事实上,碳基半导体晶体管最先是由美国与荷兰科学家在1998年制造出来的,截止到2006年之前,我国在碳纳米管晶体管上并没有明显的建树。可以说,我国对碳纳米管晶体管的研究开始于2000年,7年之后才制备出了性能超越硅晶体管的N型碳纳米管晶体管。由此可知,国外的碳纳米管晶体管的研究要比我们早的多,但是到了今天我们与国外的差距远没有硅晶体管那么大,甚至有超越国外的趋势。
总体而言,国外对碳纳米管晶体管的研究,还是比我们要领先的。在2013年,MIT研究团队发表了由178个晶体管组成的只能执行简单指令的碳纳米管计算机。在2019年,MIT团队已能制造完整的由14000个碳纳米管晶体管组成的处理器了。而国内于2017年制造了基于2500个碳纳米管晶体管的处理器,整体性能相当于因特尔4004的水平。至于在2019年国内是否研发出了集成更多碳纳米管晶体管的处理器,目前尚未有报道。
由于碳纳米管较容易聚合在一起,所以MIT团队利用了一种剥落工艺防止碳纳米管聚合在一起,以防晶体管无法正常工作。要知道MIT团队制造的CPU主频只有1Mhz,早期的80386处理器的频率还有16Mhz,也不是说2019年碳纳米管制造的计算机性能,仅相当于1985年制造的硅晶体管处理器的性能,这差距就太大了。离实用化,还有较长的一段路要走。因为碳纳米管晶体管之间的沟道和碳纳米管晶体管的体积过大,导致碳纳米管晶体管可以容纳的电流较小,容纳得电荷较少。MIT制造的由14000个碳纳米管晶体管组成的处理器中的沟道宽度为1.5微米,与现在纳米级相距较远。也只有缩小碳纳米管晶体管的体积和减小沟道的距离,才可以提升整体性能。
但是国内于2017年,就研制出了栅长为5纳米的碳纳米管晶体管,近日又研发出了栅长3纳米的碳纳米管晶体管。可以说,国内在碳纳米管晶体管的小型化上走的比较远。在2007年左右,国内以碳纳米管晶体管制造的处理器主频就高达5Ghz,要比国外2019年制造等我处理器主频高的多。从国外的相关产品来看,其碳纳米管栅长究竟达到了何种地步,也说不准。只不过,由此可知,在碳纳米管的研发上,国内技术最起码不会差国外技术太多,很有可能是同步发展的。
【碳基半导体芯片真的能够助力我国芯片突破西方禁锢?从此不依赖ASML吗?】
我们应该看到了近期的新闻,2020年5月26日,北京元芯碳基集成电路研究院宣布,解决了长期困扰碳基半导体材料制备的瓶颈! 该消息一出,瞬间引起了我们的关注,于是我们扎堆的认为, 碳基半导体芯片一定能够助力我国芯片的突破,打破西方禁锢?从此不依赖ASML。
了解现状——西方国家垄断的是硅基材料,而这些硅基材料在我国,我们的优势非常的低;一些关键性的材料还是倍国家技术给垄断的。而此时,我们想要打破束缚,就必须要寻找新的思路,于是出现了我们期待的:碳基半导体能否替代未来的硅基材料呢?
