P型半导体和N型半导体和PN结对外显什么电性?为什么?

有可能中性或者阴性，如下：

第一，P型半导体和N型半导体都是不带电的 对外成电中性。

第二，之所以叫P型半导体是因为他的导电性是靠多数载流子也就是带正电的空穴体现的 空穴参与导电 所以是positive（积极的，阳性的，正的） 代表正电 也叫空穴型半导体 N是negative（消极的，阴性的，负的）的首字母代表负电 这里的正负指的是P（N）型半导体的导电性。

第三，但是当他们形成PN结时 P区掺入了比如说硼 三价元素 此时 多数载流子是空穴 载流子是可以移动的 剩下的负离子是不可移动的 所以P区带负电 这里的正负指的是他本身的带电性。

第四，P型半导体的定义是 空穴浓度大于自由电子浓度的杂质半导体，N型半导体是自由电子浓度大于空穴浓度的杂质半导体。

N型或者P型半导体都是在原有的电中性硅基上掺杂电中性的三、五族原子。 所以整体还是呈电中性。

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。

在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

美国国家半导体 National Semiconductor

美国国家半导体简介

成立日期：1959年

总部：美国加州圣克拉拉

首席执行长：贺百恩（Brian L. Halla）

雇员人数：约7000人

美国纽约证券交易所上市代码：NSM

财年：每年6月至次年5月

2008财年营业额： 18.9亿美元

有效注册专利的项目（美国）：3,100项

产品数目：15,000种以上

美国国家半导体公司总部位于加利福尼亚州的圣克拉(Santa Clara)，是一家居于领导地位的模拟电源管理技术开发商，所生产的电源管理产品种类繁多，其中包括易于使用的集成电路、可提高系统能源效率的PowerWise产品以及可提高太阳能系统发电量的SolarMagic产品。

公司产品

公司将模拟技术和数字技术相结合，专注基于模拟技术的半导体产品，包括电源管理、图像技术、显示驱动器、音频及运算放大器、接口产品以及数据转换解决方案等领域的独立元件和子系统。模拟芯片产品主要面向移动电话、显示器、各种便携式应用及广泛的电子产品市场，其中包括医疗设备、汽车电子系统、工业系统以及测试和测量设备等产品市场。

其网络接口芯片在90年代被广泛使用，成为事实上的标准，特别是其宽范围的温度环境特性，使得其被应用在工业场景，室外等气候恶劣的环境。2001年在业界率先推出千兆网络控制器芯片。

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最新状况

2009 年财年的营业额达 14.6亿美元

现已经被TI公司收购