550d D3100影像处理器哪个好？

你在说CCD跟CMOS么？

尼康是CCD，佳能是CMOS，索尼也是CMOS。我觉得CMOS更适合摄像，CCD摄像功能差些，但是照相还是CCD更有优势。

这是百度文库的文档，给你贴上来，希望对你有帮助~

CCD目前的技术比较成熟，在尺寸方面也具有一定的优势（由于工艺方面的原因CMOS的尺寸无法做的很大），但其工艺复杂、成本高、耗电量大、像素提升难度大等问题也是不可否认的。而CMOS由于制造工艺简单，因此可以在普通半导体生产线上进行生产，其制造成本比较低廉。

CCD和CMOS各自的利弊，我们可以从技术的角度来比较两者主要存在的区别：

（a）信息读取方式不同

CCD传感器存储的电荷信息需在同步信号控制下一位一位的实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，整个电路较为复杂。CMOS传感器经光电转换后直接产生电流（或电压）信号，信号读取十分简单。

（b）速度有所差别

CCD传感器需在同步时钟的控制下以行为单位一位一位的输出信息，速度较慢；而CMOS传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，还能同时处理各单元的图象信息，速度比CCD快很多。

（c）电源及耗电量

CCD传感器电荷耦合器大多需要三组电源供电，耗电量较大；CMOS传感器只需使用一个电源，耗电量非常小，仅为CCD电荷耦合器的1/8到1/10，CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势。

（d）成像质量

CCD传感器制作技术起步较早，技术相对成熟，采用PN结合二氧化硅隔离层隔离噪声，成像质量相对CMOS传感器有一定优势。由于CMOS传感器集成度高，光电传感元件与电路之间距离很近，相互之间的光、电、磁干扰较为严重，噪声对图象质量影响很大。

CCD与CMOS两种传感器在“内部结构”和“外部结构”上都是不同的。

内部结构（传感器本身的结构）

CCD的成像点为X－Y纵横矩阵排列，每个成像点由一个光电二极管和其控制的一个邻近电荷存储区组成。光电二极管将光线（光量子）转换为电荷（电子），聚集的电子数量与光线的强度成正比。在读取这些电荷时，各行数据被移动到垂直电荷传输方向的缓存器中。每行的电荷信息被连续读出，再通过电荷/电压转换器和放大器传感。这种构造产生的图像具有低噪音、高性能的特点。但是生产CC D需采用时钟信号、偏压技术，因此整个构造复杂，增大了耗电量，也增加了成本。

数码相机成像过程

CMOS传感器周围的电子器件，如数字逻辑电路、时钟驱动器以及模/数转换器等，可在同一加工程序中得以集成。CMOS传感器的构造如同一个存储器，每个成像点包含一个光电二极管、一个电荷/电压转换单元、一个重新设置和选择晶体管，以及一个放大器，覆盖在整个传感器上的是金属互连器（计时应用和读取信号）以及纵向排列的输出信号互连器，它可以通过简单的X－Y寻址技术读取信号。

外部结构（传感器在产品上的应用结构）

CCD电荷耦合器仅能输出模拟电信号，输出的电信号还需经后续地址译码器、模数转换器、图像信号处理器处理，并且还须提供三组不同电压的电源和同步时钟控制电路，集成度非常低。由CCD电荷耦合器构成的数码相机通常有六个芯片，有的多达八片，最少的也有三片，使CCD电荷耦合器制作的数码相机成本较高。

CMOS光电传感器的加工采用半导体厂家生产集成电路的流程，可以将数码相机的所有部件集成到一块芯片上，如光敏元件、图像信号放大器、信号读取电路、模数转换器、图像信号处理器及控制器等，都可集成到一块芯片上，还具有附加DRAM的优点。只需要一个芯片就可以实现数码相机的所有功能，因此采用CMOS芯片的光电图像转换系统的整体成本很低。

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CCD CMOS

全称 电荷耦合装置

Charge Coupled Device 互补金属氧化物半导体

Complementary Metal Oxide Semiconductor

价格 高 低

噪声（照片暗部的不规则杂点） 低 较高

耗电量　 高 低

影响锐利度 高 一般

动态范围 高 一般

发展趋势 技术较为成熟 生产厂家众多，技术不断有突破性进展。

其实，CCD也有两种：全帧(full frame)的和隔行(interline)的。这两种CCD的性能区别非常大。

总的来说，全帧的CCD性能最好。其次是隔行的CCD。CMOS的综合性能最差。full frame CCD最突出的优势是分辨率和动态范围。最弱的地方就是贵，耗电。

CMOS最差的地方是分辨率，动态范围和噪声。优势就是便宜，省电。

interline CCD比CMOS强的地方在于噪声。

总的来说，两种CCD的颜色还原都比CMOS强。

现在一般的消费级数码相机，在宣传上都不说是Full frame CCD还是Interline CCD。当然多数都是后者。专业级的数码相机，肯定是前者。所以，Full frame CCD 和Interline CCD间的区别，都存在于专业级数码相机和消费级机之间。当然，专业级数码相机彩用的大面积CCD带来的好处更突出。

