爱普生5290a原装芯片是永久的吗

爱普生5290a原装芯片不是永久的

芯片是半导体元件产品的统称，又称集成电路、微电路、微芯片。芯片相当于计算机中的主板，能控制计算机的整个系统，一旦芯片坏了，计算机也就瘫痪了。

芯片是一个比较薄，而且上面还布满了密密麻麻的金属线，这些金属线的作用是为了帮助芯片和外界线路连在一起的。现在我们生活中经常接触到的电子产品都是有芯片的存在的。

“墨盒案”是指专利权人为日本精工爱普生（下简称爱普生），专利名称为《墨盒》，专利申请号为00131800.4的中国发明专利，2000年10月30日，精工爱普生以99800780.3号发明专利申请为母案，提出了一项分案申请，即本专利；

本专利的公开文本的权利要求共计12项，在该发明进实审时，爱普生提出了主动修改，将原先的12项权利要求修改为 66 项权利要求，典型的不讲武德；

并且在母案申请中只有记载“半导体存储装置”，但在主动修改的时候，爱普生却在权利要求书出现了“记忆装置”以及“存储装置”；

爱普生还在意见陈述中指出：“'记忆装置'是指说明书及附图中记载的电路板及设置在其上的半导体存储装置”，该专利于2004年6月23日获得了授权；

墨盒案中至少要关注两个问题：

1、将“半导体存储装置”修改为“存储装置”和“记忆装置”是否超范围？意见陈述中的内容可否作为修改不超范围的依据？

2、主动增加权利要求项数要不要补交附加费？

接下来，我们在了解一下案件简介后解答上述问题，案情略复杂，小丁尽量简化；

案件简介

墨盒案所要解决的问题是提高打印机的打印质量，如下图所示的打印机结构，控制器通过柔性电缆与打印头连接，打印头里面放置墨盒，现有技术中提出了改善油墨特性和打印驱动方式来改善打印质量；

在该案的背景技术中描述到：“上述同时改善油墨特性和打印驱动方式不太现实，因为打印设备必须带回到生产厂家，并且记录控制数据的存储装置必须更换”，为此现有技术中提出了一种解决方案，把半导体存储装置装在墨盒上，通过墨盒与控制器连接，这样就既可以改变油墨质量又可以更改驱动程序了；

在该案的背景技术中又描述到：“在一个墨盒上设置了半导体存储装置和连接到存储装置的一个电极...，但在更换墨盒的时候容易出现半导体数据接触不好，数据丢失或者无法读出的问题”（下划线部分为母案及分案公开文本中仅有的两次出现“存储装置”的地方，均在背景技术中）

墨盒案的技术方案如下图所示，其在墨盒的后侧面装了个电路板；

在盛放墨盒的打印头后侧壁上安装了一触点机构，触点机构一面与后侧的控制器电路板连接，另一侧与安装了半导体装置的电路板连接，这样，在将墨盒安装在打印头机构上时，控制器即可与墨盒上的电路板电连通，实现对打印驱动程序的读取，减少了现有技术中读取失败的现象；

下面，就来看一下该案的无效过程，无效请求人以修改超范围请求该案无效；

无效阶段

复审委认为，判断该专利是否修改超范围的关键在于“存储装置”和“记忆装置”是否属于可根据原说明书和权利要求书中的“半导体存储装置”直接且毫无疑义的确定的内容；

由于整个说明书都是针对半导体存储装置来描述本发明的，原说明书和权利要求书中并不涉及其他类型的存储装置，因此，“存储装置”和“记忆装置”并不能从原说明书和权利要求书中直接且毫无疑义的得出，所以超范围；

爱普生认为：原说明书背景技术部分有记载“存储装置”这个词语，从上述内容可以直接并毫无疑义地确定，本专利的“存储装置”指的就是“半导体存储装置”；

复审委没有接受爱普生的观点，认为背景技术中记载的“在一个墨盒上设置了半导体存储装置和连接到存储装置的一个电极...”中的存储装置是半导体存储装置的简称，而存储装置包含了所有的除“半导体存储装置”以外的其他存储装置，本专利的原说明书和权利要求书均未涉及“存储装置”和除“半导体存储装置”以外的其他存储装置，因此将半导体存储装置修改为存储装置超范围；

