是的,G极的电压需要2-4V之间。
MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。
扩展资料无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
MOS管压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。
参考资料来源:百度百科-mos管
增强型比较清楚:1、P沟道增强型:当Ugs<Ugs(th)时,开启。这个Ugs(th)是一个负数值,最常见的是在-4V ~ -2V之间。
2、N沟道增强型:当Ugs>Ugs(th)时,开启。这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V ~ 4V之间。
耗尽型的管子比较少见。
1、P沟道耗尽型:当Ugs<Ugs(off)时导通,这个Ugs(off)是一个正数值。
2、N沟道耗尽型:当Ugs>Ugs(off)时导通,这个Ugs(off)是一个负数值。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)