数码相机与传统照相机相比的最大区别，在于数码相机用半导体芯片取代了传统摄影用胶卷，并实现了数字化的影像存储，因而成像芯片对数码相机拍摄质量的影像，就像胶卷对传统摄影拍摄质量的影响一样，举足轻重。传统摄影选择胶卷有着很大的灵活性，发现某种牌号的胶卷质量不理想，可以另购其它牌号的，完全可“朝三暮四”，而成像芯片与数码相机构成一个密不可分的整体，是“从一而终”，一经选定某种型号的数码相机，成像芯片随之确定而无法更换。因此，我们必须对数码相机的成像芯片给以足够的关注，既要关注它的类型，又要关注它的分辨率、尺寸、像元尺寸和制作质量。

成像芯片的种类及质量

成像芯片的作用，是将数码相机镜头成在它上面的像转换为电荷输出。目前数码相机用成像芯片分为CCD和CMOS两类。用CCD作成像芯片的数码相机已为人们所熟悉，因为全世界数码相机型号的95％以上，我国市场销售数码相机的100％，都是使用CCD作成像芯片的。与CMOS相比，CCD问世较早，具有制作水平高、生产规模大、成像质量高（尤其是噪声水平低）、技术成熟的特点。

CMOS是互补金属氧化物半导体器件，它的光电转换功能与CCD相似，区别主要在于光电转换后信息传送的方式不同。CMOS具有信息读取方式简单、输出信息速率快、耗电省（仅为CCD芯片的1／10左右）、体积小、重量轻、集成度高、价格低等特点，是未来数码相机理想的成像芯片，但要达到CCD芯片的成像质量，仍有漫长的路要走，因而目前选购CCD芯片数码相机是明智之举。

CCD芯片又分为线型和面型两大类。线型CCD芯片的最大特点是分辨率很高，可拍摄得到1000万以上像素水平影像的数码相机，都采用线型CCD芯片的。目前线型CCD数码相机最高可拍摄得到的像素水平高达1．3亿。遗憾的是线型CCD数码相机是扫描型的，曝光方式与平台扫描仪相似，曝光时间特别长，无法拍摄动态物体，更不能进行闪光拍摄。

采用面型CCD芯片的数码相机的最大特点是可瞬间曝光，应用灵活性大，国内市场上所见到的轻便数码相机和单反数码相机，都采用面型CCD芯片，目前最高像素水平为600万。

成像芯片的分辨率

成像芯片的分辨率是数码相机最重要的性能指标，通常用像素数表示，意味着数码相机将镜头成在CCD芯片上面的像以多少个“点 ”加以记录。这已为越来越多的人所认识，只是还必须注意以下三方面的区别：

1．CCD芯片分辨率与拍摄分辨率之间的区别。CCD芯片分辨率是指芯片上所具有的CCD像元数；拍摄分辨率是指拍摄时实际参与成像的CCD像元数。由于数码相机将CCD芯片上的部分CCD像元用于测光、自动聚焦和自动调整白平衡等方面，使得拍摄分辨率总是小于CCD芯片分辨率。选购数码相机既要看CCD芯片分辨率，更要看可最大拍摄分辨率。

2．拍摄分辨率与插值分辨率之间的区别。拍摄分辨率是拍摄时实际参与成像的CCD像元数；插值分辨率是用软件插值的方法产生得到的，比CCD芯片上实际参与成像的像元数更多像素的分辨率。插值后的像素水平是更高了，甚至于成倍提高，但插值将导致影像反差的降低，成像锐度的下降，因此要分清插值分辨率与拍摄分辨率。

3．线型CCD芯片与面型CCD芯片分辨率的含义有区别。在采用线型CCD芯片的数码相机上，由三个像元产生一个影像像素；而面型CCD芯片在每一个像元的基础之上都要产生一个像素（将具体像元的信息与周围像元的信息综合得到）。因而线型CCD数码相机上除了标有正常的分辨率外，还标有相当于面型CCD数码相机的分辨率，即三倍的数值。如目前最高拍摄分辨率为1．3亿像素水平的数码相机，还标有相当于3．9亿像素水平。