其实,有专家表示,北由于碳分子结构稳定,很难像硅材料一样通过掺杂其他物质改变性能。因此,碳纳米管要实现产业化,尚有很长一段路要走。不过,如今,北京元芯碳基集成电路研究院的突破确实给了我们很大的希望。
碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高。如果能够打破硅基半导体材料的束缚,走出一条全新的碳基半导体路,我们的芯片发展可能更有意义。
其实,以碳纤维(织物)或碳化硅等陶瓷纤维(织物)为增强体,实际上,我们熟知的石墨烯,生物碳以及碳纳米管等等都属于碳基材料。因此,想要碳基材料真正的运用与我们的实际,确实还是有一段路走,可是我们也已经进了一步了。
在芯片处理中, 碳基技术芯片 速度提升,功耗降低,未来更能够运用于多种领域,比如国防,气象,以及我们现在急需要解决的手机芯片,计算机芯片问题。这里我们得知道,相比国外技术, 我国对于碳基技术研究时间早,目前的技术是基于二十年前彭练矛院士提出的无掺杂碳基CMOS技术发展而来。
因此,我们不担心倍国外的技术给限制,因为我们的技术具有前瞻性,确实我们的芯片技术目前还是受限制,特别是ASML的光刻机,因为缺乏技术,在工艺制程方面受到制约。
因此,我们猜测的是,碳基材料未来很有可能打破ASML光刻机的束缚,打破欧美国家芯片的束缚,打造属于我们的芯片技术。
谢谢您的问题。碳基芯片在全球范围内还在朝量产迈进。
碳基芯片目前处于实验室阶段。 IBM和英特尔已经碳基在理论进行了多年的 探索 ,英特尔无果而放弃。IBM与英特尔退而求其次,用的是“掺杂”工艺制备碳纳米管晶体管。在国内,彭练矛和张志勇教授团队在半导体碳碳基半导体材料制备方面取得了研究重大进展,已经领先于全球,但也只是朝产业化进一步迈进。
实验室的成果离现实还很远 。全球碳基芯片真正要实现落地、商品化,除了雄厚的资金,必须要有现有的芯片兼容,直接借用现有半导体产业流程工艺,就可以大大加快碳基芯片产业化进程。
碳基技术需要企业参与 。北京碳基集成电路研究院以前在碳基技术上走在了前列,未来10年发展至少需要20亿元研发投入,这需要企业产研对接,需要企业认识其中的价值。阿里巴巴、腾讯都计划投入数千亿元用于新基建,参与到云服务和芯片全线布局,希望这样的 科技 龙头企业参与“碳基”集成电路,有助于缩短国内碳基技术的商用时间,站在全球视角, 科技 企业及早介入非常重要。
欢迎关注,批评指正。
首先,国外的研究并没有啥进展,因为没有企业投钱,高通的芯片利润这么高,谁会把大把的钱投到一个还不知道成不成功的项目上?
处于 探索 期,技术还远不成熟,距成熟产品路还很远。
工情报 Author 黄鑫
机工情报
装备制造业竞争力情报和贸易风险问题研究
2月18日,美国信息技术和创新基金会(ITIF)发布《摩尔定律被破坏:中国政策对全球半导体创新的影响》报告(以下简称“报告”)。报告概述了全球半导体行业的 发展情况 ;分析了半导体行业 持续创新的动力和条件 ;探讨了 中国的半导体行业 政策及其影响。
紧接着,美国总统拜登签署 美国供应链行政令 (Executive Order on America’s Supply Chains),指示对 半导体、医疗用品、关键矿产及高容量电池 的供应链进行广泛评估。
由此可见,半导体行业对美国制造业、经济和国家安全的重要性不可言喻。
当前全球半导体行业的竞争格局
1. 美国企业销售额占全球近50%,但生产能力较弱
2019年,总部位于 美国的半导体企业 在全球半导体行业的 销售额中占据了47%的市场份额 (与2012年的51.8%相比下降了约5%),紧随其后的是韩国(19%)、日本和欧洲(各占10%)、中国台湾(6%)及中国大陆(5%)。
然而,截至2019年,美国仅占全球半导体制造市场的11%,而 韩国 该比例为28%,中国台湾为22% ,日本为16%,中国大陆为12%,欧洲为3%。 2015 2019年,中国大陆在全球半导体制造市场的占比几乎翻了一番 。直到2020年底,美国只有20家半导体制造厂(FAB)在运营。
