电路板就做好了做cpu（计算机的中央处理器，计算机的核心）的时候呢。也是这个样子，但是cpu里面的导线非常非常非常小，线间距是几十纳米级别的，小的已经没有任何物理的刀子可以取刻出导线来了，这个时候我们就用“光刻”了。因为光可以被分的很纤细的，光刻是在金属表面铺一层感光膜，然后用光去照它，被光照到的地方，感光膜就会被“烧掉”，然后这个时候你用一个“纸片”上面画着电路图，去挡一下光，这样就把电路该在的地方留下来了，然后扔到对应的液体里一泡，cpu里面的电路就做好了。以上文字纯手打。看不明白可以再问我

光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。

光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。

蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。在化学蚀刻中是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，化学蚀刻机是将材料用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。

光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺)在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时"复制"到硅片上的过程。

光栅刻画:光学中光栅最通常的作用是色散。光栅刻划是制作光栅的方法之一。

蚀刻机

光刻机

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