对于记忆装置，爱普生认为：相关权利要求中描述的“记忆装置”指原说明书中描述的“半导体存储装置”与“电路板”的组合。

对此，复审委认为，记忆装置本身并没有这个含义，而且专利公开文本中权利要求权利要求12中出现了记忆装置，权利要求13对记忆装置进行了限定：“所述记忆装置包括一个基片，在所述基片的一个面上设置有一个存储装置”，可见，“记忆装置”并非象专利权人所声称的那样是指“‘半导体存储装置’与‘电路板’的组合”。综上所述，权利要求1－40均不符合专利法第33条的规定，墨盒案被宣告无效；

专利权人不服提起上诉，北京市第一中级人民法院维持了专利复审委的无效决定，专利权人依然不服，上诉至最高院；

北京高院观点

北京高院认为，在判定是否修改超范围时，还需要关注修改后的技术方案是否构成新的技术方案；

原说明书和权利要求书其他部分均使用“半导体存储装置”，仅在背景技术部分记载“其中在一个墨盒上设置了半导体存储装置和连接到存储装置的一个电极”，本领域技术人员在阅读说明书和权利要书后可以毫无疑义的确定，本专利是在“半导体存储装置”的意义上使用“存储装置”的，修改前后的方案中的“存储装置”均是在“半导体存储装置”意义上使用，并未形成新的技术方案；（也就是说，最高院认为，将半导体存储装置修改为存储装置没有形成新的方案）

而且爱普生也在意见陈述中指出，存储装置指的是半导体存储装置；存储装置虽然具有普遍含义，不仅包括半导体存储装置，还包括磁泡存储装置、铁电存储装置等多种不同类型，但在背景技术中已经明确其所指为“半导体存储装置”的前提下，本领域技术人员不会将其理解为作为上位概念的“存储装置”， 一审判决有误，予以纠正 ；（也就是说，本领域技术人员只会将存储装置理解为半导体存储装置，而且爱普生也在意见陈述中指明存储装置就是半导体存储装置，所以将半导体存储装置修改为存储装置，没有超范围）

但对于记忆装置的修改，则不同于存储装置，因为在原专利权利要求书和说明书中均未记载“记忆装置”，该术语属于申请人新增加的内容，没有记载而新增加的内容不符合专利法第三十三条的规定，因此记忆装置的修改不符合专利法第三十三条的规定；

打完最高院，结果是一半符合规定，另一半不符合规定，双方均不服，均向最高院提出了再审申请（当时还不是二审终审制度）；

最高法院观点

无效请求人的再审理由是，将半导体存储装置修改为存储装置扩大了专利的保护范围，应当予以无效；

对此，最高法院认为，申请人在做出主动修改时，只要不超出原说明书和权力要求书记载的范围，修改权利要求书时既可以扩大其请求保护的范围也可以缩小其请求保护的范围；

精工爱普生的修改发生于主动修改时，而非无效宣告请求审查时（无效修改不得扩大专利的保护范围），不违法，因此再审请求人的无效理由不成立不予支持；

对于记忆装置的修改，最高院认为，专利权利要求中的术语一般以本领域的通用含义来理解，根据《中华百科全书》以及《计算机日语词汇》的记载，记忆装置的英文翻译为storage或memory，即存储或者记忆，可见在日文中记忆装置的通常含义是存储装置，因此可以认为在本专利所属技术领域记忆装置的通常含义为应当为存储装置，通常含义是存储装置；

但根据授权公告文本中从属权利要求13、14的记载：“所述记忆装置包括一个基片，在所述基片上设置有一个存储装置和多个端子”，这里的记忆装置又包含了存储装置，可见，这里记忆装置的含义并非存储装置；

爱普生在意见陈述中指出：“记忆装置是指说明书及附图中记载的电路板及设置在其上的半导体存储装置”，然而这样的解释在母案申请以及分案申请的说明书中均找不到任何依据，故 不能将在说明书中没有任何依据的意见陈述作为确定记忆装置含义的决定性依据 （不然，无法促使专利申请人将相关内容尽量写入说明书中）；