2. 美、欧、韩在半导体行业的不同领域处于领先地位
逻辑芯片(logic chips)、存储器(memory chips)、模拟芯片(analog chips)和分立器件(discrete chips)是半导体行业的四大领域。从全球半导体行业每个主要细分领域的市场份额来看,2019年,美国在逻辑芯片和模拟芯片方面明显领先;韩国在存储器方面领先(美国紧随其后);欧洲在分立器件方面领先。总部位于 中国的企业在逻辑芯片市场的占有率为9% , 在分立器件市场的占有率为5%。
就具体企业而言,英特尔是全球逻辑芯片的领导者;截至2020年第一季度,德州仪器(Texas Instruments)、ADI和英飞凌(Infineon)是模拟芯片的领导者,其市场份额分别为19%、10%和7%;三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)在动态随机存取存储器(DRAM)领域处于领先地位,分别占全球市场份额的44%、29%和21%。
3. 全球半导体产业链参与程度高,各国均有不同的价值优势
半导体行业高度全球化,大量国家/地区的企业在半导体生产的多个方面展开竞争,从半导体设计到制造,再到ATP(组装、测试和封装)。在半导体价值链(value chain)的每个环节上,平均有来自25个国家的企业参与直接供应链(direct supply chain),23个国家的企业参与支撑工作(support function)。超过12个国家拥有直接从事半导体芯片设计的企业,39个国家至少拥有1家半导体制造工厂,超过25个国家拥有从事ATP的企业。
半导体生产过程中的每个环节都创造了相当大的价值。据美国国际贸易委员会(ITC)的估计,半导体芯片90%的价值存在于设计和制造阶段,10%的价值来自ATP。
全球半导体行业的一个关键驱动力是专业化 ,因为企业——甚至国家内部的整个产业生态集群——都选择将精力集中在掌握半导体生产过程的关键环节上。例如,荷兰在极紫外(EUV)光刻方面的优势;日本在化学品和生产设备方面的优势;韩国在存储芯片方面的优势;中国台湾在代工厂上的优势;马来西亚和越南在ATP方面的优势。
4. 美国半导体专利申请全球领先
根据美国专利商标局(USPTO)追踪其授予的半导体专利数据可知,虽然美国在全球半导体专利中的份额从1998年的43%下降到2018年的29%,但仍然领先;日本的份额下降了大约1/3,从33%下降到23%;随后是中国台湾和韩国;欧盟排在第五位;中国大陆排名第六,约占全球专利的6%。如果 计算每10亿美元GDP中的专利数,中国的滞后就更为严重 。每10亿美元的GDP中,有310项专利授予美国半导体企业,仅有 77项专利授予中国半导体企业 。
5. 中国占全球半导体行业增加值的份额不断攀升
就全球半导体行业增加值的份额而言, 2001 2016年,中国大陆的增长率几乎增长了四倍,从8%增长到31% ;美国的份额从28%下降到22%;日本的份额下降了2/3以上,从30%下降到8%;中国台湾的份额从8%增长到15%;韩国的份额从5%增长到10%;德国和马来西亚各占2%的份额。
6. 除日本和美国外,全球主要国家(地区)半导体行业出口均有所增长
2005 2019年,中国大陆半导体行业出口从278亿美元增长到1380亿美元;中国台湾从359亿美元增长到1110亿美元;韩国从309亿美元增长到924亿美元;欧盟27国+英国从694亿美元增长到816亿美元。与此同时,美国的出口大致保持不变,2005年为531亿美元,2019年为529亿美元;日本的出口略有下降,从479亿美元降至469亿美元。
7. 半导体是全球研发最密集的行业之一
半导体与生物制药是全球研发最密集的行业。在2019年欧盟工业研发投资记分牌(2019 EU Industrial R&D Investment Scoreboard)上,排名前13位的半导体企业在研发方面的投入占销售额的18.4%,超过了生物制药行业。其中,前三名分别是美国的高通、中国台湾的联发科和美国的AMD。而在实际投入(actual investment)方面,三星以148亿欧元(约合176亿美元)领先,华为以127亿欧元(约合150亿美元)紧随其后,英特尔(Intel)以118亿欧元(约合137亿美元)排名第三。