购用数码相机，并非像素水平越高越好，多高像素水平的数码相机合适，完全取决于我们的实际应用。比如，家庭购用数码相机，分辨率一般达到1500×1000就可以了，这种像素水平数码相机拍摄所制作的7、8英寸的照片，有着完全令人满意的分辨率；用于拍摄网页图像的数码相机，分辨率有1028×768的影像水平就足够，当然，拍摄网页用图像可以用更价廉的网络照相机（WebCam ）；摄制多媒体课件用图像，数码相机的分辨率与投影机的分辨率相当即可。目前学校中用投影机的分辨率多在800×600、102 4×768的像素水平上；婚纱摄影、广告摄影用于摄制大幅面照片的数码相机，像素水平至少在600万以上。购数码相机后要用于不同的方面，则应按其中高分辨率的应用要求，确定选购数码相机的像素水平。

成像芯片的尺寸

数码相机CCD芯片的尺寸，人们很少关心，甚至于一些轻便数码相机的性能介绍上也没有标明CCD芯片的大小，而随着数码相机像素水平的不断提高，CCD芯片的尺寸指标显得越发重要。

无论是摄像机还是数码相机，只要是面向大众而不是按专业使用设计的，都倾向于使用小尺寸的面型CCD芯片。这一方面是为了降低C CD芯片制作成本，因为CCD芯片的面积越大，制作成品率越低，生产成本陡增；另一方面是使设备小型化、轻量化的需要，因为只有 CCD芯片尺寸小，镜头、机身的尺寸才可以随之减小。在轻便和单反数码相机中所有的CCD芯片，最小尺寸是卡西欧QV－10、Q V－30上使用的仅有约2．4mm×1．8mm大小；最大尺寸是柯达、佳能单反数码相机EOSDCS1、EOSD6000、DC S460、DCS560、DCS660上使用的高达27．6mm×18．4mm，最大的与最小的CCD芯片成像面积相差上百倍。

CCD芯片的制作水平近十几年来每年都会发生突飞猛进的发展，尤其表现在CCD芯片中单个像元的尺寸上。早期的技术无法将CCD 芯片中的单个像元做得很小，1mm长度上只能制作几十个像元，即单个像元的大小在几十微米。而现在1mm长度上最多可制作200 多个像元，像元的大小已小到几微米。降低制作成本的需要与制作技术的发展，使得像素水平不断上升的轻便数码相机，仍采用小尺寸的 CCD芯片，如像素水平为640×480的奥林巴斯C－400、C－420L等许多数码相机，采用的是尺寸为1／3英寸的CCD 芯片；像素水平为1280×960的卡西欧QV－5000SX轻便数码相机，仍采用1／3英寸的CCD芯片。高像素水平的数码相机采用小尺寸的CCD芯片，对数码相机镜头的分辨率提出了更高的要求，因为数码相机镜头的分辨率应该达到的水平，与CCD芯片单位长度内像元数有关，即数码照相机镜头应该具有的分辨率≥CCD芯片的成像区横向像元数／CCD芯片

成像区横向尺寸

很显然，在芯片像元数一定的情况下，CCD芯片成像区域越小，要求镜头的分辨率越高。如镜头分辨率不能随之升高，就不能发挥每个像元的作用。目前芯片尺寸小而镜头的分辨率又低，是轻便数码相机存在的共性问题，在选购高像素轻便数码相机时，必须综合考虑 CCD芯片的像素水平、CCD芯片的尺寸和镜头可能达到的分辨率水平。

由于CCD芯片制作成本随尺寸呈几何级数上升，因而不同档次数码相机即使分辨率相同，其CCD芯片尺寸也可能不同，通常是档次越低的数码相机，所用CCD芯片的尺寸越小。

CCD影像感应器目前已大部份被使用在数码相机上，而近年来CMOS感应器也逐渐开始出现在数码相机的市场当中，CMOS的诞生具备了许多CCD所没有的一些优势，例如：省电、高集成度、成本更低等等。因此就未来影像感应技术的发展来看，数码相机的影像感应器市场将会是CCD与CMOS的兵家必争之地，未来低于4000元的数码相机的影像感应器相信将会由CMOS胜出，而高于这一价格的数码相机市场将会出现由CCD与CMOS共同领导的新局面。

从工作原理上讲，这两种影像感应器都是将光讯号转变成电信号而进行输出，而这一转换也是在每一个像素中所完成。所以要了解影像感应器的原理之前，我们必须先要了解像素的定义和原理。影像感应器制造商对像素的定义是：在影像感应器上将光讯号转变成电信号的基本工作单位。比如，一台数码相机标称使用一枚1280 x 960的影像感应器，那么它就会有1,228,800个像素，而这是完全不同于传统电视与电脑显示器制造商所使用的像素定义的。

