在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于？

在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全电离时，多数截流子浓度≈掺杂浓度，并且基本上与温度无关。

而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为：

多数载流子（电子）n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3

少数载流子（空穴）p=ni^2/n=0.45cm-3

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