一、光纤通讯
通讯是DFB的主要应用，如1310nm，1550nm DFB激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段DFB激光器的应用。
二、可调谐半导体激光吸收光谱技术（TDLAS）
a) 过程控制 (HCl, O2 …)
b) 火灾预警 (CO/CO2 ratio)
c) 成分检测 (moisture in natural gas)
d) 医疗应用 (blood sugar, breath gas, helicobacter)
e) 大气测量 (isotope composition of H2O, O2, CO)
f) 泄漏检查 (Methane)
g) 安全 (H2S, HF)
h) 环境测量 (Ozone, Methane)
i) 科研 (Mars and space missions)
j) …
三、原子光谱学应用
k) 原子钟 (GALILEO, chip scale atomic clock)
l) 磁力计 (SERF)
m) ...
四、新兴市场
a) 精密测量 (Ellipsometry, 3D vision)
b) 夜视仪
c) 同位素监测 (distinction of 235UHF / 238UHF)
d) …
下表是DFB一些主要波长在激光气体分析、原子钟应用、Nd：YAG激光器种子源等领域上的应用： DFB中心波长 主要应用 DFB中心波长 主要应用 760/761/763nm 氧气（O2）分析 1590nm 硫化氢（H2S）气体分析 852nm CsD2铯原子钟 1580/2330nm 一氧化碳（CO）气体分析 894nm CsD1铯原子钟 1579nm 一碳二碳（CO/CO2）同时分析 1392/1877/2740nm 水分子（H2O）分析 1654nm 甲烷（CH4）气体分析 1064nm Nd:YAG激光器种子源 1742nm 氯化氢（HCl）气体分析 1178nm 大功率光纤激光器种子源 1800nm/2650nm 一氧化氮（NO）气体分析 1273nm 氟化氢（HF） 气体分析 2004nm/2680nm 二氧化碳（CO2）气体分析 1341nm 溴化氢（HBr） 气体分析 2257nm 氧化二氮（N2O）气体分析 1512nm 氨气（NH3）气体分析 3370nm 丙烷（C3H8）气体分析 1540nm 氰化氢（HCN）气体分析 ....... ...... 下图是Harvard所研究的Hitran数据库在750-3500nm之间的光谱吸收图，可以作为大部分气体分析的数据参考：
半导体光源3——半导体激光器的结构、工作原理和工作特性Nikki
半导体激光器的结构、工作原理和工作特性
半导体的基本概念
（1） 本征半导体的能带分布
本征半导体就是指没有任何外来杂质的理想半导体。
由于半导体本身是固体，原子排列紧密，使得电子轨道相互重叠，从而使半导体的分立能级形成了能带。
本证半导体的能带分布从上到下依次为导带、（禁带）、价带、满带。
满带：电子填充能带时，总是从能量最低的能带向上填充，能量最低的满带被电子占满不能移动，电子移动形成电流，故满带中的电子不起导电作用。
价带：可能被电子占满，也可能被占据一部分。
禁带Eg：禁止电子在此区域停留，但可以穿越此区域。由于本征半导体是一个统一的热平衡系统，我们知道，对一个物质来说，如果是一个统一的热平衡系统的话，它就有一个费米能级Ef。对本征半导体这种材料，它的费米能级处于导带和价带之间的禁带区域中。
导带：其中的电子具有导电作用（空间大，电子可以自由移动）。
（2） P型半导体和N型半导体的形成
如果向本征半导体内掺入不同杂质元素，则相当于给半导体材料提供导电的电子或空穴。
将向本征半导体材料掺入提供电子的杂质元素后而形成的半导体材料称为N型半导体，它属于电子导电型；
将向本征半导体材料掺入提供空穴的杂质元素后而形成的半导体材料称为P型半导体，它属于空穴导电型。
（3） P-N结的形成
当P型半导体和N型半导体结合在一起时，即形成P-N结。由于相互间的扩散作用，使得靠近界面的地方，N区剩下带正电的离子，P区剩下带负电的离子，在结区形成空间电荷区。
由于空间电荷区的存在，出现了一个由N指向P的电场，称为内建电场。
在内建电场的作用下，由于电子向P区移动，在结区内，使得P区的电子电位能相对于N区提高。（电子点位能越高，实际指的是越负）
作为半导体材料，我们说其有三个能带，导带、（禁带）、价带、满带。按上图所示，粉色线以上是导带，绿色线以下是价带，再往下是满带，绿色线和粉色线之间的区域是禁带。
由于内建电场的作用下， P区的电子电位高于N区，此时的P-N结是一个热平衡系统，会有一个统一的费米能级，就是图中所示的虚线，在N型半导体中，费米能级在粉色线以上，在P型半导体中，费米能级在价带中。