像素的原理

电子显微镜下的CCD表面

像素是影像感应器的基本单位，以CMOS感应器的像素为例，它包含了一个光电二极管，用以产生与入射光成比例的电荷，同时它也包含了其他一些电子元件，以提供缓存转换和复位功能。当每个像素上的电容所积累的电荷达到的一定数量并被传送给信号放大器再通过数模转换之后，所拍摄影像的原始信号才得以真正成形，而具有全部这些功能的器件才能称为是一个真正的影像感应器。

CMOS产品图片

信噪比

影像感应器的信噪比可以用分贝（噪声单位）表示，当信号到达一定强度时，信噪比并不会等比例增加，但是，如果要让低伏值*的讯号可以被检测出来，那么信噪比就变得非常重要。

信噪比的基本定义为：在有效输出范围内，真值信号强度与噪声强度的比值。当真值信号被噪声所埋没后，后方将无法有效地从前方输出中提取信息。

*在常规的信号检测中，电压被做为可参考的主要依据，同样对于影像感应器来说，每个像素输出的电压高低便作为后方信号处理的实际依据。

色彩灵敏度失衡

彩色影像感应器对不同波长的入射光有不同的灵敏度，而这将会造成拍摄影像时的的色彩失衡。当然，色彩失衡可以用后续的数字化处理得到补偿，但这也有可能放大在经过模/数转换后的噪声。现在的技术可以解决色彩敏感度失衡的问题，然后再将讯号送到模/数转换器进行数字量化，最后再运用色差增益或放大技术进行处理。

暗电流是在没有入射光时光电二极管所释放的电流量，理想的影像感应器其暗电流应该是零，但是，实际状况是每个像素中的光电二极管同时又充当了电容，当电容器慢慢地释放电荷时，就算没有入射光，暗电流的电压也会与低亮度入射光的输出电压相当。因此，在这些时候我们还是能从显示器上看到部分“影像”，大部分情况下这都是因为从暗电流中所累积的电荷释放造成的。所以，暗电流是影响画质的噪声之一，CCD与CMOS感应器的暗电流范围为0.075－2.0纳安/平方厘米左右。实际上因为CCD与CMOS在图像采集方面的本质区别，在暗电流的形成上差别还是比较大的。但是由于双方在后台处理上的不同，暗电流的影响已经消除了大半，因此在最终得到的实际影像上的差别还不是非常明显的。

像素的大小

影像感应器能否捕捉到低亮度的影像将取决于每个像素的采光区域的大小，较大的像素将使影像感应器捕捉到更多的光子，如此便能提高像素的动态范围。但是，更大的像素也就需要较多的硅芯片，这也在无形当中加高了生产成本，因此决定最佳化的影像感应器组件大小将由设定采光区域的大小、低亮度的敏感性，以及所期望获得的实际影像质量来共同决定。

Crystal 通光晶片

IR absorption glass 红外截止玻璃

CMOS sensor CMOS影像感应器

Low-pass filter 低通滤波器

Dichroic mirror 双色性反射镜

佳能EOS D60结构示意图及CMOS感应器结构图

CMOS影像感应器技术

CMOS影像感应器大约是在80年代初发明出来的，只是当时CMOS设计制作技术不高，以致于感应器的噪声大，想要商品化并不容易。时至今日，CMOS感应器的应用范围已经非常广泛，包括数码相机、电脑摄像头、可视电话、第三代手机、智能型安全系统、汽车倒车雷达、玩具，以及工业、医疗等多种用途。由于使用范围广泛，这也非常有利于CMOS产品的普及。CMOS不但体积小，耗电量也不到CCD的1/10，售价也比CCD便宜近1/3，画质已接近低端分辨率的CCD，国内相关生产企业早已开始使用CMOS来替代传统的CCD感应器。

CMOS影像感应器目前主要用以数码相机、摄像头等产品，在130万像素以下的CMOS品质已相当接近CCD感应器，而且体积比CCD更小。尤其是电脑摄像头在动态影像的撷取方面，对影像品质要求不比静态的数码相机高，48万像素的画质就可以被用户所接受，目前生产企业采用CMOS的比例已开始大大增加。

虽然CMOS影像感应器真正的快速发展只有2、3年时间，虽然在品质上仍难与 CCD媲美，但是相信在不久的将来CMOS终会取代CCD成为主流，而这只不过是时间的问题。CMOS要想成为市场主流必须克服的最大的问题就是成像品质。就目前的效果而言，较高像素的CMOS感应器已经面临到感光度、信噪比不足等多项问题，影像品质无法与同级CCD感应器相比。以目前的条件来看，CMOS感应器要普遍应用在340万像素以上的数码相机市场，时机尚未成熟。但是，影像感应器市场应用范围很广，涵盖消费、商业、工业等多种领域，根据市场供求量的计算，在未来三年的发展中，CMOS感应器每年的累计增长率都将超过25%。