截至2018年,总部位于美国企业的半导体研发投入占销售额的比重为17.4%,欧洲为13.9%,中国台湾为9.9%,日本为8.8%,中国大陆为8.4%,韩国为7.3%。欧洲半导体行业的研发强度已从2010年的16.5%下降到如今的13.9%。相反,中国半导体企业的研发强度从2012年的6.3%上升到2018年的8.4%。
8. 半导体行业资本投入高
半导体也属于资本密集型行业。2019年,美国半导体行业的全球资本支出(CapEx)总计319亿美元,占销售额的比例达到12.5%,仅次于美国的替代能源行业(alternative-energy sector)。在全球资本支出方面,2019年,总部位于韩国的企业对半导体行业的资本支出占全球该行业资本支出的31%,其次是美国(28%)、中国台湾(17%)、中国大陆(10%)、日本(5%)和欧洲(4%)。
开发新的半导体设计或建立新的半导体晶圆厂所需的专业知识、资金和规模非常高,而且还在不断增加。例如,将芯片设计从10 nm推进到7nm的成本增加了1亿美元以上,而从7 nm推进到5 nm的成本可能又翻了一番,从3亿美元增加到近5.5亿美元。但这仅是设计芯片的成本。据估计,截至2020年,新建14 16nm晶圆厂的平均成本为130亿美元;10nm晶圆厂的建造成本为150亿美元;7nm晶圆厂的建造成本为180亿美元;5nm晶圆厂的建造成本为200亿美元。
中国在全球半导体行业中举足轻重
1. 中国半导体实力不断增强
无论从芯片设计还是制造的角度来看,中国的半导体实力都在迅速增长。例如,2010 2015年,中国IC设计企业的数量就从485家增加到715家。2005 2015年,中国半导体行业复合年增长率为18.7%,半导体消费增长率为14.3%,全球半导体市场复合年增长率仅为4.0%。
目前,全球约有20%的无晶圆厂IC设计公司位于中国。正如德勤(Deloitte)的一份报告所述,“在集成电路设计方面,中国大陆的能力在过去5年里激增,并开始赶上中国台湾和韩国,成为亚太地区IC设计的主要参与者。”
2. 中国市场对美国半导体企业而言十分重要
中国市场相当重要,在许多美国半导体企业的收入中占据了相当大的比例。例如,2018年前四个月,中国市场占高通收入的60%以上,美光的50%以上,博通的45%左右,德州仪器的40%以上。2018年,美国半导体企业约36%的收入,即750亿美元,来自对中国的销售。
3. 中国半导体行业收入快速增长,但净利润率低
截至2019年底,全球136家最大的半导体企业创造的收入总计5718亿美元。其中,总部位于中国的企业为413亿美元,占全球收入的7.2%以上。中国企业占全球封装测试服务(OSAT)收入的21%(60亿美元);占代工收入的8%(45亿美元);占芯片设计和制造收入的7%(296亿美元)。2015年,中国企业占全球半导体行业收入的4%。由此可见,2015 2019年,中国企业的收入占比几乎翻了一番。
尽管中国半导体行业的收入发展迅速,但其净利润率只有英特尔(Intel)、三星(Samsung)、台积电(TSMC)、SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)等企业的一小部分。平均而言,2019年,非中国半导体企业的净利润率为19.4%,而 中国半导体企业的净利润率为12.1% 。
智库提议未来应采取哪些针对中国的措施
报告称,中国通过“重商主义”政策扭曲全球市场,阻碍创新型企业发展和研发投入,破坏半导体行业的“摩尔定律”。报告为应对“中国挑战”提出了国际层面和美国国内层面(落实《为芯片生产创造有益的激励措施法案》(CHIPS)、增加半导体研发的联邦投资)的建议。其中,国际层面的建议包括:
1. 扩大世贸组织有关补贴的内容