可见，这里的记忆装置既不可以解释为存储装置，也不可以解释为精工爱普生在意见陈述中指出的“电路板和半导体存储装置”，本领域技术人员在客观上并不能确定记忆装置的含义；

所以修改后的“记忆装置”既非原申请文件中明确表达的内容，也不是本领域技术人员在阅读完说明书及权利要求书后可以直接且毫无疑义得出的内容，因此，关于记忆装置的修改不符合专利法第33条的规定；

最终，墨盒案中有关存储装置的部分被维持有效，而关于记忆装置的部分被无效；

总结：在主动修改时，只要修改不超范围，既可以扩大权利要求的保护范围，也可以缩小权利要求的保护范围，另外，如果在说明书中找不到任何依据，那么意见陈述中的解释不能作为决定性依据；

关于主动修改增加权要项数

在主动修改的时候可以增加权利要求项数而避免缴纳附加费，这种做法虽然不讲武德，但是法律允许吗？允许！

因为根据专利法实施细则规定：申请人应当自申请日起2个月内或者在收到受理通知书之日起15日内缴纳申请费、公布印刷费和必要的申请附加费；这里的申请附加费就包括了权利要求和说明书的附加费用，如下图所示：

就是说申请人最晚在申请日两个月内就要缴纳申请附加费了，但发明的主动修改时间是在提出实质审查请求时，以及收到进入实审通知书之日起的三个月内，这个时间已经远远超过了缴纳附加费的时间了，所以你再增加权要也没人管你要钱了；

据说国家这样设定，是为了给申请人省点钱，只是没想到日本人那么狠，一下子多了50多条权要，申请人这样做也无可厚非，国家要是不想让你这么做，早就把这个漏洞堵上了，所以，有需要你也可以这样尝试一下；

关于主动修改与超范围就讲到这，本篇及上篇文章法理部分主要参考《最高人民法院（2010）知行字第53、第53-1号行政裁定书》，感兴趣同学可自行搜索观阅；

光栅式传感器指采用光栅叠栅条纹原理测量位移的传感器。光栅是由大量等宽等间距的平行狭缝构成的光学器件。

光栅传感器的结构均由光源、主光栅、指示光栅、通光孔、光电元件这几个主要部分构成。

1、光源：钨丝灯泡，它有较小的功率，与光电元件组合使用时，转换效率低，使用寿命短。半导体发光器件，如砷化镓发光二极管，可以在 范围内工作，所发光的峰值波长为 ，与硅光敏三极管的峰值波长接近，因此，有很高的转换效率，也有较快的响应速度。

2、光栅付：由栅距相等的主光栅和指示光栅组成。主光栅和指示光栅相互重叠，但又不完全重合。两者栅线间会错开一个很小的夹角 ，以便于得到莫尔条纹。

一般主光栅是活动的，它可以单独地移动，也可以随被测物体而移动，其长度取决于测量范围。指示光栅相对于光电器件而固定。

3、通光孔：通光孔是发光体与受光体的通路，一般为条形状，其长度由受光体的排列长度决定，宽度由受光体的大小决定。它是帖在指示光栅板上的。

4、受光元件：受光元件是用来感知主光栅在移动时产生莫尔条纹的移动，从而测量位移量。在选择光敏元件时，要考虑灵敏度、响应时间、光谱特性、稳定性、体积等因素。

光栅传感器的特点

1、精度高。

光栅式传感器在大量程测量长度或直线位移方面仅仅低于激光干涉传感器。在圆分度和角位移连续测量方面，光栅式传感器属于精度最高的。

2、大量程测量兼有高分辨力。

感应同步器和磁栅式传感器也具有大量程测量的特点，但分辨力和精度都不如光栅式传感器。

3、可实现动态测量，易于实现测量及数据处理的自动化。

4、具有较强的抗干扰能力，对环境条件的要求不像激光干涉传感器那样严格，但不如感应同步器和磁栅式传感器的适应性强，油污和灰尘会影响它的可靠性。主要适用于在实验室和环境较好的车间使用。

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