前些天，我国本土半导体设备传来好消息，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5nm等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5nm制程生产线。刻蚀机是芯片制造的关键装备之一，中微突破关键核心技术，让“中国制造”跻身刻蚀机国际第一梯队。

近年来，我国大陆半导体设备企业一直在努力追赶国际先进脚步。在多种设备领域有一定突破，除了上述中微半导体的5nm等离子体刻蚀机之外，有越来越多的产品可应用于14nm、7nm制程。

但是，国内设备与国外先进设备相比仍有较大差距，主要表现在两方面：一是有一定竞争力的产品在领先制程上的差距；二是部分产品完全没有竞争能力或尚未布局，比如国内光刻机落后许多代际，仅能达到90nm的光刻要求，国内探针台也处于研发阶段，尚未实现销售收入。

那么，在国家的扶持下，经过这么多年的发展，我国本土半导体设备各个细分领域的发展情况如何呢？相关企业都有哪些？发展到了什么程度呢？下面就来梳理一下。

　 　北方华创

北方华创由七星电子和北方微电子战略重组而成。七星甴子主营清洗机、氧化炉、 气体质量控制器(MFC)等半导体装备及精密甴子元器件等业务，此外七星甴子还是国内真空设备、 新能源锂甴装备重要供应商。北方微甴子主营刻蚀设备(Etch)、物理气相沉积设备(PVD)、化学气相沉积设备(CVD)三类设备。

2010 年 3 月，七星甴子在深交所上市。 2016 年 8 月，七星甴子与北方微甴子实现战略重组，成为中国规模最大、产品体系最丰富、涉及领域最广的高端半导体工艺设备供应商，开成功引迚国家集成甴路产业基金(大基金)等战略投资者，实现了产业与资本的融合。 公司实际控制人是北京甴控，隶属于国资委。

2017 年 2 月，七星甴子正式更名为北方华创 科技 集团股仹有限公司，完成了内部整合，推出全新品牉“北方华创”，开形成了半导体装备、真空装备、新能源锂甴装备和高精密甴子元器件四大业务板块加集团总部的“4+1”经营管理模式。

北方华创的半导体装备亊业群主要包括刻蚀机、 PVD、 CVD、氧化炉、扩散炉、清洗机及质量流量控制器(MFC)等 7 大类半导体设备及零部件，面向集成甴路、先进封装等 8 个应用领域，涵盖了半导体生产前段工艺制程中的除光刻机外的大部分兲键装备。 客户包括中芯国际、华力微甴子、长江存储等国内一线半导体制造企业，以及长甴 科技 、 晶斱 科技 、华天 科技 等半导体封装厂商。

重组之后，北方华创业绩快速增长。2017 年实现营业收入 22.23 亿元，同比增长37.01%，归母净利润 1.26 亿元，同比增长 35.21%。 根据公司 2018 年半年报业绩快报，2018 年上半年公司实现营业收入13.95 亿元，同比增长 33.44%， 归母净利润 1.19 亿元，同比增长 125.44%。 随着下游晶圆厂投资加速， 公司半导体设备等觃模持续扩张。

长川 科技

长川 科技 是国内集成电路封装测试、晶圆制造及芯片设计环节测试设备主要供应商。 半导体测试设备主要包括分选机、 测试机和探针台三大类。自2008年4月成立以来，该公司率先实现了半导体测试设备（分选机和测试机） 的国产化， 并获得国内外众多一流集成电路企业的使用和认可。

该公司于 2012 年 2 月承担并完成国家“十二五”规划重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”中的高端封装设备与材料应用工程项目，并于 2015 年 3 月获得国家集成电路产业基金投资。

该公司的测试机和分选机在核心性能指标上已达到国内领先、接近国外先进水平，同时售价低于国外同类型号产品，具备较高的性价比优势。 公司产品已进入国内主流封测企业， 如天水华天、 长电 科技 、 杭州士兰微、 通富微电等。 2017 年，该公司对外积极开拓市场， 设立台湾办事处，拓展台湾市场。

2013~2017年，长川 科技 营收实现了由 4,341 万元到 1.80 亿元的跨越，复合增速达39.75%。 2017 年，归属母公司净利润由992万元增长至 5,025 万元， 复合增速达31.48%。

中微半导体

中微半导体成立于 2004 年，是一家微加工高端设备公司， 经营范围包括研发薄膜制造设备和等离子体刻蚀设备、大面积显示屏设备等。该公司管理层技术底蕴深厚，大多有任职于应用材料、LAM和英特尔等全球半导体一流企业的经验。

