半导体、封装测试是干什么的？

半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。

所谓封装测试其实就是封装后测试,把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求的过程称为封装后测试。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

扩展资料：

半导体封装测试过程：

封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路。

然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列 *** 作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。

封装完成后进行成品测试，通常经过入检（Incoming）、测试（Test）和包装（Packing）等工序，最后入库出货。典型的封装工艺流程为：划片 装片 键合 塑封 去飞边 电镀 打印 切筋和成型 外观检查 成品测试 包装出货。

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-封装测试

参考资料来源：百度百科-半导体封装测试

关于功函数的测量方法：

功函数的测量方法分为“绝对测量”和“相对测量”两大类：

1）绝对测量法是测量电磁场的垂直分量和水平分量的振幅值和它们相对于—次场相位移的方法。试验中是利用样品由光吸收(光发射)所引发的电子发射，通过高温(热发射)、或者电场(场发射)，以及使用电子隧穿效应进行测量获得的光谱（PES），从而提供提供反应了样品电子结的功函数等信息。下图是一个铜表面频谱分析示意图：

如图所示，费米能级位于横坐标轴0V位置，而功函数是21.21eV与secondary cutoff 之差，即21.21eV- 15.9Ev=5.3eV

对于光谱测量来说，分为基于

2）相对测量是指激发场源是定源的条件下，测最沿侧线相邻两点的振幅比和相位差的方法。实验上，是使用二极管的阴极电流或者样品与参照物的间由人工改变的两者间电容导致的位移电流（开尔文测量方法）等方法来测量的。

测量原理：

UR为负值，样品相对于阴极为负。S与C间存在一减速场（又称阻挡势），使电子不能达到样品，因而二极管的电流为零。只有当UR变化到 eUR≧Φs－Φc

则样品上可收集到阴极热电子发射的电流，因而得到二极管的伏－安特性曲线。吸附时，拐点位置由（Φs－Φc）/e移到（Φs－ DΦs－Φc）/e即拐点移动的电位变化相应于样品的功函数变化 。

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