顶层设计的确瞄向了国家战略安全这一方向，但落脚到这个产业中，产业和资本的高度还是无法达成统一，因为各自的诉求不同。以中微公司创始人尹志尧为代表的产业从业者固然可以做到十年磨一剑，将刻蚀设备做到全球一线水平，但狂热资本的不断涌入，更多的是看到科创板、注册制等的实施带来的短期套利空间，毕竟相比以往如今上市的门槛和难度大幅降低。
集成电路是一个技术密集型、知识密集型和资本密集型的产业，如果放到国产替代和国家安全的角度还是一个政策密集型的产业，如果将这四种重要的要素实现深度整合，当然是最理想的状态，但如果这四种要素中任何一个对集成电路产业的理解与认知出现偏差甚至误区，则会出现很大的问题，20年前的"汉芯一号"造假事件如此，武汉弘芯项目烂尾也是如此。
武汉弘芯一开始就对这个行业的理解有所误区，比如一开始就定下的不切实际的目标。武汉弘芯项目原计划投资1280亿元，主要投资目标是建成一条月产能3万片的14nm逻辑工艺生产线、月产能3万片的7nm及以下逻辑工艺生产线以及相应的晶圆级先进封装生产线，但在2017年国内最好的晶圆代工厂中芯国际刚搞定28nm HKMG工艺不久，直到2019年才在梁孟松的带领下搞定了14nm FinFET工艺。
2017年全球晶圆厂中有能力量产14nm及以下FinFET工艺的也就台积电、英特尔、三星和格芯，其中台积电和三星将技术节点推进到10nm，格芯是12nm，英特尔是14nm++ FinFET工艺，与格芯的12nm相当：
行业龙头也刚推进到14-10nm，武汉弘芯一开始就要上马14nm，就当是国内集成电路的产业基础，可能吗？
2017年国内技术达不到，资本目的不纯，政府对集成电路产业认知较浅，武汉弘芯项目如何推进？
可惜了蒋尚义的一腔热血。
武汉的集成电路产业基础还是相当薄弱，更没法与江苏和上海这两个产业集聚地相比，将之比喻为荒漠中的绿洲也不为过。
按申万行业分类，目前在A股上市的湖北半导体企业有盈方微和台基股份两家，其中台基股份主要从事大功率半导体器件的生产与销售，是一家功率半导体企业。但盈方微在湖北荆州，台基股份在湖北襄阳，均不在武汉。
在新三板上挂牌的湖北半导体企业是思存 科技 （839113.OC），公司主要研发与销售多种类别的Wi-Fi模块及相关解决方案。公司在技术上得到高通的支持， 2019年营收与净利润分别达到2.50亿元和0.08亿元，业务规模与盈利能力较弱。
东芯通信（430670）是位于合肥市的一家从事LTE基带芯片研发、销售及提供解决方案的供应商，但目前由于4G网络已经成为过去，公司业绩也一落千丈，2019年营收仅有0.15亿元，净利润亏损0.12亿元，已经连续四年亏损。
过去的终究要过去。
在光模块及光芯片领域武汉具有一定优势，光迅 科技 、华工 科技 具有较强的技术实力，其中光迅 科技 是国内少有的业务涉及光芯片、光器件和光模块产业链的企业，而且公司依靠大股东烽火集团旗下的烽火 科技 ，产品可以很好的切入终端。但是在目前火热的高通量光模块领域公司相比中际旭创和新易盛有所滞后，相比已经研发出1000G光模块的华为以及Finisar等国外巨头差距更是明显：
合肥与武汉在存储器领域的竞争优势相当明显。武汉长江存储在3D NAND领域已经形成一定规模，技术上4月份推出的X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的存储器件。技术上与海力士、三星、铠侠等差距也就1-2代，如果公司能及时推出196层甚至256层3D NAND，技术上的差距已经相当小了。另外武汉新芯（XMC）除了Nor Flash等存储器件，自有晶圆厂也可以为客户提供55nm制程的低功耗逻辑和射频等工艺。
在DRAM领域合肥长鑫实现了重大突破，公司现有产品主要有DDR4内存芯片、LPDDR4X和DDR4模组，而且在中低端消费电子领域实现商业化。不过目前三星、海力士等已经将技术延伸到DDR5，在技术上还有一代的差距。
在半导体设备领域领域，武汉精测电子和合肥芯碁微是具有代表性的企业。精测电子是从事TFT-LCD/OLED等平面显示信号测试技术研发、开发、生产与销售的企业，在平面显示信号测试领域位于国内领先水平。不过公司目前将业务向半导体检测延伸，未来公司有望形成平面显示+集成电路检测双主业格局。
合肥芯碁微主要从事以微纳直写光刻技术为核心的直接成像设备及直写光刻设备研发、制造及销售，但目前公司的直写光刻机主要用于PCB，在平面显示领域有一定布局。由于技术自身局限，合肥芯碁微的直接成像技术还不能很好的应用于硅基半导体器件深亚微米节点的制造。
综上所述，从目前集成电路产业布局来看，除了长江存储和合肥长鑫的存储器件，武汉和合肥的集成电路产业发展水平总体逊于江苏和上海，但以光迅 科技 为代表的光模块企业、以精测电子、合肥芯碁微为代表的设备制造企业在个别领域具有一定规模。
除了合肥长鑫，合肥的集成电路产业亮点不多，但如果从产业链布局来看，合肥的产业基础要略好于武汉。
集成电路产业链主要分为设计、制造和封测，目前武汉和合肥在设计领域存在明显短板。武汉昊昱微电子是从事功率半导体及模拟半导体设计的企业，公司基于CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工艺开发了HYM533低功耗8位四路DAC、音频功放IC等器件；合肥比较具有代表性的设计企业有合肥芯谷微电子、合肥恒烁半导体等设计企业，而且这些企业由"最牛风投机构"合肥市政府投资，部分设计企业颇具特色，但相比圣邦股份、兆易创新等企业，差距太明显。
在封测领域合肥的基础要好得多，而武汉则一片空白。封测领域合肥目前拥有合肥合晶和合肥速芯两家封测企业，其中成立于2000年的合肥合晶覆盖TO、SOT和DIP封装技术；成立于2018年12月的合肥速芯是集成电路行业咨询公司摩尔精英旗下封测企业，拥有QFN、BGA、SiP等封装技术：
当然合肥速芯的竞争力还来自于摩尔精英在集成电路行业中的资源整合能力，这一点可能是合肥合晶所不拥有的。
在制造领域武汉和合肥均有晶圆厂，其中合肥长鑫和长江存储各有一座300mm晶圆厂，主要是这两家企业均采用了IDM模式，这也是三星和海力士等存储器龙头的典型模式。除此以外PowerChip和XMC（武汉新芯）分别在合肥和武汉拥有一座300mm晶圆厂，产能较小，而且主要以成熟节点为主。