中微半导体先后承担并圆满完成 65-45 纳米、 32-22 纳米、22-14 纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化。 公司自主研发的等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE 可用于加工 64/45/28 纳米氧化硅、氮化硅等电介质材料，介质刻蚀设备 Primo AD-RIE 可用于 22nm 及以下芯片加工，均已进入国内先进产线。中微半导体的介质刻蚀机已经完成了5nm 的生产。

晶盛机电

晶盛机电是一家专业从事半导体、光伏设备研发及制造的高新技术企业，是国内技术领先的晶体硅生长设备供应商。该公司专注于拥有自主品牌的晶体硅生长设备及其控制系统的研发、制造和销售，先后开发出拥有完全自主知识产权的直拉式全自动晶体生长炉、铸锭多晶炉产品。

该公司立足于“提高光电转化效率、降低发电成本”的光伏技术路线，实现了硅晶体生长“全自动、高性能、高效率、低能耗”国内领先、国际先进的技术优势。全自动单晶炉系列产品和 JSH800 型气致冷多晶炉产品分别被四部委评为国家重点新产品。同时公司积极向光伏产业链装备进行延伸，2015 年成功开发并销售了新一代单晶棒切磨复合一体机、单晶硅棒截断机、多晶硅块研磨一体机、多晶硅块截断机等多种智能化装备，并布局高效光伏电池装备和组件装备的研发。

该公司的晶体生长设备特别是单晶硅生长炉销售形势较好，主要是单晶光伏的技术路线获得认可，随着下游厂商的扩产，单晶的渗透率也逐步提升，带来对单晶硅生长炉的需求增加，该类产品收入已经占营业收入的 81%。

该公司主营业务伴随国内光伏产业的上升发展，给主营业务收入和利润带来显着增长，近两年的增长率均在 80%以上，另外，其毛利率水平和净利率水平也基本维持稳定。

上海微电子

上海微电子装备有限公司成立于2002年，主要致力于大规模工业生产的投影光刻机研发、生产、销售与服务，该公司产品可广泛应用于IC制造与先进封装、MEMS、TSV/3D、TFT-OLED等制造领域。

　 　该公司主要产品包括：

600扫描光刻机系列—前道IC制造

基于先进的扫描光刻机平台技术，提供覆盖前道IC制造90nm节点以上大规模生产所需，包含90nm、130nm和280nm等不同分辨率节点要求的ArF、KrF及i-line步进扫描投影光刻机。该系列光刻机可兼容200mm和300mm硅片。

500步进光刻机系列—后道IC、MEMS制造

基于先进的步进光刻机平台技术，提供覆盖后道IC封装、MEMS/NEMS制造的步进投影光刻机。该系列光刻机采用高功率汞灯的ghi线作为曝光光源，其先进的逐场调焦调平技术对薄胶和厚胶工艺，以及TSV-3D结构等具有良好的自动适应性，并通过采用具有专利的图像智能识别技术，无需专门设计特殊对准标记。该系列设备具有高分辨率、高套刻精度和高生产率等一系列优点，可满足用户对设备高性能、高可靠性、低使用成本(COO)的生产需求。

200光刻机系列—AM-OLED显示屏制造

200系列投影光刻机综合采用先进的步进光刻机平台技术和扫描光刻机平台技术，专用于新一代AM-OLED显示屏的TFT电路制造。该系列光刻机不仅可用于基板尺寸为200mm × 200mm的工艺研发线，也可用于基板尺寸为G2.5(370mm × 470mm)和G4.5(730mm × 920mm)的AM-OLED显示屏量产线。

硅片边缘曝光机系列——芯片级封装工艺应用

SMEE开发的硅片边缘曝光机提供了满足芯片级封装工艺中对硅片边缘进行去胶处理的能力，设备可按照客户要求配置边缘曝光宽度、硅片物料接口形式、曝光工位等不同形式。设备同时兼容150mm、200mm和300mm等三种不同规格的硅片，边缘曝光精度可到达0.1mm。设备配置了高功率光源，具有较高的硅片面照度，提高了设备产率。

至纯 科技

至纯 科技 成立于 2000 年， 主要为电子、生物医药及食品饮料等行业的先进制造业企业提供高纯工艺系统的整体解决方案， 产品为高纯工艺设备和以设备组成的高纯工艺系统，覆盖设计、加工制造、安装以及配套工程、检测、厂务托管、标定和维护保养等增值服务。