根据世贸组织的规定,将财政援助确定为补贴需要具备三个要素:1)财政捐款;2)由政府或公共机构给予;3)给予这种捐助的收益。
因此, 美国应与志同道合的国家和世贸组织合作,更新其规则,对激进的工业补贴施加更严厉的条件和惩罚。 首先 澄清“公共机构”的定义 ,将其扩大到包括国有企业和私营企业等受国家影响的实体。同时,要求给予国有企业的补贴不会对其他国家造成伤害。
志同道合的国家应专注于大幅 提高全球补贴的透明度 ,包括坚持及时、完整地通告补贴行为,并 对未及时通报的补贴建立损害推定 。各国还应召开世贸组织成员和世贸组织上诉机构之间的年度会议,讨论与过度使用补贴相关的模式和挑战。
2. 盟国应在半导体出口管制方面进行合作
对于全球半导体行业,中国既是一个重要的市场,也是一个重要的生产地。对支撑中国经济和军事崛起的核心技术的出口管制无疑将成为政策制定者认真考虑的工具。然而,正如ITIF曾经提出的,美国应尽最大可能与志同道合的国家合作, 协调出口管制措施 ,“因为出口管制制度在国际协调的情况下最为成功。”正如《出口管制改革法案》(Export Control Reform Act)第4811(5)条所述,“ 出口管制应与多边出口管制制度相协调。多边的出口管制是最有效的 ,应该将重点放在那些能够用来对美国及其盟友构成严重国家安全威胁的核心技术和其他物项上。”
报告提出,之前美国为了寻求实现经济或贸易政策目标,不断推行单边出口管制。其与代表特定半导体(包括半导体制造设备)行业和更广泛先进技术的传统瓦森纳协定(瓦协)之间需要形成一种新的管制方式。因此, 美国应避免实施单边出口管制,并寻求制定更雄心勃勃和更有效的诸边(plurilateral)办法,与德国、日本、韩国、中国台湾、荷兰和英国等具有本土半导体产能的国家(地区)共同实施出口管制。
这些国家应共同努力,就非市场经济国家的企业对全球半导体行业构成的威胁以及半导体技术的发展速度和进展达成共识。然后,这些国家 应在“瓦协”之外建立工作组,即“小瓦协”,对半导体技术和相关管制物项(现有管制物项范围之外)进行定义,并制定共同的许可政策。
3. 统一外商直接投资审查程序
《2018年外国投资风险审查现代化法案》(FIRRMA)指示美国海外投资委员会(CFIUS)建立一个正式程序,与盟国政府分享信息,并在投资安全问题上进行协调与合作。因此,美国应继续与志同道合的国家合作, 协调投资审查程序,并考虑扩大其例外国(excepted foreign states)名单, 将法国、德国、荷兰、意大利、日本和韩国等国包括在内。
4. 加强信息共享,打击对外经济间谍活动以及知识产权、技术或商业秘密盗窃
美国应该带领更多志同道合的国家建立一个更广泛的“五眼联盟”,专门致力于合作打击由国家资助的先进技术领域中的间谍活动。该组织可以 编制一份企图进行知识产权盗窃的企业及个人名单,同时制定机制,限制这些企业和个人在盟国市场上竞争。
5. 在半导体研发中实现盟国间合作
半导体创新的广泛性和复杂性意味着有机会招募来自志同道合的国家参与长期、高潜力的研发计划,如“semiconductor moon shots”(半导体登月计划)。这实际上是美国两党《芯片法案》(CHIPS for America Act)所预期的,它呼吁 设立一个7.5亿美元的多边安全基金 ,以支持安全微电子技术的发展和采用。在这方面, 确保微电子供应链的安全将是第一步 ,国会将在今年秋天审查《国防授权法案》(National Defense Authorization Act)的重新授权时,为这一条款拨出资金。
小结
根据宾夕法尼亚大学发布的2020年《全球智库指数报告》,ITIF排在当年美国顶级智库(Top Think Tanks)第39位,全球顶级 科技 政策智库(Top Science and Technology Policy Think Tanks)第4位。其主席阿特金森(Rob Atkinson)具有丰富的政府部门工作经历,其观点在政界具有一定的影响力。此前,ITIF的很多建议和倡导均被美国政府采纳。