合肥集成电路产业的优势是打通了设计、制造和封测，武汉虽然有武汉新芯这样的晶圆代工厂，但封测还有短板。
当然在光模块等领域武汉有独特的竞争优势。
有人曾将中国半导体投资者归纳为无知者无畏型、无耻者无畏型和既无知又无耻型三类，其中无知者无畏型主要是地方政府，出于各种目的往往会出现"义和团"式的"造芯运动"，典型代表就是武汉弘芯这个烂尾项目。无耻者无畏型主要是产业内企业"杠杆"式的"堵芯"，怀着撞大运的心理借着主业的成功赌博式发展集成电路这个副业。既无知又无耻型就是那些暴躁狂热的资本，他们对产业规律视而不见，搞跨界投机式的"骗芯"。
一级市场如此，二级市场同样炒作投机之风盛行，最典型的就是中芯国际上市前后的炒作以及半导体板块的暴涨暴跌，让一众投资者吃了闷瘪。
集成电路行业是一个大投资、重积累、长周期、慢回报和高风险的行业，科创板和注册制的推出只是解决了一个资本顺利退出的通道，但产业本身特征是无法在资本加持下能改变的，如果只是抱着投机甚至赌或骗的心态闷头扎入集成电路行业，可能自己怎么没的都不知道。
65nm制程的SoC芯片设计及流片成本2850万美元，16nm的设计及流片费用高达1.06亿美元，足可以让很多中小型设计企业倒闭好多次了。
什么是3D NAND闪存？从新闻到评测，我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了，首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。3D NAND与2D NAND区别3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。3D NAND闪存有什么优势？在回答3D NAND闪存有什么优势的时候，我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路，主流工艺是15/16nm，但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了，而3D NAND闪存还会继续走下去，目前的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品，值得关注。四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色上述3D NAND闪存中，由于厂商不一定公布很多技术细节，特别是很少提及具体的制程工艺，除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场，代表性产品也不足。三星：最早量产的V-NAND闪存三星是NAND闪存市场最强大的厂商，在3D NAND闪存上也是一路领先，他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。在3D NAND路线上，三星也研究过多种方案，最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存，目前已经发展了三代V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。三星最早量产了3D NAND闪存值得一提的是，三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势，他们首先选择了CTF电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，相比传统的FG（Floating Gate，浮栅极）技术难度要小一些，这多少也帮助三星占了时间优势。有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章：NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解东芝/闪迪：独辟蹊径的BiCS技术东芝是闪存技术的发明人，虽然现在的份额和产能被三星超越，不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大，很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了，2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的，但制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。东芝的BiCS技术3D NAND东芝和闪迪是战略合作伙伴，双方在NAND领域是共享技术的，他们的BiCS闪存去年开始量产，目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb，预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产，2016年可以大量出货了。SK Hynix：闷声发财的3D NAND在这几家NAND厂商中，SK Hynix的3D NAND最为低调，相关报道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料，不过从官网公布的信息来看，SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存，只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场，今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E产品市场。SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。Intel/美光：容量最高的3D NAND闪存这几家厂商中，Intel、美光的3D NAND闪存来的最晚，去年才算正式亮相，不过好菜不怕晚，虽然进度上落后了点，但IMFT的3D NAND有很多独特之处，首先是他们的3D NAND第一款采用FG浮栅极技术量产的，所以在成本及容量上更有优势，其MLC类型闪存核心容量就有256Gb，而TLC闪存则可以做到384Gb，是目前TLC类型3D NAND闪存中容量最大的。