该公司在 2016年前产品约一半收入来自医药类行业，光伏、 LED 行业及半导体行业收入占比较小。 2016年以来，公司抓住半导体产业的发展机遇，逐步扩大其产品在半导体领域的销售占比， 2016和 2017 年来自半导体领域收入占公司营业收入比重分别为 50%和 57%，占据公司营业收入半壁江山。主攻半导体清洗设备。

该公司于 2015 年开始启动湿法工艺装备研发， 2016 年成立院士工作站， 2017 年成立独立的半导体湿法事业部至微半导体，目前已经形成了 UltronB200 和 Ultron B300 的槽式湿法清洗设备和 Ultron S200 和 Ultron S300 的单片式湿法清洗设备产品系列， 并取得 6 台的批量订单。

　 　精测电子

武汉精测电子技术股份有限公司创立于 2006 年 4 月，并于 2016 年 11 月在创业板上市。公司主要从事平板显示检测系统的研发、生产与销售，在国内平板显示测试领域处于绝对领先地位， 主营产品包括：模组检测系统、面板检测系统、OLED 检测系统、AOI光学检测系统和平板显示自动化设备。近几年来，该公司积极对外投资，设立多家子公司，业务规模迅速扩张，进一步完善了产业布局。

该公司成立初期主要专注于基于电讯技术的信号检测，是国内较早开发出适用于液晶模组生产线的 3D 检测、基于 DP 接口的液晶模组生产线的检测和液晶模组生产线的 Wi-Fi 全无线检测产品的企业，目前该公司的 Module 制程检测系统的产品技术已处于行业领先水平。

2014 年，精测电子积极研发 AOI 光学检测系统和平板显示自动化设备，引进了宏濑光电和台湾光达关于 AOI 光学检测系统和平板显示自动化设备相关的专利等知识产权，使其在 Array制程和 Cell 制程的检测形成自有技术，初步形成了“光、机、电”技术一体化的优势。

精测电子2018年上半年财务报告显示，该公司收入主要来自 AOI 光学检测系统业务，占比 45.49%，毛利占比 41.94%；其次是模组检测系统业务，收入占比 23.33%，毛利占比 27.68%； OLED 检测系统和平面显示自动化设备收入占比分别为 14.29%和12.30%，毛利占比为 14.26%和 10.28%。

　 　电子 科技 集团45所

中国电子 科技 集团公司第45研究所创立于1958年，2010年9月，中央机构编制委员会办公室批准45所第一名称更改为“北京半导体专用设备研究所”，第二名称仍保持“中国电子 科技 集团公司第四十五研究所”不变。

45所是国内专门从事军工电子元器件关键工艺设备技术、设备整机系统以及设备应用工艺研究开发和生产制造的国家重点军工科研生产单位。

45所以光学细微加工和精密机械与系统自动化为专业方向，以机器视觉技术、运动控制技术、精密运动工作台与物料传输系统技术、精密零部件设计优化与高效制造技术、设备应用工艺研究与物化技术、整机系统集成技术等六大共性关键技术为支撑，围绕集成电路制造设备、半导体照明器件制造设备、光伏电池制造设备、光电组件制造和系统集成与服务等五个重点技术领域，开发出了电子材料加工设备、芯片制造设备、光/声/电检测设备、化学处理设备、先进封装设备、电子图形印刷设备、晶体元器件和光伏电池等八大类工艺设备和产品，服务于集成电路、光电元器件与组件、半导体照明和太阳能光伏电池四大行业.

　 　上海睿励

睿励科学仪器（上海）有限公司是于2005年创建的合资公司，致力于研发、生产和销售具有自主知识产权的集成电路生产制造工艺装备产业中的工艺检测设备。主要生产用于65/28/14nm制程工艺控制的膜厚测量设备。

沈阳芯源

沈阳芯源微电子设备有限公司成立于2002年，由中科院沈阳自动化研究所引进国外先进技术投资创建。

芯源公司自主开发的单片匀胶机、显影机、喷胶机、去胶机、清洗机、湿法刻蚀机等设备广泛应用于半导体、先进封装、MEMS、LED等领域。

1.LED领域匀胶显影机：应用于LED芯片制造、PSS（图形化衬底）、MEMS、HCPV（高聚光型太阳能电池）、Waveguide（光波导）工艺的匀胶显影等工艺制程。