ITIF一直对我国的 科技 创新政策持批评态度,并主张对我国采取强硬的反制措施。此份报告在半导体领域的建议与拜登政府联合盟国,发展国内制造业,遏制中国的思路不谋而合,因此很有可能被美国政府采纳。
导读
背景
在隐藏于笔记本电脑或者智能手机中的每个现代微型电路中,你都会看到晶体管。晶体管是一种小型半导体器件,它控制电流流动,即电子的流动。
如果用光子(光的基本粒子)取代电子,那么科学家们将有望创造出新型计算系统,这种系统将能够处理以接近光速流动的大量信息。
目前,在量子计算机中,光子被认为是传递信息的最佳方案。然而,这些仍然只是假想计算机。它们按照量子世界的规律运作,并且能比大多数最强大的超级计算机更加高效地解决某些问题。
虽然创造量子计算机没有基本限制,但是科学家们仍然没有选择出哪种材料平台可以最方便且有效地实现量子计算机概念。目前,超导电路、冷原子、离子、钻石中的缺陷以及其他系统,为了被未来量子计算机选中而展开竞争。
创新
这一次,科学家们提出了半导体平台和二维晶体。近日,维尔茨堡大学(德国)、南安普顿大学(英国)、格勒诺布尔-阿尔卑斯大学(法国)、亚利桑那大学(美国)、西湖大学(中国)、俄罗斯科学院约飞物理技术研究所、圣彼得堡国立大学的科学家们组成的国际科研团队研究了光子是如何在世界上最薄的半导体晶体平面中传播的。结果是,空间中的光线偏振分布类似于三色的海螺。物理学家们的研究成果为创造单原子光学晶体管(量子计算机的组件)开辟了道路,有望实现光速计算。研究论文发表在《自然纳米技术(Nature Nanotechnology)》期刊上。
技术
研究人员研究了光线在二硒化钼(MoSe2)二维晶体层中的传播。二硒化钼只有一个原子的厚度,是世界上最薄的半导体晶体。研究人员发现,偏振光在这种极细晶层中的传播取决于光线传播的方向。这个现象是由于晶体中的自旋轨道相互作用引起的。有意思的是,正如科学家们所指出的,这幅图展示的偏振光空间分布非同寻常,看上去像五彩缤纷的的海螺。
实验中所用的非常精细的二硒化钼晶体是在维尔茨堡大学 Sven Höfling 教授实验室中合成的。它是欧洲最佳的晶体生长实验室之一。在圣彼得堡国立大学教授 Alexey Kavokin 的监督下,科学家们在维尔茨堡和圣彼得堡进行测量。Mikhail Glazov 在开发理论基础中扮演了重要角色。他是俄罗斯科学院的通信成员、圣彼得堡国立大学自旋光学实验室的雇员、约飞物理技术研究所的首席研究助理。
价值
圣彼得堡国立大学自旋光学实验室的领头人 Alexey Kavokin 教授表示:“我预见,在不久的将来,二维单原子晶体将用于量子设备中的信息传输。对于经典的计算机与超级计算机需要花很长时间才能完成的任务来说,量子计算设备完成起来非常快。因此,量子技术有着巨大的危险,可以与原子d的危险相提并论。例如,在量子技术的帮助下,非常迅速地非法入侵银行保护系统将成为可能。这就是如今密集的研究工作在进行的原因所在。这些工作包括创造保护量子设备的手段,即量子加密技术。而我们的工作主要为半导体量子技术作出了贡献。”
此外,正如科学家们所提到的,这项研究是朝着研究光诱导(即出现在光线下)的超导性迈出的重要一步。当材料允许电流以零电阻通过时,超导现象就发生了。目前,这种状态无法在零下70摄氏度以上的温度条件下实现。可是,如果找到合适的材料,这项发现有可能将电力零损耗地传输到地球上的任何位置,并创造出新一代的电动马达。应该被记住的是,2018年3月,Alexey Kavokin 的研究团队曾预测,含有超导金属(例如铝)的结构,有助于解决这个问题。如今,圣彼得堡国立大学的科学家们正在寻找途径获取他们理论的实验证据。
参考资料
【1】http://english.spbu.ru/news/3015-three-colour-rapana-physicists-have-let-light-through-the-plane-of-the-world-s-thinnest-semiconductor-crystal
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