美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的384Gb容量还不终点，今年的ISSCC大会上美光还公布了容量高达768Gb的3D NAND闪存论文，虽然短时间可能不会量产，但已经给人带来了希望。Intel的杀手锏：3D XPoint闪存IMFT在3D NAND闪存上进展缓慢已经引起了Intel的不满，虽然双方表面上还很和谐，但不论是16nm闪存还是3D闪存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明显的例子就是Intel都开始采纳友商的闪存供应了，最近发布的540s系列硬盘就用了SK Hynix的16nm TLC闪存，没有用IMFT的。Intel、美光不合的证据还有最明显的例子——那就是Intel甩开美光在中国大连投资55亿升级晶圆厂，准备量产新一代闪存，很可能就是3D XPoint闪存，这可是Intel的杀手锏。3D XPoint闪存是Intel掌控未来NAND市场的杀手锏这个3D XPoint闪存我们之前也报道过很多了，根据Intel官方说法，3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通显存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。由于还没有上市，而且Intel对3D XPoint闪存口风很严，所以我们无法确定3D XPpoint闪存背后到底是什么，不过比较靠谱的说法是基于PCM相变存储技术，Intel本来就是做存储技术起家的，虽然现在的主业是处理器，但存储技术从来没放松，在PCM相变技术上也研究了20多年了，现在率先取得突破也不是没可能。相比目前的3D NAND闪存，3D XPoint闪存有可能革掉NAND及DRAM内存的命，因为它同时具备这两方面的优势，所以除了做各种规格的SSD硬盘之外，Intel还准备推出DIMM插槽的3D XPoint硬盘，现在还不能取代DDR内存，但未来一切皆有可能。最后再回到我们开头提到的问题上——中国大陆现在也把存储芯片作为重点来抓，武汉新芯科技（XMC）已经在武汉开工建设12英寸晶圆厂，第一个目标就是NAND闪存，而且是直接切入3D NAND闪存，他们的3D NAND技术来源于飞索半导体（Spansion），而后者又是1993年AMD和富士通把双方的NOR闪存部门合并而来，后来他们又被赛普拉斯半导体以40亿美元的价格收购。2015年新芯科技与飞索半导体达成了合作协议，双方合作研发、生产3D NAND闪存，主要以后者的MirrorBit闪存技术为基础。不过小编搜遍了网络也没找到多少有关MirrorBit的技术资料。这两家公司的闪存技术多是NOR领域的，3D NAND显然是比不过三星、SK Hynix及东芝等公司的，有一种说法是MirrorBit的堆栈层数只有8层，如果真是这样，相比主流的32-48层堆栈就差很远了，成本上不会有什么优势。dram 和3d nand flash的晶圆一样吗什么是3D NAND闪存？从新闻到评测，我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了，首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。
从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
3D NAND与2D NAND区别
3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
3D NAND闪存有什么优势？
在回答3D NAND闪存有什么优势的时候，我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。
3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势
传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路，主流工艺是15/16nm，但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了，而3D NAND闪存还会继续走下去，目前的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。
四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色
在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。
这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品，值得关注。
四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色
上述3D NAND闪存中，由于厂商不一定公布很多技术细节，特别是很少提及具体的制程工艺，除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场，代表性产品也不足。
三星：最早量产的V-NAND闪存
三星是NAND闪存市场最强大的厂商，在3D NAND闪存上也是一路领先，他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。在3D NAND路线上，三星也研究过多种方案，最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存，目前已经发展了三代V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
三星最早量产了3D NAND闪存