2.高端封装全自动涂胶显影机:广泛应用于先进封装BGA、Flip-Chip、WSP、CSP制程的高黏度PR、PI、Epoxy的涂敷、显影工艺制程。

3.高端封装全自动喷雾式涂胶机: 广泛应用于TSV、MEMS、WLP等工艺制程。

4.单片湿法刻蚀机/去胶机/清洗机:广泛应用于先进封装BGA、Flip-Chip、WSP、CSP制程的刻蚀、去胶、清洗工艺制程。

5.前道堆叠式全自动涂胶显影机：应用于90nm光刻工艺、BARC涂覆、SOC、SOD、SOG等工艺制程。

　 　盛美半导体

盛美半导体（ACM Research）是国内半导体清洗设备主要供应商，于1998年在美国硅谷成立，主要研发电抛光技术，2006 年成立上海子公司，专注于半导体清洗设备。2017年11月4日公司在美国纳斯达克上市。2017年公司营业收入3650万美元，同比增长33.2%，其中90%以上的营业收入来自于半导体清洗设备。2017 年研发投入占营业收入比例为14.1%。

由于声波清洗可能会造成晶片损伤，行业公司大多转向研发其他技术，盛美半导体另辟蹊径研发出空间交变相移兆声波清洗（SAPS）和时序能激气泡震荡兆声波清洗（TEBO）两项专利技术，可以实现无伤清洗。公司的清洗设备目前已经进入 SK 海力士、长江存储和上海华力等先进产线。

　 　天津华海清科

天津华海清科机电 科技 有限公司成立于2013年，是天津市政府与清华大学践行“京津冀一体化”国家战略，为推动我国化学机械抛光（CMP）技术和设备产业化成立的高 科技 企业。

华海清科主要从事CMP设备和工艺及配套耗材的研发、生产、销售与服务，核心团队成员来自清华大学摩擦学国家重点实验室及业内专业人才，产品可广泛应用于极大规模集成电路制造、封装、微机电系统制造、晶圆平坦化、基片制造等领域。

中电科装备

中电科电子装备集团有限公司成立于2013年，是在中国电子 科技 集团公司2所、45所、48所基础上组建成立的二级成员单位，属中国电子 科技 集团公司独资公司，注册资金21亿元，该公司是我国以集成电路制造装备、新型平板显示装备、光伏新能源装备以及太阳能光伏产业为主的科研生产骨干单位，具备集成电路局部成套和系统集成能力以及光伏太阳能产业链整线交钥匙能力。

多年来，利用自身雄厚的科研技术和人才优势，形成了以光刻机、平坦化装备（CMP）、离子注入机、电化学沉积设备（ECD）等为代表的微电子工艺设备研究开发与生产制造体系，涵盖材料加工、芯片制造、先进封装和测试检测等多个领域；通过了ISO9001、GJB9001A、UL、CE、TüV、NRE等质量管理体系与国际认证。

　 　沈阳拓荆

沈阳拓荆 科技 有限公司成立于2010年4月，是由海外专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业。拓荆公司致力于研究和生产薄膜设备，两次承担国家 科技 重大专项。2016年、2017年连续两年获评“中国半导体设备五强企业”。

该公司拥有12英寸PECVD（等离子体化学气相沉积设备）、ALD（原子层薄膜沉积设备）、3D NAND PECVD（三维结构闪存专用PECVD设备）三个完整系列产品，技术指标达到国际先进水平。产品广泛应用于集成电路前道和后道、TSV封装、光波导、LED、3D-NAND闪存、OLED显示等高端技术领域。

　 　华海清科

天津华海清科机电 科技 有限公司成立于2013年，是天津市政府与清华大学践行“京津冀一体化”国家战略，为推动我国化学机械抛光（CMP）技术和设备产业化成立的高 科技 企业。

华海清科主要从事CMP设备和工艺及配套耗材的研发、生产、销售与服务，核心团队成员来自清华大学摩擦学国家重点实验室及业内专业人才，产品可广泛应用于极大规模集成电路制造、封装、微机电系统制造、晶圆平坦化、基片制造等领域。

以上就是我国大陆地区的主要半导体设备生产企业。

随着我国半导体产业的快速发展，对半导体设备的需求量越来越大，而本土半导体设备企业面临着供给与需求错配的情况。一方面，国内的半导体设备需求随着下游产线的扩张而迅速增加，大陆的半导体设备需求占全球半导体设备需求的比重较高；但另一方面，本土的设备供给存在着水平较为落后，国产化率不高的情况。

针对这一情形，在国家的大力支持下，国内设备企业需要积极布局，以在各细分设备领域实现突破。

DDR43200MHz。

R3-3100的基础参数，制作工艺为7纳米，接口类型是SocketAM4，cpu主频3.8GHz，动态加速频率4.3GHz，核心/线程4/8，内存频率支持DDR43200MHz，三级缓存16MB，功耗65W。

芯片的制造工艺常常用XXnm来表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺。所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF，在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7nm制程便已经好似近在眼前，上个月雷锋网刚刚还报道过下一代iPhoneA12处理器将使用台积电7nm制程生产的消息。

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