根据费米能级的意义，其指的是物质中粒子分布情况的一个参量，比费米能级高的导带中粒子数少，而比费米能级低的导带中粒子数多，禁带中不存在电子。由此形成了P-N结的能带分布。
但是，此时P-N结的能带分布仍然是一个正常的物质分布状态，并没有被激活使之处于粒子数的反转分布状态，所以还不能发激光。
激活：当给P-N结外加正向偏压（即P接正、N接负）后，抵消了一部分内建电场的作用，P区的空穴和N区的电子不断注入P-N结，破坏了原来的热平衡状态，在P-N结出现了两个费米能级。此时，N型半导体中的费米能级还是在导带里，而P型半导体的费米能级还是在价带以下。
此时，在P-N结中（即中间区域），导带中低于费米能级的粒子数多，而价带中高于费米能级的粒子数少。如果把P-N结作为一个统一的整体，对P-N结来说，高能级的电子数反而多，低能级的电子数反而少，处于粒子数的反转分布状态。此时的P-N结就被激活了，这时候，如果外来的光子一激发，就会出现受激辐射的过程大于受激吸收的过程，从而实现光的放大。
半导体激光器的工作原理
当P-N结外加正向偏压足够大时，将使得结区处于粒子数的反转分布状态，在外来光子的激发下，即出现受激辐射＞受激吸收→产生光的放大
被放大的光在由P-N结构成的光学谐振腔（谐振腔的两个反射镜是由半导体材料的天然解理面形成）中来回反射，不断增强，当满足阈值条件（不断放大的光要能抵消损耗，才有多余的光输出形成激光，G=α）后可发出激光。
半导体激光器的结构
用半导体材料作为激活物质的激光器，称为半导体激光器。
在半导体激光器中，从光振荡的形式上来看，主要有两种方式构成的激光器：
（1） 用天然解理面形成的F-P腔（法布里-珀罗谐振腔），称为F-P腔激光器；
F-P腔激光器从结构上又可分为：
1、 同质结半导体激光器
是一种结构最简单的半导体激光器，其核心部分是一个P-N结，由结区发出激光。它不能在室温下连续工作，只有异质结半导体激光器才能进入实用。
注：“结”是由不同的半导体材料制成的。
2、 单异质结半导体激光器
3、 双异质结半导体激光器
（2） 分布反馈型（DFB）激光器。
半导体激光器的工作特性
1、 阈值特性
对于半导体激光器来说，当外加正向电流达到某一值时，输出光功率将急剧增加，这时将产生激光振荡，这个电流值称为阈值电流，用It表示。
阈值特性可以用输入输出特性曲线进行表示。我们知道，激光器是将电信号变为光信号的器件，因此它的输入我们可以用工作电流来表示，输出可以用输出光功率来表示。
在转换过程中，当我们给半导体激光器加入电流时，这时候是可以发光的，但是这时候的光比较弱。如果我们继续增大工作电流，当增加到某一个值的时候，输出光功率会突然增加，也就是说，它有一个拐点，从发出比较弱的光到发出比较强的光中间有一个拐点，这个拐点，我们就称为阈值电流。这个阈值电流是用来衡量激光器什么时候发激光的一个电流值，如果外加正向电流小于阈值电流，这时候激光器也会发光，但是发出来的光很弱，属于荧光，只有当外加正向电流超过阈值电流，这时候激光器发出来的光才属于激光。
为了使光纤通信系统稳定可靠地工作，It越小越好。
2、 光谱特性
当I＜It，荧光，光谱宽，光强弱
当I＞It，激光，光谱窄（光谱窄，所包含的频率成分少，把这样的光注入到光纤中传输时，产生的色散就会减小，色散小了信号的失真也小，更有利于提高传输特性），光强强（信号传输可以更远）
单模激光器
发出的激光是单纵模，它所对应的的谱线只有一根谱线。
多模激光器
发出的集光是多纵模，对应的是多谱线。
根据谐振频率的公式 ，q取一个值的时候对应的频率称为单纵模，而多纵模是会同时发出多个q对应的频率，很显然单模激光器的特性会比多模好。
单模激光器与多模激光器的输出光谱图
一般，在观测激光器光谱特性时，光谱曲线最高点所对应的波长为中心波长，而比最高点功率低3dB时曲线上的宽度为谱线宽度。
3、 温度特性
激光器的阈值电流和光输出功率随温度变化的特性为温度特性。
当温度增加时，阈值电流增加，输出光功率下降
当温度降低时，阈值电流下降，输出光功率上升
为了使光纤通信系统稳定、可靠地工作，一般都要采用各种自动温度控制电路来稳定激光器的阈值电流和输出光功率。
同时，随着使用时间的增加，阈值电流也会逐渐增大。
4、 转换效率
半导体激光器是把电功率直接转换成光功率的器件。
衡量转换效率的高低常用功率转换效率来表示：
功率转换效率 定义为：输出光功率与消耗的电功率之比。
其中，R——是与激光器的内部量子效率、激光波长和模式损耗有关的常数
V——是工作电压
——是阈值电流
I——是工作电流
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