值得一提的是，三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势，他们首先选择了CTF电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，相比传统的FG（Floating Gate，浮栅极）技术难度要小一些，这多少也帮助三星占了时间优势。
有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章：NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解
东芝/闪迪：独辟蹊径的BiCS技术
东芝是闪存技术的发明人，虽然现在的份额和产能被三星超越，不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大，很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了，2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的，但制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。
东芝的BiCS技术3D NAND
东芝和闪迪是战略合作伙伴，双方在NAND领域是共享技术的，他们的BiCS闪存去年开始量产，目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb，预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产，2016年可以大量出货了。
SK Hynix：闷声发财的3D NAND
在这几家NAND厂商中，SK Hynix的3D NAND最为低调，相关报道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料，不过从官网公布的信息来看，SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存，只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场，今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E产品市场。
SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。
Intel/美光：容量最高的3D NAND闪存
这几家厂商中，Intel、美光的3D NAND闪存来的最晚，去年才算正式亮相，不过好菜不怕晚，虽然进度上落后了点，但IMFT的3D NAND有很多独特之处，首先是他们的3D NAND第一款采用FG浮栅极技术量产的，所以在成本及容量上更有优势，其MLC类型闪存核心容量就有256Gb，而TLC闪存则可以做到384Gb，是目前TLC类型3D NAND闪存中容量最大的。
美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的
384Gb容量还不终点，今年的ISSCC大会上美光还公布了容量高达768Gb的3D NAND闪存论文，虽然短时间可能不会量产，但已经给人带来了希望。
Intel的杀手锏：3D XPoint闪存
IMFT在3D NAND闪存上进展缓慢已经引起了Intel的不满，虽然双方表面上还很和谐，但不论是16nm闪存还是3D闪存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明显的例子就是Intel都开始~~友商的闪存供应了，最近发布的540s系列硬盘就用了SK Hynix的16nm TLC闪存，没有用IMFT的。
Intel、美光不合的证据还有最明显的例子——那就是Intel甩开美光在中国大连投资55亿升级晶圆厂，准备量产新一代闪存，很可能就是3D XPoint闪存，这可是Intel的杀手锏。
3D XPoint闪存是Intel掌控未来NAND市场的杀手锏
这个3D XPoint闪存我们之前也报道过很多了，根据Intel官方说法，3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通显存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。
由于还没有上市，而且Intel对3D XPoint闪存口风很严，所以我们无法确定3D XPpoint闪存背后到底是什么，不过比较靠谱的说法是基于PCM相变存储技术，Intel本来就是做存储技术起家的，虽然现在的主业是处理器，但存储技术从来没放松，在PCM相变技术上也研究了20多年了，现在率先取得突破也不是没可能。
相比目前的3D NAND闪存，3D XPoint闪存有可能革掉NAND及DRAM内存的命，因为它同时具备这两方面的优势，所以除了做各种规格的SSD硬盘之外，Intel还准备推出DIMM插槽的3D XPoint硬盘，现在还不能取代DDR内存，但未来一切皆有可能。
最后再回到我们开头提到的问题上——中国大陆现在也把存储芯片作为重点来抓，武汉新芯科技（XMC）已经在武汉开工建设12英寸晶圆厂，第一个目标就是NAND闪存，而且是直接切入3D NAND闪存，他们的3D NAND技术来源于飞索半导体（Spansion），而后者又是1993年AMD和富士通把双方的NOR闪存部门合并而来，后来他们又被赛普拉斯半导体以40亿美元的价格收购。
2015年新芯科技与飞索半导体达成了合作协议，双方合作研发、生产3D NAND闪存，主要以后者的MirrorBit闪存技术为基础。不过小编搜遍了网络也没找到多少有关MirrorBit的技术资料。这两家公司的闪存技术多是NOR领域的，3D NAND显然是比不过三星、SK Hynix及东芝等公司的，有一种说法是MirrorBit的堆栈层数只有8层，如果真是这样，相比主流的32-48层堆栈就差很远了，成本上不会有什么优势。
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